Описание
Источник публикации
М.: ФГБУ "Институт стандартизации", 2023
Примечание к документу
Документ
введен в действие с 01.03.2024.
Название документа
"ГОСТ Р 71074-2023. Национальный стандарт Российской Федерации. Микросхемы интегральные. Запоминающие устройства на цилиндрических магнитных доменах. Термины, определения и буквенные обозначения параметров"
(утв. и введен в действие Приказом Росстандарта от 31.10.2023 N 1312-ст)
"ГОСТ Р 71074-2023. Национальный стандарт Российской Федерации. Микросхемы интегральные. Запоминающие устройства на цилиндрических магнитных доменах. Термины, определения и буквенные обозначения параметров"
(утв. и введен в действие Приказом Росстандарта от 31.10.2023 N 1312-ст)
Утвержден и введен в действие
агентства по техническому
регулированию и метрологии
от 31 октября 2023 г. N 1312-ст
НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ.
ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ
ТЕРМИНЫ, ОПРЕДЕЛЕНИЯ И БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ
Integrated circuits. Magnetic bubble integrated circuits
memory. Terms, definitions and letter
symbols characteristics
ГОСТ Р 71074-2023
Дата введения
1 марта 2024 года
1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом "Российский научно-исследовательский институт "Электронстандарт" (АО "РНИИ "Электронстандарт")
2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 "Электронная компонентная база, материалы и оборудование"
3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ
Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 31 октября 2023 г. N 1312-ст
4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ
Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. N 162-ФЗ "О стандартизации в Российской Федерации". Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе "Национальные стандарты", а официальный текст изменений и поправок - в ежемесячном информационном указателе "Национальные стандарты". В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя "Национальные стандарты". Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования - на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.rst.gov.ru)
Установленные в настоящем стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области интегральных микросхем запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.
Термины-синонимы приведены в качестве справочных данных и не являются стандартизованными.
Заключенная в круглые скобки часть термина может быть опущена при использовании термина в документах по стандартизации.
Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткие формы, представленные аббревиатурой - светлым, синонимы - курсивом.
В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение не приводится и вместо него ставится прочерк.
В стандарте приведены иноязычные эквиваленты стандартизованных терминов на английском (en) языке.
Термины и определения общих понятий, а также буквенные обозначения основных сигналов, необходимые для понимания текста стандарта, приведены в
приложении А.
Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения параметров интегральных микросхем запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (далее - микросхемы ЗУ ЦМД), применяемых в радиоэлектронной аппаратуре.
Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, предназначены для применения во всех видах документации и литературы в области интегральных микросхем ЗУ ЦМД, входящих в сферу действия работ по стандартизации и (или) использующих результаты этих работ.
Термины и определения общих понятий, а также буквенные обозначения основных сигналов для микросхем ЗУ ЦМД приведены в
приложении А.
Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научной и производственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке, производстве, эксплуатации интегральных микросхем ЗУ ЦМД в соответствии с действующим законодательством.
Параметры микросхем ЗУ ЦМД
| |
(информационная) емкость (микросхемы ЗУ ЦМД) Qинф: Наибольшее количество единиц данных, которое одновременно может храниться в запоминающем устройстве. | data capacity Q |
2 скорость передачи (данных микросхемы ЗУ ЦМД) Vинф: Количество бит информации, передаваемой в единицу времени. | data transfer-rate V |
3 выходное напряжение высокого уровня (сигнала выходной информации микросхемы ЗУ ЦМД) Uвых.в: Значение напряжения высокого уровня на информационном выходе микросхемы ЗУ ЦМД при считывании информации. | high-level output voltage UOH |
4 выходное напряжение низкого уровня (сигнала выходной информации микросхемы ЗУ ЦМД) Uвых.н: Значение напряжения низкого уровня на информационном выходе микросхемы ЗУ ЦМД при считывании информации. | low-level output voltage UOL |
5 среднее время выборки (микросхемы ЗУ ЦМД) tв.ср: Время выборки среднего разряда средней страницы. | average access time tA(av) |
6 рабочая частота (микросхемы ЗУ ЦМД) fраб: Частота переменного или импульсного тока управления микросхемы ЗУ ЦМД. | drive frequency foper |
| |
потребляемая мощность (интегральной микросхемы ЗУ ЦМД) Pпот: Мощность, потребляемая микросхемой от источника питания в заданном режиме. [Адаптировано из ГОСТ Р 57441-2017, статья 66] | power consumption PCC |
8 рабочий диапазон температур (микросхемы ЗУ ЦМД)  : - | operating temperature range  |
9 диапазон температур хранения информации (микросхемы ЗУ ЦМД)  : - | non-volatility storage temperature range  |
| |
отношение сигнал - помеха (микросхемы ЗУ ЦМД) Uс/Uп: Отношение величин, характеризующих интенсивности сигнала и помехи. Примечание - В качестве величин, характеризующих интенсивности сигнала и помехи, берут их средние мощности, среднеквадратические значения, пиковые отклонения, энергии и т.п. Способ определения этих величин должен всегда оговариваться особо. [Адаптировано ГОСТ 16465-70, статья 27] | signal-to-noise ratio Us/Un |
Параметры режима эксплуатации и (или) измерений микросхем ЗУ ЦМД
11 ток управления (микросхемы ЗУ ЦМД) Ix, Iy: Амплитуда переменного (или импульсного) тока определенной частоты через узел управления микросхемы ЗУ ЦМД (электромагнитные катушки, специальные токопроводящие слои и др.), который обеспечивает работоспособность микросхемы в режиме записи и считывания информации. | control current Ix, Iy |
12 ток генерации (микросхемы ЗУ ЦМД) IГ: Амплитуда импульса тока через генератор микросхемы ЗУ ЦМД, который необходим для образования ЦМД при записи информации, представленной логической единицей. | generate current IG |
13 ток ввода (информации микросхемы ЗУ ЦМД) IВв: Амплитуда импульса тока через переключатель микросхемы ЗУ ЦМД, выполняющий функцию ввода информации, который необходим для перевода ЦМД из регистра ввода в регистры хранения информации. | transfer-in current ID |
14 ток вывода (информации микросхемы ЗУ ЦМД) IВ: Амплитуда импульса тока через переключатель микросхемы ЗУ ЦМД, выполняющий функцию вывода информации, который необходим для перевода ЦМД из регистров хранения в регистр вывода информации. | transfer-out current IQ |
15 ток обмена (информации микросхемы ЗУ ЦМД) IОБ: Амплитуда импульса тока через переключатель микросхемы ЗУ ЦМД, выполняющий функцию обмена информации, который необходим для одновременного перевода ЦМД из регистра ввода-вывода информации в регистры хранения и из регистров хранения - в регистр ввода-вывода информации. | swap current IS |
16 ток репликации (микросхемы ЗУ ЦМД) IР: Амплитуда импульса тока через переключатель, выполняющий функцию деления ЦМД с последующим выводом информации, который необходим для осуществления операции деления ЦМД. | replication current IR |
17 ток вывода информации в режиме репликации (микросхемы ЗУ ЦМД) IР-В: Амплитуда импульса тока через переключатель, выполняющий функцию деления ЦМД с последующим выводом информации, который необходим для перевода ЦМД в регистр вывода информации непосредственно после операции деления. | transfer-out current in replication mode IR-Q |
18 ток детектора (микросхемы ЗУ ЦМД) IД: Рабочий (постоянный или импульсный) ток через детектор микросхем ЗУ ЦМД. | detector current Id |
19 длительность импульса тока генерации (микросхемы ЗУ ЦМД)  : - | generator width  |
20 длительность импульса тока ввода (информации микросхемы ЗУ ЦМД)  : - | transfer-in width  |
21 длительность импульса тока вывода (информации микросхемы ЗУ ЦМД)  : - | transfer-out width  |
22 длительность импульса тока обмена (информации микросхемы ЗУ ЦМД)  : - | swap width  |
23 длительность импульса тока репликации (микросхемы ЗУ ЦМД)  : - | replication width  |
24 длительность импульса тока вывода информации в режиме репликации (микросхемы ЗУ ЦМД)  : - | transfer-out width in replication mode  |
25 время задержки импульса тока генерации (микросхемы ЗУ ЦМД <*>) tзд.Г: - | generator length tDG |
26 время задержки импульса тока ввода (информации микросхемы ЗУ ЦМД) tзд.Вв: - | transfer-in length tDD |
27 время задержки импульса тока вывода (информации микросхемы ЗУ ЦМД) tзд.В: - | transfer-out length tDQ |
28 время задержки импульса тока обмена (информации микросхемы ЗУ ЦМД) tзд.ОБ: - | swap length tDS |
29 время задержки импульса тока репликации (микросхемы ЗУ ЦМД) tзд.Р: - | replication length tDR |
30 сопротивление генератора (микросхемы ЗУ ЦМД) RГ: - | bubble generator resistance RG |
31 сопротивление переключателя ввода (микросхемы ЗУ ЦМД) RВв: - | transfer in gate resistance RTD |
32 с опротивление переключателя вывода (микросхемы ЗУ ЦМД) RВ: - | transfer out gate resistance RQ |
33 сопротивление двунаправленного переключателя ввода-вывода (микросхемы ЗУ ЦМД) RВв-В: - | transfer gate resistance RTG |
34 сопротивление переключателя-репликатора (микросхемы ЗУ ЦМД) RР: - | replicate gate resistance RTR |
35 сопротивление переключателя обмена (микросхемы ЗУ ЦМД) RОБ: - | swap gate resistance RTS |
36 сопротивление комбинированного переключателя (микросхемы ЗУ ЦМД) RКОМ: - | combined gate resistance RTCOM |
37 сопротивление детектора (микросхемы ЗУ ЦМД) RД: - | detector resistance Rd |
38 разность сопротивлений (детекторов микросхемы ЗУ ЦМД)  : Разность сопротивлений рабочего и компенсационного детекторов узла регистрации кристалла микросхемы ЗУ ЦМД. | resistance difference  |
39 сопротивление узла управления (микросхемы ЗУ ЦМД) RX, RY: - | control scheme resistance RX, RY |
40 индуктивность узла управления (микросхемы ЗУ ЦМД) LX, LY: - | control scheme inductance LX, LY |
--------------------------------
<*> Задержка определяется как интервал времени между началом периода работы микросхемы ЗУ ЦМД (нулевая фаза) и передним фронтом импульса. Допускается использовать термин "фаза" (пояснение относится к
статьям 19 -
29).
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ
время выборки микросхемы ЗУ ЦМД среднее | |
время выборки среднее | |
время задержки импульса тока ввода | |
время задержки импульса тока ввода информации микросхемы ЗУ ЦМД | |
время задержки импульса тока вывода | |
время задержки импульса тока вывода информации микросхемы ЗУ ЦМД | |
время задержки импульса тока генерации | |
время задержки импульса тока генерации микросхемы ЗУ ЦМД | |
время задержки импульса тока обмена | |
время задержки импульса тока обмена информации микросхемы ЗУ ЦМД | |
время задержки импульса тока репликации | |
время задержки импульса тока репликации микросхемы ЗУ ЦМД | |
диапазон температур микросхемы ЗУ ЦМД рабочий | |
диапазон температур рабочий | |
диапазон температур хранения информации | |
диапазон температур хранения информации микросхемы ЗУ ЦМД | |
длительность импульса тока ввода | |
длительность импульса тока ввода информации микросхемы ЗУ ЦМД | |
длительность импульса тока вывода | |
длительность импульса тока вывода информации в режиме репликации | |
длительность импульса тока вывода информации в режиме репликации микросхемы ЗУ ЦМД | |
длительность импульса тока вывода информации микросхемы ЗУ ЦМД | |
длительность импульса тока генерации | |
длительность импульса тока генерации микросхемы ЗУ ЦМД | |
длительность импульса тока обмена | |
длительность импульса тока обмена информации микросхемы ЗУ ЦМД | |
длительность импульса тока репликации | |
длительность импульса тока репликации микросхемы ЗУ ЦМД | |
емкость | |
емкость информационная | |
емкость микросхемы ЗУ ЦМД | |
емкость микросхемы ЗУ ЦМД информационная | |
индуктивность узла управления | |
индуктивность узла управления микросхемы ЗУ ЦМД | |
мощность интегральной микросхемы ЗУ ЦМД потребляемая | |
мощность потребляемая | |
напряжение высокого уровня выходное | |
напряжение высокого уровня сигнала выходной информации микросхемы ЗУ ЦМД выходное | |
напряжение низкого уровня выходное | |
напряжение низкого уровня сигнала выходной информации микросхемы ЗУ ЦМД выходное | |
отношение сигнал - помеха | |
отношение сигнал - помеха микросхемы ЗУ ЦМД | |
разность сопротивлений | |
разность сопротивлений детекторов микросхемы ЗУ ЦМД | |
скорость передачи | |
скорость передачи данных микросхемы ЗУ ЦМД | |
сопротивление генератора | |
сопротивление генератора микросхемы ЗУ ЦМД | |
сопротивление двунаправленного переключателя ввода-вывода | |
сопротивление двунаправленного переключателя ввода-вывода микросхемы ЗУ ЦМД | |
сопротивление детектора | |
сопротивление детектора микросхемы ЗУ ЦМД | |
сопротивление комбинированного переключателя | |
сопротивление комбинированного переключателя микросхемы ЗУ ЦМД | |
сопротивление переключателя ввода | |
сопротивление переключателя ввода микросхемы ЗУ ЦМД | |
сопротивление переключателя вывода | |
сопротивление переключателя вывода микросхемы ЗУ ЦМД | |
сопротивление переключателя обмена | |
сопротивление переключателя обмена микросхемы ЗУ ЦМД | |
сопротивление переключателя-репликатора | |
сопротивление переключателя-репликатора микросхемы ЗУ ЦМД | |
сопротивление узла управления | |
сопротивление узла управления микросхемы ЗУ ЦМД | |
ток ввода | |
ток ввода информации микросхемы ЗУ ЦМД | |
ток вывода | |
ток вывода информации в режиме репликации | |
ток вывода информации в режиме репликации микросхемы ЗУ ЦМД | |
ток вывода информации микросхемы ЗУ ЦМД | |
ток генерации | |
ток генерации микросхемы ЗУ ЦМД | |
ток детектора | |
ток детектора микросхемы ЗУ ЦМД | |
ток обмена | |
ток обмена информации микросхемы ЗУ ЦМД | |
ток репликации | |
ток репликации микросхемы ЗУ ЦМД | |
ток управления | |
ток управления микросхемы ЗУ ЦМД | |
частота микросхемы ЗУ ЦМД рабочая | |
частота рабочая | |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ
average access time | |
bubble generator resistance | |
combined gate resistance | |
control current | |
control scheme inductance | |
control scheme resistance | |
data capacity | |
data transfer-rate | |
detector current | |
detector resistance | |
drive frequency | |
generate current | |
generator length | |
generator width | |
high-level output voltage | |
low-level output voltage | |
non-volatility storage temperature range | |
operating temperature range | |
power consumption | |
replicate gate resistance | |
replication current | |
replication length | |
replication width | |
resistance difference | |
signal-to-noise ratio | |
swap current | |
swap gate resistance | |
swap length | |
swap width | |
transfer gate resistance | |
transfer in gate resistance | |
transfer out gate resistance | |
transfer-in current | |
transfer-in length | |
transfer-in width | |
transfer-out current | |
transfer-out current in replication mode | |
transfer-out length | |
transfer-out width | |
transfer-out width in replication mode | |
(справочное)
ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОБЩИХ ПОНЯТИЙ,
БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ОСНОВНЫХ СИГНАЛОВ ДЛЯ МИКРОСХЕМ ЗУ ЦМД
Общие понятия
А.1 интегральная микросхема запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах; микросхема ЗУ ЦМД: Интегральная микросхема с функциональными узлами, обеспечивающими передачу и хранение информации, представленной ЦМД. | magnetic bubble microcircuit memory |
А.2 структура управления (микросхемы ЗУ ЦМД): Часть кристалла микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенная для осуществления операций записи и считывания, а также хранения информации, представленной последовательностью ЦМД. | control structure |
А.3 массив хранения (микросхемы ЗУ ЦМД): Часть кристалла микросхемы ЗУ ЦМД, содержащая совокупность информационных регистров, служащих для хранения и перемещения информации, представленной последовательностью ЦМД. | storage array |
А.4 функциональный элемент (микросхемы ЗУ ЦМД): Часть микросхемы ЗУ ЦМД, которая выполняет определенную функцию и не может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации. | functional element |
А.5 функциональный узел (микросхемы ЗУ ЦМД): Совокупность функциональных элементов микросхемы ЗУ ЦМД, обеспечивающая выполнение определенной операции. | functional scheme |
А.6 информационный регистр (микросхемы ЗУ ЦМД): Часть структуры управления микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенная для хранения информации. | minor loop |
А.7 регистр ввода-вывода (информации микросхемы ЗУ ЦМД): Часть структуры управления микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенная для перемещения ЦМД от генератора к информационным регистрам при записи информации и от информационных регистров к детектору при считывании информации. | input loop |
А.8 регистр ввода (информации кристалла микросхемы ЗУ ЦМД): Часть структуры управления микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенная для перемещения ЦМД от генератора к информационным регистрам. | input register |
А.9 регистр вывода (информации кристалла микросхемы ЗУ ЦМД): Часть структуры управления микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенная для перемещения ЦМД от информационных регистров к детектору при считывании информации. | output register |
А.10 генератор ЦМД зарождающего типа микросхемы ЗУ ЦМД; зарождающий генератор: Функциональный узел микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенный для создания информационной последовательности ЦМД путем их контролируемого зарождения | nucleate generator |
А.11 генератор ЦМД репликаторного типа микросхемы ЗУ ЦМД; реплицирующий генератор: Функциональный узел микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенный для создания информационной последовательности ЦМД путем реплицирования базового домена. | replicating generator |
А.12 переключатель ввода (информации микросхемы ЗУ ЦМД): Функциональный узел микросхемы ЗУ ЦМД, который осуществляет ввод информации из регистра ввода в регистры хранения. | transfer-in gate |
А.13 переключатель вывода (информации микросхемы ЗУ ЦМД): Функциональный узел микросхемы ЗУ ЦМД, который осуществляет вывод информации из регистров хранения в регистр вывода. | transfer-out gate |
А.14 переключатель ввода-вывода (информации микросхемы ЗУ ЦМД): Функциональный узел микросхемы ЗУ ЦМД, который осуществляет функции переключателя ввода и (или) переключателя вывода. | transfer gate |
А.15 переключатель обмена (информации микросхемы ЗУ ЦМД): Функциональный узел микросхемы ЗУ ЦМД, который осуществляет одновременный ввод и вывод информации. | swap gate |
А.16 переключатель-репликатор (микросхемы ЗУ ЦМД): Функциональный узел микросхемы ЗУ ЦМД, который осуществляет функцию деления ЦМД и вывода информации. | replicate gate |
А.17 комбинированный переключатель (микросхемы ЗУ ЦМД): Функциональный узел микросхемы ЗУ ЦМД, который осуществляет функции ввода информации, вывода информации, обмена информации, деления ЦМД и вывода информации. | combined gate |
А.18 узел детектирования (микросхемы ЗУ ЦМД): Функциональный узел микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенный для регистрации ЦМД. | detector scheme |
А.19 рабочий детектор (микросхемы ЗУ ЦМД): Функциональный элемент узла детектирования микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенный для выделения сигнала от ЦМД. | active detector |
А.20 компенсационный детектор (микросхемы ЗУ ЦМД): Функциональный элемент узла детектирования микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенный для компенсации сигналов помех. | dummy detector |
Типы организации микросхем ЗУ ЦМД
А.21 последовательная организация: Организация микросхемы в виде одного автономного информационного регистра. | major loop organisation |
А.22 последовательно-параллельная организация: Организация микросхемы в виде некоторой совокупности информационных регистров, объединенных регистром (или регистрами) ввода и вывода информации. | major-minor loop organisation |
А.23 организация с замкнутым регистром ввода-вывода информации: Последовательно-параллельная организация микросхемы, в которой информационные регистры объединены одним замкнутым регистром ввода-вывода информации. | closed Input loop organisation |
А.24 организация с раздельными регистрами ввода-вывода: Последовательно-параллельная организация микросхемы, в которой информационные регистры объединены раздельными регистрами ввода-вывода информации. | separate Input loops organisation |
А.25 организация с обменным переключателем: Последовательно-параллельная организация микросхемы с раздельными регистрами ввода и вывода и с переключателем обменного типа в регистре ввода информации. | swap gate organisation |
А.26 организация с разомкнутым регистром ввода-вывода: Последовательно-параллельная организация микросхемы с одним разомкнутым регистром ввода-вывода и переключателем комбинированного типа. | open Input loop organisation |
А.27 организация блочным реплицированием: Последовательно-параллельная организация микросхемы, в которой совокупность информационных регистров разделена на определенное число блоков. | block replicate organisation |
Основные сигналы для микросхем ЗУ ЦМД
А.28 X-сигнал управления продвижением доменов X: - | X-domain progress control signal X |
А.29 Y-сигнал управления продвижением доменов Y: - | Y-domain progress control signal Y |
А.30 сигнал выходной информации С: - | transfer-out signal O |
А.31 импульс генератора Г: - | generator pulse G |
А.32 импульс ввода информации Вв: - | transfer-in pulse D |
А.33 импульс вывода информации В: - | transfer-out pulse Q |
А.34 импульс обмена информации ОБ: - | swap pulse S |
А.35 импульс тока репликации Р: - | replication current pulse R |
А.36 импульс тока вывода в режиме репликации Р-В: - | transfer out pulse in replication mode RQ |
УДК 621.38:006.354 | |
Ключевые слова: микросхемы интегральные, запоминающие устройства, цилиндрические магнитные домены, термины, определения, буквенные обозначения |