Полное меню
- Актуальное
законодательство - Интернет
и право- - Рассылка ''Закон есть закон''
- - Форум сайта (архив)
- - Законодательство
- - Судебная практика (необычная)
- - Судебная практика (авторская)
- - Процедура UDRP и и решения WIPO
- - Книги серии ''Интернет и Право''
- - Книги в открытом доступе
- - Учебный курс ''Интернет и Право''
- - Учебный курс ''Доменные споры''
- - Литература по ''Интернет и Право''
- - Литература по интел. собственности
- - Научный уголок (работы гостей)
- - Авторские публикации
- Информационные
материалы - ЮРИДИЧЕСКИЕ
УСЛУГИ- - Перечень юридических услуг
- - Карта юридических услуг
- - Юридическая консультация
- - Доменные споры (RU), авторское право
- - Международный суд по доменам (COM)
- - Защита прав на маркетплейсе (WB, Ozon)
- - Защита прав в соцсетях (Vk, Ok, FB)
- - Купля-продажа домена, сайта, ПО
- - Досудебное урегулирование конфликта
- - Защита чести и деловой репутации
- - Отмена блокировки сайта/домена РКН
- - ФАС: товарные знаки, авторское право
- - Регистрация ПО/сайта (Роспатент)
- - Юридическая проверка домена
- - Нотариальное заверение сайтов
- - Способы и формы оплаты услуг
- - Мы в СМИ
- - О компании, клиенты
- - Наши дела и победы
- - Контакты и реквизиты
- Информация
о сайте -
ОписаниеИсточник публикации М.: ФГБУ "Институт стандартизации", 2023 Примечание к документу Документ утрачивает силу с 10.12.2025 в связи с изданием Приказа Росстандарта от 31.10.2025 N 1314-ст. Взамен вводится в действие ГОСТ 35322.2-2025. Документ введен в действие с 01.01.2023. Взамен ГОСТ Р 56980.2-2020 (МЭК 61215-2:2016), ГОСТ Р 56980.1-1-2020 (МЭК 61215-1-1:2016) в части подразделов 3.2 и 3.3, ГОСТ Р МЭК 61646-2013 в части подраздела 10. Название документа "ГОСТ Р 56980.2-2022 (МЭК 61215-2:2021). Национальный стандарт Российской Федерации. Модули фотоэлектрические. Оценка соответствия техническим требованиям. Часть 2. Методы испытаний" (утв. и введен в действие Приказом Росстандарта от 30.12.2022 N 1730-ст) "ГОСТ Р 56980.2-2022 (МЭК 61215-2:2021). Национальный стандарт Российской Федерации. Модули фотоэлектрические. Оценка соответствия техническим требованиям. Часть 2. Методы испытаний"
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
, 
, 
- соответственно максимальное, минимальное и среднее значения максимальной мощности в трех последних последовательных измерениях ВАХ;
, (3)
- коэффициент двусторонности по току короткого замыкания;
- коэффициент двусторонности по напряжению холостого хода;
- коэффициент двусторонности по максимальной мощности;Класс по способу защиты от поражения электрическим током | Наличие непроницаемых соединений | Испытательное напряжение при первой подаче напряжения, В постоянного тока | Испытательное напряжение при повторной подаче напряжения, В постоянного тока |
0 | Нет | 1000 + удвоенное максимальное номинальное напряжение постоянного тока фотоэлектрической системы, для установки в которую предназначены фотоэлектрические модули | 500 или максимальное номинальное напряжение постоянного тока фотоэлектрической системы, для установки в которую предназначены фотоэлектрические модули, в зависимости от того, какое больше |
Да | 1,35 x (1000 + удвоенное максимальное номинальное напряжение постоянного тока фотоэлектрической системы, для установки в которую предназначены фотоэлектрические модули) | ||
II | Нет | 2000 + четырехкратное максимальное номинальное напряжение постоянного тока фотоэлектрической системы, для установки в которую предназначены фотоэлектрические модули | 500 или максимальное номинальное напряжение постоянного тока фотоэлектрической системы, для установки в которую предназначены фотоэлектрические модули, в зависимости от того, какое больше |
Да | 1,35 x (2000 + четырехкратное максимальное номинальное напряжение постоянного тока фотоэлектрической системы, для установки в которую предназначены фотоэлектрические модули) | ||
III | Нет | 500 | 500 |
Да |
Рабочая поверхность испытуемого образца должна быть защищена от попадания на нее освещения, и испытуемый образец не должен быть подключен к какому-либо источнику питания, кроме измерительного прибора.
Примечание - В испытуемом образце с несколькими рабочими поверхностями от освещения должны быть защищены все рабочие поверхности.
1) Устанавливают перемычку между выводами испытуемого образца и соединяют их с положительным выходом прибора для измерения сопротивления изоляции.
2) Соединяют открытые металлические части испытуемого образца с отрицательным выходом измерительного прибора. Если у испытуемого образца отсутствует рама или она не проводит или плохо проводит ток, плотно оборачивают края образца проводящей фольгой. Соединяют все части фольги с отрицательным выходом измерительного прибора.
Фотоэлектрические модули, изготовленные по некоторым технологиям, могут быть чувствительными к статической поляризации, если модуль находится под положительным потенциалом на раме. В этом случае подключение прибора для измерения сопротивления изоляции к испытуемым образцам следует выполнять с противоположной полярностью, данные о чувствительности испытуемых образцов к статической поляризации должны быть предоставлены изготовителем и занесены в протокол испытаний.
3) Через 1 мин или более после выполнения этапа 2 со скоростью, не превышающей 500 В/с, увеличивают подаваемое измерительным прибором напряжение до значения, равного указанному в таблице 1, и поддерживают напряжение на этом уровне в течение 1 мин.
4) Снижают приложенное напряжение до нуля и устанавливают перемычку между выводами измерительного прибора для сброса остаточного напряжения испытуемого образца.
5) Определяют наличие следов пробоя изоляции или поверхностного пробоя. При обнаружении следов нарушения изоляции или поверхностного пробоя испытания прекращают и испытанный образец считают не выдержавшим испытания.
6) Убирают перемычку между выводами измерительного прибора.
7) Повторно подают напряжение на испытуемый образец: со скоростью, не превышающей 500 В/с, увеличивают подаваемое измерительным прибором напряжение до значения, указанного в таблице 1, и поддерживают напряжение на этом уровне в течение 2 мин.
8) Определяют сопротивление изоляции.
9) Снижают приложенное напряжение до нуля и устанавливают перемычку между выводами измерительного прибора для сброса остаточного напряжения испытуемого образца.
10) Убирают перемычку между выводами измерительного прибора и отсоединяют измерительное оборудование от испытуемого образца.
Проводят визуальный контроль по 4.1.
Испытанные образцы считают выдержавшими испытания, если:
- отсутствуют видимые функциональные повреждения по ГОСТ Р 56980.1-2022, раздел 8;
- при проведении испытания не было пробоя изоляции и поверхностного пробоя;
- у испытуемых образцов с площадью рабочей поверхности не более 0,1 м2 значение сопротивления изоляции не менее 400 МОм;
- у испытуемых образцов с площадью рабочей поверхности более 0,1 м2 произведение измеренного сопротивления изоляции на площадь поверхности испытуемого образца не менее 40 МОм·м2.
Испытание предназначено для определения температурных коэффициентов тока короткого замыкания, напряжения холостого хода и максимальной мощности.
Температурные коэффициенты определяют по ГОСТ Р МЭК 60891 при СУИ.
Полученные значения температурных коэффициентов испытуемых образцов верны при той энергетической освещенности, при которой проводились измерения. При других уровнях энергетической освещенности в значения температурных коэффициентов испытуемых образцов вносят поправку на отклонения энергетической освещенности (для испытуемых образцов с линейными характеристиками в соответствии с ГОСТ Р МЭК 60904-10 поправку вносят по ГОСТ Р МЭК 60891).
У двусторонних испытуемых образцов температурные коэффициенты такие же, как у односторонних при воздействии освещения на лицевую поверхность, полностью затеняющую тыльную поверхность образцов. Тыльная сторона должна быть закрыта таким образом, чтобы ее вклад был не более уровней, указанных для "необлученного фона" (см. [8]).
Если напряжение холостого хода или ток короткого замыкания невозможно измерить из-за встроенной в испытуемые образцы электроники, соответствующий температурный коэффициент должен быть указан как "не измеряемый из-за встроенной электроники". Напряжение холостого хода или ток короткого замыкания не должны определяться никаким другим методом, кроме прямого измерения, например экстраполяцией.
Примечание - Для модулей с линейными характеристиками в соответствии с ГОСТ Р МЭК 60904-10 температурные коэффициенты верны при энергетической освещенности в диапазоне +/- 30% значения энергетической освещенности, при которой проводились измерения.
Проверяют соответствия полученных значений температурных коэффициентов значениям, указанным в технической документации.
Испытание предназначено для предварительной оценки способности фотоэлектрического модуля противостоять в рабочем режиме воздействию внешней среды и выявить комплексное влияние внешних климатических факторов, ухудшающих характеристики модуля, которое невозможно определить в лабораторных условиях.
Примечание - При оценке срока службы фотоэлектрического модуля по результатам успешного прохождения этого испытания следует быть осторожным, поскольку сами испытания являются кратковременными, и изменения условий внешней среды при этих испытаниях могут быть представлены недостаточно, не отражать всех возможных условий эксплуатации, на применение в которых рассчитаны испытуемые фотоэлектрические модули. Эти испытания следует рассматривать как общее руководство или как указание на возможные проблемы.
a) Прибор для измерения энергетической экспозиции с точностью не менее +/- 5%.
b) Открытая стойка, позволяющая устанавливать испытуемый образец и прибор для измерения энергетической экспозиции в соответствии с требованиями 4.5.3. Стойка должна быть теплоизолирована от испытуемого образца и обеспечивать условия для свободного отвода тепла с его поверхностей.
c) Средства установки испытуемого образца в соответствии с рекомендациями изготовителя - вместо открытой стойки, с учетом требований перечисления b), если конструкция испытуемого образца не предназначена для установки на открытой стойке.
d) Прибор для проверки копланарности рабочих поверхностей эталонного прибора и испытуемого образца, в пределах угла +/- 2°.
e) Активная нагрузка, обеспечивающая работу испытуемого образца вблизи точки его максимальной мощности, или электронное устройство слежения за точкой максимальной мощности. Значение нагрузки должно быть внесено в протокол испытаний.
1) Устанавливают испытуемый образец в соответствии с требованиями изготовителя на открытой стойке или указанным изготовителем образом.
Испытуемый образец устанавливают под углом наклона рабочей поверхности к горизонту, равным широте местности +/- 5°, ориентируя на юг.
Значение угла наклона испытуемого образца должно быть внесено в протокол испытаний.
2) Устанавливают прибор для измерения энергетической экспозиции в плоскости лицевой рабочей поверхности испытуемого образца в пределах 0,3 м от него таким образом, чтобы рабочие поверхности измерительного прибора и испытуемого образца были копланарны.
3) Устанавливают все рекомендуемые изготовителем средства защиты от местного перегрева.
4) Подключают к испытуемому образцу нагрузку или устройство слежения за точкой максимальной мощности.
5) Подвергают испытуемый образец выдержке при естественном солнечном освещении с суммарной энергетической экспозицией 60 кВт·ч/м2.
В течение выдержки необходимо следить, чтобы испытуемые образцы не подвергались загрязнению, которое может оказать влияние на результаты испытаний, и очищать испытуемые образцы по мере необходимости, но не реже одного раза в неделю.
Для оценки изменения состояния испытанного образца проводят следующие испытания:
- визуальный контроль по 4.1;
- испытание изоляции на влагостойкость по 4.12.
Испытанные образцы считают выдержавшими испытания, если:
- отсутствуют видимые функциональные повреждения по ГОСТ Р 56980.1-2022, раздел 8;
- снижение максимальной выходной мощности не превышает 5% от значения, полученного при начальных измерениях;
- сопротивление изоляции, измеренное при проведении испытания изоляции на влагостойкость, отвечает требованиям 4.12.5.
Испытания предназначены для проверки способности фотоэлектрического модуля выдерживать локальный перегрев.
Метод испытаний заключается в определении максимально нагретого фотоэлектрического элемента при нормальном режиме работы испытуемого образца, создании состояния выделения в этом элементе максимальной тепловой энергии и выдержке его в этом состоянии.
Хотя в этих испытаниях абсолютная температура и относительное снижение максимальной мощности не являются критериями успешных испытаний, для гарантии безопасной работы фотоэлектрического модуля испытания проводят при наиболее жестких условиях местного перегрева.
В зависимости от технологии изготовления фотоэлектрических элементов и фотоэлектрических модулей установлено два варианта проведения испытаний. Первый вариант (см. 4.6.5) обычно применяют для испытаний фотоэлектрических модулей, изготовленных из отдельных фотоэлектрических элементов, выполненных на полупроводниковой пластине, например для фотоэлектрических модулей на основе кристаллического кремния. Для наиболее распространенных монолитных тонкопленочных фотоэлектрических модулей (CdTe, CIGS, a-Si и пр.) испытания проводят по второму варианту (см. 4.6.6).
Двусторонние фотоэлектрические модули также испытывают по 4.6.5.
Области местного перегрева возникают в фотоэлектрическом модуле, когда протекающий через него рабочий ток превышает ток короткого замыкания затененного или поврежденного фотоэлектрического элемента или нескольких фотоэлектрических элементов. Такой(ие) фотоэлектрический(е) элемент(ы) попадает(ют) под обратное смещение и выделяет(ют) тепло, что может привести к его (их) перегреву.
Перегрев может быть вызван, например, повреждением или рассогласованием параметров фотоэлектрических элементов, повреждением соединений, частичным затенением или загрязнением.
Если выделение тепла достаточно велико или достаточно сконцентрировано, фотоэлектрические элементы с обратным смещением могут перегреваться, что может привести к плавлению пайки, ухудшению герметизации, тыльного или лицевого покрытий, растрескиванию подложки и покрытий. Для предотвращения повреждений вследствие местного перегрева устанавливают шунтирующие диоды.
Обратные характеристики фотоэлектрических элементов могут существенно отличаться. С точки зрения особенностей местного перегрева различают два типа фотоэлектрических элементов: элементы с высоким шунтирующим сопротивлением, у которых обратные характеристики ограничены по напряжению, и элементы с низким шунтирующим сопротивлением, у которых обратные характеристики ограничены по току.
В случае фотоэлектрических элементов с низким шунтирующим сопротивлением:
- наихудший вариант затенения происходит при полном затенении фотоэлектрического элемента (или его большей части);
- отказы вследствие местного перегрева происходят очень быстро, поскольку нагрев носит локальный характер;
- низкое шунтирующее сопротивление часто образуется за счет возникновения локальных проводимостей. В этом случае местный перегрев обусловлен большими токами в небольшой области. Поскольку это явление носит локальный характер, характеристики фотоэлектрических элементов такого типа имеют большой разброс. При образовании обратного смещения фотоэлектрические элементы с низким шунтирующим сопротивлением имеют высокую вероятность функционирования при температурах перегрева.
Основной технической проблемой при проведении испытаний фотоэлектрических модулей на основе элементов с низким шунтирующим сопротивлением является выявление элементов с наименьшим шунтирующим сопротивлением и определение после этого наихудшего варианта затенения таких элементов. Особенности проведения этой части испытаний определяются технологией изготовления испытуемых фотоэлектрических модулей и установлены в ГОСТ Р 56980.1.3 и ГОСТ Р 56980.1.4 (см. также [1] и [2]).
В случае фотоэлектрических элементов с высоким шунтирующим сопротивлением:
- наихудший вариант затенения образуется при частичном затенении элемента;
- повреждение перехода и возникновение высокой температуры происходит медленнее. Для образования наихудших условий местного перегрева затенение должно сохраняться в течение некоторого времени.
Порядок проведения испытаний на стойкость к местному перегреву определяется наличием, количеством и размещением шунтирующих диодов в испытуемом образце, технологией изготовления фотоэлектрических модулей и типом соединения фотоэлектрических элементов, защищаемых одним шунтирующим диодом.
Шунтирующие диоды, если они установлены, ограничивают обратное напряжение охватываемых ими фотоэлектрических элементов. Поэтому следует проводить отдельно испытание каждой части электрической цепи испытуемого образца, охватываемой одним диодом.
Максимальное внутреннее рассеяние энергии в шунтирующем диоде возникает при коротком замыкании участка цепи, защищенного этим диодом. Обычно для единичного модуля состояние максимально возможного внутреннего рассеяния возникает, когда один диод охватывает всю электрическую цепь модуля, а для модуля, соединенного с другими модулями в фотоэлектрической системе, - когда один диод охватывает максимально возможное количество последовательно соединенных модулей. Поэтому, если в испытуемом образце не установлены шунтирующие диоды, их следует устанавливать исходя из максимального допустимого количества фотоэлектрических модулей в фотоэлектрической цепочке, указанного изготовителем.
Соединения фотоэлектрических элементов в фотоэлектрическом модуле разделяют на три основных типа:
- последовательное соединение всех фотоэлектрических элементов модуля, защищенное одним или несколькими шунтирующими диодами (s фотоэлектрических элементов на рисунке 2);
- параллельно-последовательное соединение, защищенное одним шунтирующим диодом, т.е. последовательное соединение s групп, состоящих из p параллельно соединенных фотоэлектрических элементов каждая (рисунок 3);
- последовательно-параллельное соединение, защищенное одним шунтирующим диодом, т.е. параллельное соединение p цепочек, состоящих из s последовательно соединенных фотоэлектрических элементов каждая (рисунок 4).
Примечание - В международной практике также приняты следующие обозначения указанных типов соединений фотоэлектрических элементов: последовательное соединение - тип S; параллельно-последовательное соединение - тип PS; последовательно-параллельное соединение - тип SP.
фотоэлектрических элементов (фотоэлектрическая цепочка),
защищаемого одним или тремя шунтирующими диодами
фотоэлектрических элементов, защищаемое одним шунтирующим
диодом
фотоэлектрических элементов, защищаемое одним шунтирующим
диодом
В общем случае приведенных ниже вариантов испытаний для трех основных типов соединений фотоэлектрических элементов достаточно для того, чтобы оценить стойкость к местному перегреву практически всех вариантов фотоэлектрических модулей. Другие типы соединений фотоэлектрических элементов могут быть сведены к одному из указанных трех типов.
a) Источник освещения: естественное солнечное освещение или имитатор солнечного излучения непрерывного действия класса BBB или выше, отвечающий требованиям ГОСТ Р МЭК 60904-9 и обеспечивающий энергетическую освещенность рабочей поверхности испытуемого образца как минимум в диапазоне от 800 до 1100 Вт/м2.
При выявлении элементов, наиболее подверженных местному перегреву (наихудшего случая затенения), для измерения ВАХ может быть использован импульсный имитатор солнечного излучения, отвечающего указанным выше требованиям.
При испытании двусторонних образцов источник освещения, используемый для длительного воздействия, должен быть с регулируемыми уровнями энергетической освещенности и/или обеспечивать одновременно заданную энергетическую освещенность на тыльной поверхности испытуемых образцов таким образом, чтобы можно было обеспечить условия стандартной двусторонней энергетической освещенности образцов (1000 Вт/м2 на лицевой поверхности и 135 Вт/м2 на тыльной поверхности испытуемого образца одновременно, способы создания такой освещенности - см. [8]). Отклонение энергетической освещенности как при одностороннем, так и при двустороннем освещении образцов не должно быть более +/- 50 Вт/м2.
b) Эталонный фотоэлектрический прибор, отвечающий требованиям ГОСТ Р МЭК 60904-2 с учетом изменений, повышающих точность и достоверность результатов измерений (см. [11]). Характеристики эталонного фотоэлектрического прибора должны соответствовать характеристикам испытуемого образца в требуемых диапазонах энергетической освещенности, спектрального распределения и температур.
Спектральная чувствительность эталонного прибора должна соответствовать спектральной чувствительности испытуемого образца либо следует выполнить коррекцию на несовпадение спектральной чувствительности в соответствии с ГОСТ Р МЭК 60904-7 (см. также [14]).
В диапазоне энергетической освещенности, в котором проводятся испытания, эталонный прибор должен иметь линейные характеристики в соответствии с ГОСТ Р МЭК 60904-10.
Если испытание проводят при естественном солнечном освещении, эталонный прибор должен быть эталонным модулем того же размера и выполненным по той же технологии, что и испытуемый образец.
Примечание - Эталонный прибор считается совпадающим по спектральным характеристикам с испытуемым образцом, если технология изготовления его элементов, конструктивные особенности и герметизация такие же, как у испытуемого образца. В противном случае в протокол испытаний следует внести данные о несовпадении спектральных характеристик.
c) Средства установки испытуемого образца в соответствии с рекомендациями изготовителя, если необходимо.
d) Двухосевая система слежения, обеспечивающая слежение за солнцем таким образом, чтобы поступающее излучение было перпендикулярно рабочим поверхностям образца и эталонного прибора в пределах угла падения +/- 5°, если испытание проводят при естественном солнечном освещении.
e) Прибор для проверки копланарности рабочих поверхностей эталонного прибора и типичного ФМ, рядом с которым устанавливают эталонный прибор, в пределах угла +/- 2°.
f) Средства для измерения температуры испытуемого образца и, если необходимо, эталонного прибора с точностью не менее +/- 1 °C и повторяемостью +/- 0,5 °C.
g) Тепловизор, а также иные средства измерения температуры фотоэлектрических элементов, если необходимо. Разрешение камеры должно позволять фиксировать изменения температуры в пределах одного фотоэлектрического элемента.
h) Средства поддержания температуры испытуемого образца на уровне (25 +/- 2) °C или на уровне выбранного значения температуры для определения наихудших условий затенения, а также на уровне (55 +/- 15) °C при длительном освещении в конце испытаний.
Если необходимо, средства поддержания температуры эталонного прибора, с точностью +/- 1 °C и повторяемостью +/- 0,5 °C.
i) Средства для измерения температуры окружающей среды с точностью не менее +/- 1 °C и повторяемостью +/- 0,5 °C.
j) Средства затенения фотоэлектрических элементов в испытуемых образцах (набор непрозрачных экранов и т.п.). Требования к средствам затенения определяются технологией изготовления испытуемого образца и указаны в ГОСТ Р 56980.1.3 или ГОСТ Р 56980.1.4 (см. также [1] и [2]).
k) Прибор для измерения тока.
l) Средства измерения ВАХ испытуемого образца помимо указанных выше.
4.6.5 Испытание фотоэлектрических модулей, изготовленных из фотоэлектрических элементов на полупроводниковой пластине
4.6.5.1 Общие положения
Если шунтирующие диоды можно удалить, фотоэлектрические элементы с шунтирующими повреждениями могут быть выявлены с помощью приложения к фотоэлектрической цепочке обратного смещения и регистрации с помощью тепловизора области/областей перегрева.
Если имеется доступ к электрическим цепям испытуемого образца, токи через затененный фотоэлектрический элемент могут быть измерены непосредственно [см. 4.6.5.2, этап 11, вариант a)].
Если у испытуемых образцов шунтирующие диоды не могут быть сняты или отсутствует доступ к электрическим цепям испытуемого образца, применяют неразрушающий метод, основанный на получении семейства ВАХ испытуемого образца при поочередном полном затенении каждого фотоэлектрического элемента (см. 4.6.5.2).
Если испытание выполняют с использованием замещающих образцов, такие образцы должны иметь такое же количество фотоэлектрических элементов на один шунтирующий диод, что и полноразмерный фотоэлектрический модуль. В зависимости от результирующего размера выборки это требование может повлиять на выбор источника излучения, необходимого для проведения испытания.
Для всех технологий выбор размеров и местоположения затенения, освещение испытуемых образцов осуществляется в диапазоне энергетической освещенности от 800 до 1100 Вт/м2.
1) Устанавливают все средства защиты испытуемого образца от местного перегрева, рекомендованные изготовителем (не считая шунтирующих диодов).
2) Устанавливают средства измерения температуры испытуемого образца (например, см. 4.2.3).
3) Устанавливают испытуемый образец в соответствии с рекомендациями изготовителя и устанавливают средства поддержания температуры испытуемого образца, если необходимо.
Если испытания проводят при естественном солнечном освещении, устанавливают испытуемый образец и эталонный прибор на двухосевой системе слежения таким образом, чтобы рабочие поверхности испытуемого образца и эталонного прибора были копланарны.
4) Устанавливают и подключают измерительные приборы.
5) Если необходимо, устанавливают требуемое значение температуры испытуемого образца.
При выборе фотоэлектрических элементов и наихудших условий затенения (этапы 6, 7, 11) с использованием импульсного имитатора солнечного излучения температура испытуемого образца должна составлять (25 +/- 5) °C. При проведении испытания с использованием имитатора солнечного излучения непрерывного действия и при естественном солнечном освещении достаточно поддерживать выбранное значение температуры испытуемого образца с отклонением в пределах +/- 5 °C.
В течение всего времени проведения испытаний температура испытуемых образцов должна оставаться на указанном уровне.
6) После того как температура испытуемого образца стабилизировалась, освещают его рабочую поверхность при выбранном значении суммарной энергетической освещенности в диапазоне от 800 до 1100 Вт/м2 с отклонением в пределах +/- 2% от выбранного значения с помощью одного из источников освещения, указанных в 4.6.4. Измеряют ВАХ незатененного испытуемого образца и определяют ток испытуемого образца в точке максимальной мощности Imax.
При испытании двусторонних образцов ВАХ незатененного испытуемого образца измеряют при выбранных значениях энергетической освещенности в диапазоне (1000 +/- 50) Вт/м2 для лицевой поверхности и (135 +/- 50) Вт/м2 для тыльной поверхности образца одновременно или при выбранном значении энергетической освещенности в диапазоне +/- 50 Вт/м2 от эквивалентной освещенности, если освещают одну поверхность (см. [8]).
7) По очереди полностью затеняют все фотоэлектрические элементы, измеряют ВАХ при тех же условиях и получают итоговое семейство кривых, подобно приведенным на рисунке 5. Кривая с наибольшим током утечки (при наибольшем нагреве элемента) в точке включения шунтирующего диода соответствует затенению фотоэлектрического элемента с наименьшим шунтирующим сопротивлением. Кривая с наименьшим током утечки в точке включения шунтирующего диода соответствует затенению фотоэлектрического элемента с наибольшим шунтирующим сопротивлением.
затенением разных фотоэлектрических элементов
Примечание - Для последовательно-параллельного соединения фотоэлектрических элементов, защищаемых одним шунтирующим диодом, искажение ВАХ испытуемого образца добавляется к частичной ВАХ полностью освещенной фотоэлектрической цепочки и, таким образом, ВАХ при затенении отдельных элементов начинается не от значения напряжения холостого хода испытуемого образца.
При испытании двусторонних образцов, если используется двустороннее освещение, как передняя, так и задняя стороны элемента должны быть полностью затенены. Если используется эквивалентное одностороннее освещение, затемнение сзади выполняется в соответствии с требованием необлученного фона (см. [8]).
8) Выбирают ближайший к краю фотоэлектрический элемент с наименьшим шунтирующим сопротивлением, т.е. тот, у которого наблюдается наибольший ток утечки.
9) Выбирают еще два фотоэлектрических элемента с наибольшими токами утечки (в дополнение к выбранному на этапе 8).
В двусторонних образцах также выбирают элементы, которые постоянно затенены конструкцией (например, распределительной коробкой или задними направляющими).
11) Для каждого из выбранных на этапах 8 - 10 фотоэлектрических элементов определяют наихудшие условия затенения (условия наибольшего нагрева) при помощи одного из следующих способов:
a) если имеется доступ к электрическим цепям испытуемого образца, закорачивают его выводы и присоединяют средства измерения тока таким образом, чтобы измерялся только ток цепочки с выбранным(и) фотоэлектрическим(и) элементом(ами). Освещают рабочую поверхность испытуемого образца при выбранных на этапе 6 значениях энергетической освещенности и температуры испытуемого образца. Изменяя затенение поочередно каждого из выбранных фотоэлектрических элементов, определяют тот уровень затенения, при котором ток через затененный элемент равен току незатененного испытуемого образца Imax, определенному на этапе 6. Такое затенение является наихудшим случаем затенения для этого фотоэлектрического элемента;
b) если доступ к электрическим цепям испытуемого образца невозможен, первый способ - получение семейства ВАХ для различного уровня затенения выбранных элементов (см. рисунок 6). Рабочую поверхность испытуемого образца освещают при выбранных на этапе 6 значениях энергетической освещенности и температуры испытуемого образца, снимают ВАХ фотоэлектрического модуля при разных уровнях затенения фотоэлектрического элемента. По полученному семейству ВАХ определяют условия наихудшего затенения этого элемента: при наихудшем затенении в точке, в которой происходит включение шунтирующего диода, ток через затененный фотоэлектрический элемент равен току незатененного испытуемого образца в точке максимальной мощности Imax, определенному на этапе 6 [кривая c) на рисунке 6].
при различных уровнях затенения элемента
Если шунтирующий диод не включается, когда выбранный элемент полностью затенен, наихудшим случаем затенения является случай полного затенения элемента;
c) если доступ к электрическим цепям испытуемого образца невозможен, второй способ определения наихудшего случая затенения - измерение температуры модуля. Закорачивают выводы испытуемого образца. Освещают рабочую поверхность испытуемого образца при энергетической освещенности от 800 до 1000 Вт/м2. Выполняют 100%-ное затенение фотоэлектрического элемента и измеряют его температуру. Уменьшают затенение на 10%. Если температура снижается, то 100%-ное затенение является наихудшим условием затенения. Если температура растет или остается той же, продолжают уменьшать затенение с шагом 10% до того момента, когда температура начнет снижаться. Возвращаются на шаг назад и принимают предыдущий уровень затенения в качестве наихудшего варианта затенения.
Если шунтирующий диод не включается, когда выбранный элемент полностью затенен, наихудшим случаем затенения является случай полного затенения элемента;
d) для фотоэлектрического элемента, выбранного на этапе 8, дополнительно определяют положение экрана при наихудшем затенении. Закорачивают выводы испытуемого образца (если это не было сделано ранее), полностью затеняют фотоэлектрический элемент и определяют наиболее горячую область с помощью тепловизора. Эта область является наихудшим вариантом затенения. Если возможно, следует убедиться, что наиболее горячая область расположена в освещенной зоне во время длительного воздействия освещением на этапе 15.
12) Закорачивают выводы испытуемого образца, если это не было сделано ранее.
13) Затеняют один из выбранных фотоэлектрических элементов по наихудшему варианту, определенному на этапе 11.
Если на этапе 15 для двустороннего модуля будет использоваться двухстороннее освещение, элемент должен иметь идентичный экран на тыльной поверхности.
14) Устанавливают температуру испытуемого образца на уровне (55 +/- 15) °C.
15) Освещают рабочую поверхность испытуемого образца при энергетической освещенности (1000 +/- 100) Вт/м2 в течение 1 ч, сохраняя условия наихудшего затенения элемента и непрерывно контролируя его температуру с помощью тепловизора. Если по прошествии 1 ч температура затененного элемента все еще возрастает, продолжают освещать испытуемый образец в течение 5 ч.
При испытании двусторонних образцов освещают одновременно лицевую поверхность образца при энергетической освещенности в диапазоне (1000 +/- 50) Вт/м2 и тыльную поверхность при энергетической освещенности в диапазоне (135 +/- 50) Вт/м2 для образца или освещают одну поверхность при эквивалентной освещенности +/- 50 Вт/м2 (см. [8]).
В течение всего времени воздействия освещением поддерживают температуру испытуемого образца на уровне (55 +/- 10) °C.
16) Последовательно повторяют этапы 13 - 15 для остальных фотоэлектрических элементов, выбранных на этапах 8 - 10.
Фиксируют выбранные фотоэлектрические элементы, максимальную установившуюся температуру фотоэлектрического элемента и область с максимальной температурой в протоколе испытаний.
4.6.6.1 Общие положения
На электрические характеристики тонкопленочных фотоэлектрических модулей может отрицательно повлиять даже кратковременное затенение. Следует уделить особое внимание тому, чтобы эффекты, вызванные созданием наихудших условий затенения и проведением испытания, были четко разделены. С этой целью определяют значения максимальной мощности испытуемого образца Pmax1 и Pmax2.
Примечание - Обычно в электрические цепи тонкопленочных фотоэлектрических модулей с последовательным соединением фотоэлектрических элементов шунтирующие диоды не устанавливают. Поэтому обратное напряжение затененных элементов неограниченно и напряжение модуля может вызвать обратное смещение на группе элементов.
4.6.6.2 Последовательное соединение фотоэлектрических элементов
На рисунке 7 показан пример влияния на ВАХ монолитного тонкопленочного фотоэлектрического модуля с последовательным соединением фотоэлектрических элементов полного затенения разного количества фотоэлектрических элементов. Мощность, рассеиваемая в затененных элементах, равна произведению тока фотоэлектрического модуля на напряжение, падающее на группе затененных элементов. При всех уровнях энергетической освещенности наибольшая мощность рассеивается, когда напряжение группы затененных элементов равно напряжению, образующемуся на остальных освещенных элементах фотоэлектрического модуля (условие наихудшего затенения). В этом случае ток короткого замыкания затененного модуля равен току незатененного модуля в точке максимальной мощности.
Примечание - В этом примере наихудшим затенением является одновременное затенение четырех элементов.
с последовательным соединением фотоэлектрических элементов
при затенении разного количества элементов
Испытание проводят следующим образом.
1) Устанавливают все средства защиты испытуемого образца от местного перегрева, рекомендованные изготовителем (не считая шунтирующих диодов).
2) Устанавливают средства измерения температуры испытуемого образца (см., например, 4.2.3).
3) Устанавливают испытуемый образец в соответствии с рекомендациями изготовителя и устанавливают средства поддержания температуры испытуемого образца, если необходимо.
Если испытания проводят при естественном солнечном освещении, устанавливают испытуемый образец и эталонный прибор на двухосевой системе слежения таким образом, чтобы рабочие поверхности испытуемого образца и эталонного прибора были копланарны.
4) Устанавливают и подключают измерительные приборы.
5) Если необходимо, устанавливают требуемое значение температуры испытуемого образца.
При определении размеров экрана и области затенения (этапы 6, 8, 9) с использованием импульсного имитатора солнечного излучения температура испытуемого образца должна составлять (25 +/- 5) °C. При проведении испытания с использованием имитатора солнечного излучения непрерывного действия и при естественном солнечном освещении достаточно поддерживать выбранное значение температуры испытуемого образца с отклонением в пределах +/- 5 °C.
В течение всего времени проведения испытаний температура испытуемых образцов должна оставаться на указанном уровне.
6) После того как температура испытуемого образца стабилизировалась, освещают его рабочую поверхность при выбранном значении суммарной энергетической освещенности в диапазоне от 800 до 1100 Вт/м2 с отклонением в пределах +/- 2% от выбранного значения с помощью одного из источников освещения, указанных в 4.6.4.
Измеряют ВАХ незатененного испытуемого образца и определяют максимальную мощность Pmax1, ток испытуемого образца в точке максимальной мощности Imax1 и диапазон тока в точке максимальной мощности (Imin < I < Imax), где Imax - ток в точке максимальной мощности незатененного испытуемого образца, Imin = 0,95 Imax. Этот диапазон будет допустимым диапазоном тока в точке максимальной мощности для испытаний I(*).
7) Закорачивают выводы испытуемого образца.
С одного края испытуемого образца при помощи непрозрачного экрана полностью затеняют один фотоэлектрический элемент и измеряют ток короткого замыкания. Перемещая экран параллельно элементам, пошагово увеличивают затененную область (количество затененных элементов) и измеряют ток короткого замыкания.
Измерения проводят при значениях суммарной энергетической освещенности и температуры испытуемого образца, при которых измеряли ВАХ незатененного образца на этапе 6. Отклонение суммарной энергетической освещенности от выбранного значения должно находиться в пределах +/- 2%.
Затененную область увеличивают до тех пор, пока ток короткого замыкания не попадет в диапазон тока максимальной мощности незатененного испытуемого образца I(*). В этом случае в выделенной группе элементов рассеивается наибольшая мощность (см. рисунок 7), и ширина экрана для этого случая будет шириной экрана для дальнейшего проведения испытания.
Максимальный размер шага между измерениями тока короткого замыкания равен ширине фотоэлектрического элемента.
Минимальная ширина экрана составляет две ширины элемента (с промежутком между ними). Если для получения тока в указанном диапазоне требуется затенение менее двух элементов, ширину экрана фиксируют на этом уровне и прекращают перемещение экрана. Если затенение n элементов приводит к слишком большому току, а затенение n + 1 элементов - к слишком низкому, должна быть выбрана меньшая из двух вариантов ширина экрана (т.е. когда затенено n элементов).
9) Медленно перемещают экран установленной выше ширины перпендикулярно к направлению перемещения испытуемого образца на предыдущем этапе и регистрируют ток короткого замыкания на каждом шаге. Экран должен быть расположен относительно сторон испытуемого образца так же, как и на предыдущем шаге.
Измерения проводят при значениях суммарной энергетической освещенности и температуры испытуемого образца, при которых измеряли ВАХ незатененного образца на этапе 6. Отклонение суммарной энергетической освещенности от выбранного значения должно находиться в пределах +/- 2%.
Если при каком-то положении экрана значение тока короткого замыкания будет ниже диапазона тока максимальной мощности незатененного испытуемого образца I(*), уменьшают площадь экрана с шагом в один фотоэлектрический элемент до тех пор, пока ток короткого замыкания снова не окажется в диапазоне I(*).
Максимальный размер шага между измерениями тока короткого замыкания равен ширине экрана. Таким образом, каждый фотоэлектрический элемент в испытуемом образце будет затенен в процессе измерений.
Если при каком-то положении экрана его ширина будет равна минимально допустимому значению - ширине двух фотоэлектрических элементов (плюс промежуток между ними), его размер больше не уменьшают и перемещение экрана прекращают. Если затенение n элементов приводит к слишком большому току, а затенение n + 1 элементов - к слишком низкому, должна быть выбрана меньшая из двух вариантов ширина экрана (т.е. когда затенено n элементов).
Полученные размеры экрана не допускается увеличивать при дальнейшем проведении испытания.
Окончательные размеры экрана определяют минимальную площадь затенения, создающего условия наихудшего затенения.
10) Удаляют экран и осматривают испытуемый образец.
Примечание - Функционирование элементов при обратном смещении в измерениях на этапах 8 и 9 может вызвать повреждение переходов и появление видимых пятен, разбросанных по поверхности испытуемого образца. Эти дефекты могут привести к снижению максимальной мощности.
11) Повторяют измерение ВАХ испытуемого образца при тех же условиях по суммарной энергетической освещенности и температуре испытуемого образца, что и на этапе 6, и определяют максимальную мощность Pmax2.
12) Закорачивают выводы испытуемого образца. Подключают приборы измерения тока, если они не подключены.
13) Помещают экран, размер которого определен на этапах 8 и 9, на предполагаемую область наихудшего затенения на поверхности испытуемого образца, определенную на этих этапах.
14) Этап проводят при естественном солнечном освещении или используя имитатор солнечного излучения непрерывного действия.
Стабилизируют температуру испытуемого образца в пределах +/- 5 °C.
Устанавливают температуру испытуемого образца на уровне (55 +/- 15) °C и освещают его рабочую поверхность при суммарной энергетической освещенности (1000 +/- 100) Вт/м2.
Регистрируют значение тока короткого замыкания испытуемого образца и при необходимости регулируют размер и положение экрана так, чтобы испытуемый образец находился в состоянии рассеяния наибольшей мощности, т.е. чтобы ток короткого замыкания испытуемого образца находился в диапазоне тока в точке максимальной мощности незатененного испытуемого образца I(*). Если значение тока короткого замыкания становится ниже нижнего предельного значения диапазона Imin, уменьшают ширину экрана с шагом в один элемент, пока значение тока короткого замыкания не превысит Imin. Если экран уже имеет минимальную ширину (равную ширине двух фотоэлектрических элементов с промежутком между ними), регулировку не проводят.
15) Поддерживают эти условия освещения в течение одного часа, регистрируя значение тока короткого замыкания испытуемого образца и при необходимости корректируя положение экрана так, чтобы ток короткого замыкания испытуемого образца оставался в диапазоне I(*).
16) Определяют наиболее горячую область на затененных элементах и ее температуру с помощью тепловизора.
Фиксируют полученную температуру, положение наиболее горячей области на испытуемом образце и ее размеры в протоколе испытаний.
4.6.6.3 Последовательно-параллельное соединение фотоэлектрических элементов
Испытание проводят следующим образом.
1) Устанавливают все средства защиты испытуемого образца от местного перегрева, рекомендованные изготовителем (не считая шунтирующих диодов).
2) Устанавливают средства измерения температуры испытуемого образца (см., например, 4.2.3).
3) Устанавливают испытуемый образец в соответствии с рекомендациями изготовителя и устанавливают средства поддержания температуры испытуемого образца, если необходимо.
Если испытания проводят при естественном солнечном освещении, устанавливают испытуемый образец и эталонный прибор на двухосевой системе слежения таким образом, чтобы рабочие поверхности испытуемого образца и эталонного прибора были копланарны.
4) Устанавливают и подключают измерительные приборы.
5) Если необходимо, устанавливают требуемое значение температуры испытуемого образца.
При определении размеров экрана и области затенения (этапы 6, 10, 11) с использованием импульсного имитатора солнечного излучения температура испытуемого образца должна составлять (25 +/- 5) °C. При проведении испытания с использованием имитатора солнечного излучения непрерывного действия и при естественном солнечном освещении достаточно поддерживать выбранное значение температуры испытуемого образца с отклонением в пределах +/- 5 °C.
В течение всего времени проведения испытаний температура испытуемых образцов должна оставаться на указанном уровне.
6) После того как температура испытуемого образца стабилизировалась, освещают его рабочую поверхность при выбранном значении суммарной энергетической освещенности в диапазоне от 800 до 1100 Вт/м2 с отклонением в пределах +/- 2% от выбранного значения с помощью одного из источников освещения, указанных в 4.6.4.
Измеряют ВАХ незатененного испытуемого образца и определяют максимальную мощность Pmax1, ток испытуемого образца в точке максимальной мощности Imax1 и диапазон тока в точке максимальной мощности (Imin < I < Imax), где Imax - ток в точке максимальной мощности незатененного испытуемого образца, Imin = 0,95 Imax. Этот диапазон будет допустимым диапазоном тока в точке максимальной мощности для испытаний I(*).
7) Определяют допустимый диапазон тока в точке максимальной мощности для испытаний I(*)
, (5)где p - количество параллельно соединенных фотоэлектрических цепочек в испытуемом образце (см. 4.6.3).
8) Выбирают фотоэлектрическую цепочку, которая, вероятно, будет нагреваться больше всего во время продолжительной нагрузки.
Если за частью рабочей поверхности испытуемого образца находится коммутационная коробка, выбирают ту цепочку, наибольшую часть которой сзади закрывает коммутационная коробка. Если область коммутационной коробки поровну разделена между двумя цепочками или испытуемый образец содержит две коммутационные коробки на двух разных цепочках, выбирают любую цепочку, которая находится перед половиной площади коммутационной коробки. Если коммутационная коробка не расположена за рабочей поверхностью испытуемого образца (например, коммутационная коробка расположена в области торцов), выбирают цепочку, которая находится перед самой большой частью паспортной таблички испытуемого образца. Если никакая часть коммутационной коробки или паспортной таблички не расположена позади рабочей поверхности испытуемого образца, выбирают цепочку, ближайшую к геометрическому центру образца.
9) Закорачивают выводы испытуемого образца.
С одного края испытуемого образца при помощи непрозрачного экрана полностью затеняют один фотоэлектрический элемент выбранной фотоэлектрической цепочки и измеряют ток короткого замыкания. Перемещая экран, пошагово увеличивают область затенения выбранной цепочки (количество затененных элементов) и измеряют ток короткого замыкания до тех пор, пока ток короткого замыкания не попадет в допустимый диапазон тока максимальной мощности незатененного испытуемого образца I(*). При этих условиях затенения в выделенной группе элементов рассеивается наибольшая мощность.
Измерения проводят при значениях суммарной энергетической освещенности и температуры испытуемого образца, при которых измеряли ВАХ незатененного образца на этапе 6. Отклонение суммарной энергетической освещенности от выбранного значения должно находиться в пределах +/- 2%.
Максимальный размер шага между измерениями тока короткого замыкания равен ширине фотоэлектрического элемента.
Минимальная ширина экрана составляет две ширины элемента (с промежутком между ними). Если для получения тока в указанном диапазоне требуется затенение менее двух элементов, ширину экрана фиксируют на этом уровне и прекращают перемещение экрана. Если затенение n элементов приводит к слишком большому току, а затенение n + 1 элементов - к слишком низкому, должна быть выбрана меньшая из двух вариантов ширина экрана (т.е. когда затенено n элементов).
11) Медленно перемещают экран установленной выше ширины перпендикулярно к направлению перемещения испытуемого образца на предыдущем этапе и регистрируют ток короткого замыкания на каждом шаге. Экран должен быть расположен относительно сторон испытуемого образца так же, как и на предыдущем шаге.
Измерения проводят при значениях суммарной энергетической освещенности и температуры испытуемого образца, при которых измеряли ВАХ незатененного образца на этапе 6. Отклонение суммарной энергетической освещенности от выбранного значения должно находиться в пределах +/- 2%.
Если при каком-то положении экрана значение тока короткого замыкания будет ниже диапазона тока максимальной мощности незатененного испытуемого образца I(*), уменьшают площадь экрана с шагом в один фотоэлектрический элемент до тех пор, пока ток короткого замыкания снова не окажется в диапазоне I(*).
Максимальный размер шага между измерениями тока короткого замыкания равен ширине экрана. Таким образом, каждый фотоэлектрический элемент в испытуемом образце будет затенен в процессе измерений.
Если при каком-то положении экрана его ширина будет равна минимально допустимому значению - ширине двух фотоэлектрических элементов (плюс промежуток между ними), его размер больше не уменьшают и перемещение экрана прекращают. Если затенение n элементов приводит к слишком большому току, а затенение n + 1 элементов - к слишком низкому, должна быть выбрана меньшая из двух вариантов ширина экрана (т.е. когда затенено n элементов).
Полученные размеры экрана не допускается увеличивать при дальнейшем проведении испытания.
Конечная ширина экрана вместе с его положением на фотоэлектрической цепочке, которая показывала наименьший ток каждой области, затененной экраном окончательной ширины, определяет минимальную площадь наихудшего затенения. Это размер экрана и область затенения, которые будут использоваться для определения стойкости к местному перегреву.
12) Удаляют экран и осматривают испытуемый образец.
Примечание - Функционирование элементов при обратном смещении в измерениях на этапах 10 и 11 может вызвать повреждение переходов и появление видимых пятен, разбросанных по поверхности испытуемого образца. Эти дефекты могут привести к снижению максимальной мощности.
13) Повторяют измерение ВАХ испытуемого образца при тех же условиях по суммарной энергетической освещенности и температуре испытуемого образца, что и на этапе 6, и определяют максимальную мощность Pmax2.
14) Закорачивают выводы испытуемого образца. Подключают приборы измерения тока, если они не подключены.
15) Помещают экран, размер которого определен на этапах 10 и 11, на предполагаемую область наихудшего затенения на поверхности испытуемого образца, определенную на этих этапах.
16) Этап проводят при естественном солнечном освещении или используя имитатор солнечного излучения непрерывного действия.
Стабилизируют температуру испытуемого образца в пределах +/- 5 °C.
Устанавливают температуру испытуемого образца на уровне (55 +/- 15) °C и освещают его рабочую поверхность при суммарной энергетической освещенности (1000 +/- 100) Вт/м2.
Регистрируют значение тока короткого замыкания испытуемого образца и при необходимости регулируют размер и положение экрана так, чтобы испытуемый образец находился в состоянии рассеяния наибольшей мощности, т.е. чтобы ток короткого замыкания испытуемого образца находился в диапазоне тока в точке максимальной мощности незатененного испытуемого образца I(*). Если значение тока короткого замыкания становится ниже нижнего предельного значения диапазона Imin, уменьшают ширину экрана с шагом в один элемент, пока значение тока короткого замыкания не превысит Imin. Если экран уже имеет минимальную ширину (равную ширине двух фотоэлектрических элементов с промежутком между ними), регулировку не проводят.
17) Поддерживают эти условия освещения в течение одного часа, регистрируя значение тока короткого замыкания испытуемого образца и при необходимости корректируя положение экрана так, чтобы ток короткого замыкания испытуемого образца оставался в диапазоне I(*).
18) Определяют наиболее горячую область на затененных элементах и ее температуру с помощью тепловизора.
Фиксируют полученную температуру, положение наиболее горячей области на испытуемом образце и ее размеры в протоколе испытаний.
4.6.6.4 Параллельно-последовательное соединение фотоэлектрических элементов
Если в модуле с параллельно-последовательным соединением фотоэлектрических элементов отсутствует доступ к внутренним электрическим цепям и он не содержит внутренних шунтирующих диодов или аналогичных средств защиты от обратного смещения, испытание проводят следующим образом.
1) Устанавливают все средства защиты испытуемого образца от местного перегрева, рекомендованные изготовителем (не считая шунтирующих диодов).
2) Устанавливают средства измерения температуры испытуемого образца (см., например, 4.2.3).
3) Устанавливают испытуемый образец в соответствии с рекомендациями изготовителя и устанавливают средства поддержания температуры испытуемого образца, если необходимо.
Если испытания проводят при естественном солнечном освещении, устанавливают испытуемый образец и эталонный прибор на двухосевой системе слежения таким образом, чтобы рабочие поверхности испытуемого образца и эталонного прибора были копланарны.
4) Устанавливают и подключают измерительные приборы.
5) Если необходимо, устанавливают требуемое значение температуры испытуемого образца.
При выполнении следующего этапа с использованием импульсного имитатора солнечного излучения температура испытуемого образца должна составлять (25 +/- 5) °C. При проведении испытания с использованием имитатора солнечного излучения непрерывного действия и при естественном солнечном освещении достаточно поддерживать выбранное значение температуры испытуемого образца с отклонением в пределах +/- 5 °C.
В течение всего времени проведения испытаний температура испытуемых образцов должна оставаться на указанном уровне.
6) После того как температура испытуемого образца стабилизировалась, освещают его рабочую поверхность при выбранном значении суммарной энергетической освещенности в диапазоне от 800 до 1100 Вт/м2 с отклонением в пределах +/- 2% от выбранного значения с помощью одного из источников освещения, указанных в 4.6.4.
Измеряют ВАХ испытуемого образца и определяют максимальную мощность Pmax1 и ток испытуемого образца в точке максимальной мощности Imax.
7) Закорачивают выводы испытуемого образца.
8) Устанавливают испытуемый образец на имитаторе солнечного излучения непрерывного действия (если он не был установлен ранее) и затеняют произвольным образом не менее 10% каждой группы параллельно соединенных фотоэлектрических элементов (см. рисунок 3).
9) Устанавливают температуру испытуемого образца на уровне (55 +/- 15) °C и освещают его рабочую поверхность при суммарной энергетической освещенности (1000 +/- 100) Вт/м2.
10) Увеличивают область затенения каждой группы, пока по показаниям тепловизора не будет достигнута максимальная температура.
Размер и положение затенения, при котором достигнута максимальная температура, соответствуют условиям наихудшего затенения.
11) Удаляют экран и осматривают испытуемый образец.
Примечание - Функционирование элементов при обратном смещении в измерениях на этапах 8 и 9 может вызвать повреждение переходов и появление видимых пятен, разбросанных по поверхности испытуемого образца. Эти дефекты могут привести к снижению максимальной мощности.
12) Повторяют измерение ВАХ испытуемого образца при тех же условиях по суммарной энергетической освещенности и температуре испытуемого образца, что и на этапе 6, и определяют максимальную мощность Pmax2.
13) Создают условия наихудшего затенения, определенные на этапе 10, и освещают рабочую поверхность испытуемого образца при суммарной энергетической освещенности (1000 +/- 100) Вт/м2 и температуре испытуемого образца (55 +/- 15) °C в течение 1 ч.
14) Определяют наиболее горячую область затененных элементов с помощью тепловизора.
Фиксируют полученную температуру, положение наиболее горячей области на испытуемом образце и ее размеры в протоколе испытаний.
Для оценки изменения состояния испытанного образца проводят следующие испытания:
- визуальный контроль по 4.1;
- определение сопротивления изоляции по 4.3;
- испытание изоляции на влагостойкость по 4.12.
Все повреждения, полученные при определении состояния наихудшего затенения, следует зафиксировать в протоколе испытаний.
Испытанные образцы считают выдержавшими испытания, если:
- отсутствуют видимые функциональные повреждения по ГОСТ Р 56980.1-2022, раздел 8, особенно плавление пайки, повреждение герметизации, отслоения и признаки прогара. При наличии серьезных повреждений, которые не подпадают под определение видимых функциональных повреждений в соответствии с ГОСТ Р 56980.1-2022, раздел 8, повторяют испытания с двумя дополнительными фотоэлектрическими элементами того же испытуемого образца. При отсутствии видимых функциональных повреждений вокруг этих двух элементов испытуемый образец считают выдержавшим испытания;
- испытанный образец сохраняет электрические характеристики работоспособного фотоэлектрического модуля. На результаты данного испытания не распространяются требования к предельно допустимой потере мощности, указанные в ГОСТ Р 56980.1-2022, пункт 7.2.2;
- сопротивление изоляции отвечает требованиям 4.3.6;
- сопротивление изоляции, измеренное при проведении испытания изоляции на влагостойкость, отвечает требованиям 4.12.5.
Испытания предназначены для обработки испытуемых образцов ультрафиолетовым (УФ) излучением и оценки стойкости к воздействию УФ-излучения материалов (пластиков и пр.) и изготовленных из них компонентов (защитные покрытия, клеевые соединения и пр.) испытуемого фотоэлектрического модуля, а также для выявления возможных повреждений испытуемых образцов, связанных с воздействием УФ-излучения.
a) Испытательная камера с регулируемой температурой с окном или приспособлениями для установки источника УФ-излучения, а также с приспособлениями для установки испытуемых образцов (если они предусмотрены в комплектации камеры). Камера должна обеспечивать поддержание температуры испытуемого образца на уровне (60 +/- 5) °C в сухих условиях.
b) Источник УФ-излучения, обеспечивающий однородность энергетической освещенности по плоскости рабочей поверхности испытуемого образца +/- 15%, имеющий незначительную энергетическую освещенность в спектре ниже 280 нм и позволяющий получить необходимые дозы излучения в требуемых диапазонах в соответствии с 4.7.3.
В протоколе испытаний следует указать используемый источник УФ-излучения и спектр ламп(ы), если ее (их) использовали.
c) Приспособления для установки испытуемых образцов в испытательной камере, обеспечивающие беспрепятственную циркуляцию окружающего воздуха, если они не поставляются вместе с испытательной камерой. Теплопроводность стоек и креплений должна быть настолько низкой, чтобы с практической точки зрения испытуемые образцы могли бы рассматриваться как теплоизолированные.
d) Средства измерения и регистрации температуры испытуемого образца с точностью не менее +/- 2 °C и повторяемостью +/- 0,5 °C. Если одновременно проводят испытания нескольких испытуемых образцов, достаточно регистрировать температуру только одного типичного испытуемого образца.
e) Приборы для измерения энергетической освещенности в плоскости рабочей поверхности испытуемого образца в спектральной полосе от 280 до 320 нм и от 320 до 385 нм с точностью не менее +/- 15%.
f) Активная нагрузка, при которой испытуемый образец работает вблизи точки максимальной мощности, если необходимо (см. 4.7.3, этап 3).
1) Используя откалиброванный радиометр, измеряют энергетическую освещенность в плоскости измерений и убеждаются, что:
- во время испытаний в диапазоне длин волн от 280 до 400 нм спектральная энергетическая освещенность никогда не будет превышать 250 Вт/м2, т.е. не будет более чем в пять раз превышать значение спектральной энергетической освещенности при стандартном спектральном распределении энергетической освещенности AM 1,5 (ГОСТ Р МЭК 60904-3-2013, таблица 1) или примерно пятикратный уровень естественного солнечного освещения;
- в диапазоне длин волн ниже 280 нм значимая энергетическая освещенность отсутствует;
- энергетическая освещенность однородна по всей плоскости измерений с отклонением в пределах +/- 15%.
2) Устанавливают датчики температуры на лицевой или тыльной стороне примерно в середине испытуемого образца таким образом, чтобы датчики не препятствовали поступлению УФ-излучения на рабочие поверхности фотоэлектрических элементов. Если одновременно проводят испытания нескольких испытуемых образцов, достаточно регистрировать температуру только одного характерного образца.
3) В зависимости от используемого источника УФ-излучения устанавливают перемычку между выводами испытуемого образца или подключают омическую нагрузку, при которой испытуемый образец работает вблизи точки максимальной мощности. Первый вариант следует использовать, если источник УФ-излучения имеет пренебрежимо малую спектральную энергетическую освещенность в видимой области спектра. Второй вариант рекомендуется при использовании источника УФ-излучения, 
часть излучения которого находится в видимой области спектра, в которой мощность испытуемых образцов равна или превышает 20% измеренной мощности при СУИ.
часть излучения которого находится в видимой области спектра, в которой мощность испытуемых образцов равна или превышает 20% измеренной мощности при СУИ.Устанавливают испытуемый образец в испытательной камере в плоскости измерений, проверенной на этапе 1, таким образом, чтобы его рабочая поверхность была перпендикулярна к падающему излучению.
Гибкие фотоэлектрические модули должны быть установлены в соответствии с рекомендациями изготовителя с указанными подложкой и клеем или средствами крепления/монтажа.
5) Закрывают испытательную камеру и включают нагрев. Убеждаются, что температура испытуемого образца установилась на уровне (60 +/- 5) °C.
6) Поддерживая температуру испытуемого образца в диапазоне (60 +/- 5) °C, воздействуют на испытуемый образец УФ-излучением с суммарной накопленной дозой не менее 15 кВт·ч/м2 в диапазоне длин волн между 280 и 400 нм, так чтобы от 3% до 10% дозы приходилось на диапазон длин волн между 280 и 320 нм.
7) Если испытывают двусторонние фотоэлектрические модули, переворачивают испытуемый образец и устанавливают его в испытательной камере таким образом, чтобы его тыльная сторона была перпендикулярна лучам падающего УФ-излучения.
Если необходимо, повторяют этап 4.
Для оценки изменения состояния испытанных образцов проводят следующие испытания:
- визуальный контроль по 4.1;
- испытание изоляции на влагостойкость по 4.12.
Испытанные образцы считают выдержавшими испытания, если:
- отсутствуют видимые функциональные повреждения по ГОСТ Р 56980.1-2022, раздел 8;
- сопротивление изоляции, измеренное при проведении испытания изоляции на влагостойкость, отвечает требованиям 4.12.5.
Испытание предназначено для проверки способности фотоэлектрического модуля противостоять перепадам температуры, термической усталости и другим факторам, обусловленным повторяющимися изменениями температуры.
a) Климатическая камера с автоматическим управлением температурой, средствами обеспечения внутренней циркуляции воздуха и средствами минимизации образования конденсата на испытуемом образце при проведении испытаний, обеспечивающая выполнение циклов изменения температуры с одним или несколькими испытуемыми образцами в соответствии с рисунком 8. Циркуляция воздуха вокруг испытуемых образцов должна обеспечивать выполнение температурных условий для каждого испытуемого образца.
образца и испытательного тока при термоциклировании
b) Приспособления для установки испытуемого образца в климатической камере, обеспечивающие беспрепятственную циркуляцию окружающего воздуха. Теплопроводность стоек и креплений должна быть настолько низкой, чтобы с практической точки зрения испытуемый образец можно было бы рассматриваться как теплоизолированный.
c) Средства измерения и регистрации температуры испытуемого образца с точностью не менее +/- 2,0 °C и повторяемостью +/- 0,5 °C.
d) Внешний источник питания для создания требуемого значения постоянного тока. Значение испытательного тока определяется технологией изготовления испытуемых фотоэлектрических модулей и установлено в ГОСТ Р 56980.1.3 или ГОСТ Р 56980.1.4 (см. также [1] и [2]).
e) Средства регистрации значений тока испытуемого образца.
f) Груз весом 5 Н, который можно прикрепить к электрическим выводам испытуемого образца.
1) Устанавливают датчики температуры в середине лицевой или тыльной поверхности испытуемого образца. Если одновременно проводят испытания нескольких испытуемых образцов, достаточно установить датчики только на одном типичном испытуемом образце.
2) Устанавливают испытуемый образец в климатическую камеру при комнатной температуре.
Гибкие фотоэлектрические модули должны быть установлены в соответствии с рекомендациями изготовителя с указанными подложкой и клеем или средствами крепления/монтажа.
К коммутационной коробке прикрепляют груз весом 5 Н, одним из двух способов:
- с помощью электрических выводов испытуемого образца так, чтобы он свешивался вертикально вниз от коммутационной коробки, как показано на рисунке 9a);
- с помощью провода, как показано на рисунке 9b). Этот провод не должен быть прикреплен к крышке коммутационной коробки.
Груз не должен ударить или повредить заднюю поверхность испытуемого образца и должен находиться на высоте не менее 5 см над полом или рамой испытуемого образца в начале испытания, как показано на рисунке 9b). Если у испытуемых фотоэлектрических модулей более одной одинаковой коммутационной коробки, груз устанавливают только на одной коммутационной коробке, как показано на рисунке 9b) или рисунке 9c). Однако если коммутационные коробки различаются по конструкции, груз должен быть установлен на каждую из них.
a) с помощью выводов испытуемого образца; b) с помощью
провода; c) только к одной коммутационной коробке
3) Подключают приборы для регистрации температуры к датчикам температуры.
4) Подключают испытуемый образец к внешнему источнику питания, соединив положительный вывод испытуемого образца с положительным выходом источника питания и соответственно подключив второй выход источника питания. Подключают прибор для регистрации тока.
5) Закрывают климатическую камеру и проводят требуемое количество циклов изменения температуры от (-40 +/- 2) °C до (+85 +/- 2) °C в соответствии с графиком на рисунке 8 (200 циклов в последовательности D или 50 циклов в последовательности C, см. ГОСТ Р 56980.1-2022, рисунок 2). Скорость изменения температуры между нижним и верхним пределами должна быть не более 100 °C/ч. Температура испытуемого образца на нижнем и верхнем пределах должна оставаться постоянной не менее 10 мин. Циркуляция воздуха вокруг испытуемых образцов должна обеспечивать выполнение температурных условий для каждого испытуемого образца.
Во время нагрева испытуемого образца от минус 40 °C до плюс 80 °C на него подают постоянный ток. Значение испытательного тока определяется технологией изготовления испытуемых фотоэлектрических модулей и установлено в ГОСТ Р 56980.1.3 или ГОСТ Р 56980.1.4 (см. также [1] и [2]) в процентах от измеренного значения тока испытуемого образца в точке максимальной мощности при СУИ. При температуре выше 80 °C, во время охлаждения и выдержки при температуре минус 40 °C на испытуемые образцы подают ток, равный не более 1,0% измеренного значения тока испытуемого образца в точке максимальной мощности при СУИ для проверки неразрывности цепей в испытуемых образцах. Если при нагреве от минус 40 °C температура поднимается слишком быстро (со скоростью более 100 °C/ч), начало подачи испытательного тока может быть отложено до тех пор, пока температура не достигнет минус 20 °C.
Время цикла не должно превышать 6 ч, за исключением испытуемых образцов с такой высокой теплоемкостью, что может потребоваться более длительное время испытаний.
В течение всего времени испытаний непрерывно регистрируют температуру испытуемых образцов, контролируют значение подаваемого тока, следят за появлением обрывов электрических цепей в каждом из одновременно испытуемых образцов и регистрируют результаты наблюдений.
Примечание - В испытуемых образцах с несколькими параллельно соединенными цепочками фотоэлектрических элементов обрыв в одной из цепочек приведет к снижению значения тока, но оно не будет равно нулю.
6) Вынимают испытуемые образцы из климатической камеры.
После восстановления в течение не менее 1 ч при температуре (23 +/- 5) °C и относительной влажности 75% в режиме холостого хода проводят следующие испытания:
- визуальный контроль по 4.1;
- измерение ВАХ и определение максимальной мощности по 4.2;
- испытание изоляции на влагостойкость по 4.12.
Испытанные образцы считают выдержавшими испытания, если:
- при проведении испытаний отсутствовали обрывы электрических цепей в испытуемых образцах;
- отсутствуют видимые функциональные повреждения по ГОСТ Р 56980.1-2022, раздел 8;
- снижение максимальной выходной мощности не превышает 5% значения, полученного при начальных измерениях;
- сопротивление изоляции, измеренное при проведении испытания изоляции на влагостойкость, отвечает требованиям 4.12.5.
Испытание предназначено для проверки способности фотоэлектрического модуля противостоять воздействию высокой температуры и высокой влажности с последующим охлаждением до нижнего предельного значения рабочей температуры. Эти испытания не являются испытаниями на стойкость к термическому удару.
a) Климатическая камера с автоматическим управлением температурой и влажностью, обеспечивающая выполнение циклов изменения температуры и влажности с одним или несколькими испытуемыми образцами в соответствии с рисунком 10. Циркуляция воздуха вокруг испытуемых образцов должна обеспечивать выполнение температурных условий для каждого испытуемого образца.
образца и влажности при термоциклировании
b) Приспособления для установки испытуемого образца в климатической камере, обеспечивающие беспрепятственную циркуляцию окружающего воздуха. Теплопроводность стоек и креплений должна быть настолько низкой, чтобы с практической точки зрения испытуемый образец можно было бы рассматривать как теплоизолированный.
c) Средства измерения и регистрации температуры испытуемого образца с точностью не менее +/- 2,0 °C и повторяемостью +/- 0,5 °C.
d) Внешний источник питания для создания требуемого значения постоянного тока. Значение испытательного тока определяется технологией изготовления испытуемых фотоэлектрических модулей и установлено в ГОСТ Р 56980.1.3 или ГОСТ Р 56980.1.4 (см. также [1] и [2]).
e) Средства регистрации значений тока испытуемого образца.
1) Устанавливают датчики температуры в середине лицевой или тыльной поверхности испытуемого образца. Если одновременно проводят испытания нескольких испытуемых образцов, достаточно установить датчики только на одном типичном испытуемом образце.
2) Устанавливают испытуемый образец в климатическую камеру при комнатной температуре.
Гибкие фотоэлектрические модули должны быть установлены в соответствии с рекомендациями изготовителя с указанными подложкой и клеем или средствами крепления/монтажа.
3) Подключают приборы для регистрации температуры к датчикам температуры.
4) Подключают испытуемый образец к внешнему источнику питания, соединив положительный вывод испытуемого образца с положительным выходом источника питания и соответственно подключив второй выход источника питания. Подключают прибор для регистрации тока.
5) Закрывают климатическую камеру и проводят 10 циклов испытаний в соответствии с графиком на рисунке 10. Отклонение температуры испытуемого образца на нижнем (минус 40 °C) и верхнем (плюс 85 °C) пределах не должно превышать +/- 2°. Относительная влажность при достижении максимального значения температуры 85 °C должна поддерживаться на уровне (85 +/- 5)%. Циркуляция воздуха вокруг испытуемого образца должна обеспечивать выполнение для него температурных условий.
В течение всего времени испытаний непрерывно регистрируют температуру испытуемых образцов, контролируют значение подаваемого тока, следят за появлением обрывов электрических цепей в каждом из одновременно испытуемых образцов и регистрируют результаты наблюдений.
Примечание - В испытуемых образцах с несколькими параллельно соединенными цепочками фотоэлектрических элементов разрыв в одной из цепочек приведет к снижению значения тока, но оно не будет равно нулю.
6) Вынимают испытуемый образец из климатической камеры.
После восстановления в течение не менее 1 ч при температуре (23 +/- 5) °C и относительной влажности 75% в режиме холостого хода проводят следующие испытания:
- визуальный контроль по 4.1;
- испытание изоляции на влагостойкость по 4.12.
Испытанные образцы считают выдержавшими испытания, если:
- при проведении испытаний отсутствовали обрывы электрических цепей в испытуемых образцах;
- отсутствуют видимые функциональные повреждения по ГОСТ Р 56980.1-2022, раздел 8;
- снижение максимальной выходной мощности не превышает 5% от значения, полученного при начальных измерениях;
- сопротивление изоляции, измеренное при проведении испытания изоляции на влагостойкость, отвечает требованиям 4.12.5.
Испытание предназначено для проверки способности испытуемых образцов противостоять проникновению влаги при ее длительном воздействии при высокой температуре.
Испытания проводят по ГОСТ Р МЭК 60068-2-78 при следующих условиях:
- температура испытуемых образцов .......................................... | (85 +/- 2) °C; |
- относительная влажность ......................................................... | (85 +/- 5)%; |
- продолжительность ................................................................... | 1000+48 ч. |
Гибкие фотоэлектрические модули должны быть установлены в соответствии с рекомендациями изготовителя с указанными подложкой и клеем или средствами крепления/монтажа.
Выводы испытуемых образцов должны быть закорочены, если в специальных требованиях к испытаниям фотоэлектрических модулей, изготовленных по данной технологии, установленных в ГОСТ Р 56980.1.3 или ГОСТ Р 56980.1.4 (см. также [1] и [2]), указано, что в процессе испытаний ток на испытуемые образцы не подается.
В течение всего времени испытаний непрерывно регистрируют температуру испытуемых образцов, контролируют значения подаваемого тока и напряжения, следят за появлением обрывов электрических цепей в каждом из одновременно испытуемых образцов (если это допустимо для данной технологии изготовления фотоэлектрических модулей) и регистрируют результаты наблюдений.
После восстановления в течение не менее 1 ч при температуре (23 +/- 5) °C и относительной влажности менее 75% в режиме холостого хода проводят следующие испытания:
- визуальный контроль по 4.1;
- испытание изоляции на влагостойкость по 4.12.
Испытанные образцы считают выдержавшими испытания, если:
- при проведении испытаний отсутствовали обрывы электрических цепей в испытуемых образцах;
- отсутствуют видимые функциональные повреждения по ГОСТ Р 56980.1-2022, раздел 8;
- снижение максимальной выходной мощности не превышает 5% значения, полученного при начальных измерениях;
- сопротивление изоляции, измеренное при проведении испытания изоляции на влагостойкость, отвечает требованиям 4.12.5.
Испытания предназначены для проверки того, что средства подключения внешних электрических цепей и их крепление могут противостоять механическим нагрузкам, возникающим при нормальных условиях монтажа и эксплуатации фотоэлектрического модуля.
4.11.2.1 Испытательное оборудование
При проведении испытания необходимы средства для приложения силы 40 Н к центру поверхностей коммутационной коробки испытуемого образца таким образом, чтобы на коммутационную коробку не было воздействия крутящего момента.
Крепление средств приложения усилия к коммутационной коробке не должно влиять на ее функциональные свойства.
4.11.2.2 Проведение испытания
Испытание проводят в интервале от двух до четырех часов после термоциклирования при высокой влажности.
Испытание выполняют в соответствии с методом определения прочности выводов и неразъемных крепежных устройств (см. [15]).
1) К коммутационной коробке прикладывают силу в 40 Н параллельно внешней поверхности испытуемого образца, на которой установлена коммутационная коробка. Силу прикладывают в течение (10 +/- 1) с последовательно в каждом направлении параллельно краям испытуемого образца с шагом 90°. До уровня 40 Н прикладываемая сила должна возрастать плавно, без рывков.
2) В центре верхней поверхности коммутационной коробки прикладывают силу 40 Н перпендикулярно поверхности, на которой установлена коммутационная коробка. Силу прикладывают в течение (10 +/- 1) с. До уровня 40 Н прикладываемая сила должна возрастать плавно, без рывков.
4.11.2.3 Заключительные испытания
Для оценки изменения состояния испытанного образца проводят следующие испытания:
- визуальный контроль по 4.1;
- испытание изоляции на влагостойкость по 4.12.
4.11.2.4 Оценка результатов испытаний
Испытанные образцы считают выдержавшими испытания, если:
- отсутствуют смещения коммутационной коробки относительно поверхности, на которой она установлена, приводящие к ухудшению изоляционных свойств;
- отсутствуют видимые функциональные повреждения по ГОСТ Р 56980.1-2022, раздел 8;
- сопротивление изоляции, измеренное при проведении испытания изоляции на влагостойкость, отвечает требованиям 4.12.5.
Для оценки надежности закрепления внешних кабелей и проводов коммутационную коробку и электрические соединители (если они установлены) испытывают отдельно в соответствии с ГОСТ Р 56981-2016, пункт 5.4.12, или ГОСТ Р 57230-2016, пункт 9.4.8, соответственно. Испытания проводят с наихудшим вариантом кабелей/проводов, которые могут быть в ней закреплены в соответствии с технической документацией испытуемых фотоэлектрических модулей.
ИС NORMPROD: примечание. В официальном тексте документа, видимо, допущена опечатка: стандарт имеет номер ГОСТ Р 56981, а не ГОСТ 56981. |
Для подтверждения соответствия испытуемых фотоэлектрических модулей техническим требованиям достаточно, чтобы установленные на них коммутационные коробки и электрические соединители прошли указанное испытание ранее с требуемыми проводами/кабелями, например при сертификации по ГОСТ 56981 или ГОСТ Р 57230, соответственно. В этом случае в технической документации фотоэлектрических модулей должны быть соответствующие официальные подтверждающие документы. В протоколе испытаний должно быть указано наименование испытательной лаборатории, дата проведения испытания и его результаты.
Испытание не применимо к коммутационным коробкам со встроенными электрическими соединителями. Такие коммутационные коробки не проходят это испытание. Данную особенность коммутационной коробки следует отметить в протоколе испытаний. В этом случае встроенные электрические соединители должны выдержать испытания по ГОСТ Р 57230-2016, пункт 9.4.8.
Испытание предназначено для оценки возможности повреждения изоляции фотоэлектрического модуля при работе в условиях повышенной влажности и проверки того, что влажность, создаваемая дождем, туманом, росой или тающим снегом, не проникает к токоведущим частям модуля, где она может вызвать коррозию, короткое замыкание или создать угрозу безопасности.
a) Неглубокий поддон или бак достаточного размера для помещения испытуемого образца вместе с рамой в жидкость в горизонтальном положении. Поддон или бак должны содержать жидкость для испытаний - воду или раствор, отвечающие следующим требованиям:
- сопротивление ......................................................... | 3500 Ом·см или менее; |
- температура .............................................................. | (22 +/- 2) °C. |
Объем жидкости и глубина поддона или бака должны быть достаточными для того, чтобы испытуемый образец был полностью погружен в жидкость, за исключением вводов коммутационной коробки, которые не рассчитаны на погружение.
b) Оборудование для разбрызгивания указанной жидкости, если не предусмотрено погружение всей коммутационной коробки.
c) Прибор для измерения сопротивления изоляции, который обеспечивает следующие функции:
- ограничение тока;
- подачу напряжения постоянного тока, значение которого равно 500 В или максимальному номинальному напряжению постоянного тока фотоэлектрической системы, в которую может быть установлен испытуемый образец в зависимости от того, какое из них больше. Точность измерения напряжения должна быть не менее 2%;
- измерение тока по миллиамперной шкале;
- измерение сопротивления, если необходимо.
Для выполнения этих функций могут быть использованы одно или несколько различных устройств.
Все соединения должны соответствовать рекомендациям изготовителя по выполнению проводки на месте эксплуатации, и, кроме того, необходимо принять меры, предупреждающие появление токов утечки через проводку приборов, подключенных к испытуемому образцу.
1) Наполняют поддон или бак жидкостью для испытаний, указанной в 4.12.2.
2) Устанавливают перемычку между выводами испытуемого образца и подсоединяют к ним проводник для соединения с прибором для измерения сопротивления изоляции.
3) Погружают испытуемый образец в поддон или бак с жидкостью для испытаний на глубину, достаточную для покрытия всех поверхностей, за исключением вводов коммутационной коробки, которые не рассчитаны на погружение. Если испытуемый образец включает разъемные соединители, соединители должны быть собраны и места соединений должны быть погружены в жидкость.
4) Соединяют выводы испытуемого образца с положительным выходом прибора для измерения сопротивления изоляции.
Присоединяют к отрицательному выходу измерительного прибора соответствующий проводник и погружают второй конец проводника в жидкость для испытаний.
Фотоэлектрические модули, изготовленные по некоторым технологиям, могут быть чувствительными к статической поляризации, если модуль находится под положительным потенциалом на раме. В этом случае подключение прибора для измерения сопротивления изоляции к испытуемым образцам должно выполняться с противоположной полярностью, данные о чувствительности испытуемых образцов к статической поляризации должны быть предоставлены изготовителем и занесены в протокол испытаний.
5) Тщательно обрызгивают жидкостью, указанной в 4.12.2, кабельные вводы.
6) Со скоростью не более 500 В/с увеличивают напряжение на испытуемом образце до 500 В или до максимально номинального напряжения постоянного тока фотоэлектрической системы, в которую может быть установлен испытуемый образец, в зависимости от того, какое из них больше.
7) Поддерживают напряжение на этом уровне до момента стабилизации тока утечки и еще 2 мин после стабилизации его значения.
В течение всего времени подачи напряжения тщательно обрызгивают указанной жидкостью кабельные вводы коммутационной коробки, если они не погружены в жидкость, и места соединений разъемных соединителей, если испытуемый образец включает разъемные соединители.
8) Регистрируют приложенное напряжение и ток. Определяют сопротивление изоляции испытуемого образца.
9) Снижают приложенное напряжение до нуля и устанавливают перемычку между выводами измерительного прибора для сброса остаточного напряжения испытуемого образца.
10) Убирают перемычку между выводами измерительного прибора и отсоединяют измерительный прибор от испытуемого образца.
11) Смывают с испытуемого образца испытательную жидкость. Перед продолжением испытаний использованная жидкость с испытуемого образца должна быть полностью смыта.
Проводят визуальный контроль по 4.1. В том числе определяют наличие следов нарушения изоляции, поверхностного пробоя или образования пузырьков.
Испытанные образцы считают выдержавшими испытания, если:
- отсутствуют видимые функциональные повреждения по ГОСТ Р 56980.1-2022, раздел 8, следы нарушения изоляции и поверхностного пробоя;
- у испытуемых образцов с площадью рабочей поверхности не более 0,1 м2 сопротивление изоляции составляет не менее 400 МОм;
- у испытуемых образцов с площадью рабочей поверхности более 0,1 м2 произведение измеренного сопротивления изоляции и площади модуля составляет не менее 40 МОм·м2.
Испытание предназначено для оценки способности фотоэлектрических модулей противостоять статическим механическим нагрузкам, возникающим в нормальных условиях эксплуатации из-за климатических факторов - таких как ветер, снег, лед и т.п.
В испытании проверяют стойкость к нагрузкам, которые могут возникнуть при нормальных условиях эксплуатации в обычных климатических зонах, в умеренном климате. Определение минимальной статической нагрузки, при которой произойдет разрушение испытуемого фотоэлектрического модуля, не является целью настоящего стандарта. Такая нагрузка зависит от конструкции, принятых требований к механическим характеристикам, условий установки, климатических условий и ее определение может требовать более высоких испытательных нагрузок и иных значений коэффициента запаса.
В испытаниях проверяют стойкость испытуемых фотоэлектрических модулей к воздействию расчетной механической нагрузки, указанной изготовителем. Испытательную нагрузку Pисп вычисляют по формуле
, (6)где 
- коэффициент запаса прочности, 
;
- коэффициент запаса прочности, ;P - расчетная статическая механическая нагрузка (расчетная нагрузка).
Для испытуемых образцов, предназначенных для эксплуатации в условиях обычных статических механических нагрузок, минимальная расчетная нагрузка составляет 1600 Па с обоих направлений (на лицевую сторону и на тыльную сторону), соответствующая минимальная испытательная нагрузка составляет 2400 Па. Для испытуемых образцов, предназначенных для эксплуатации в условиях пониженных статических механических нагрузок, минимальная расчетная нагрузка составляет 800 Па, соответствующая минимальная испытательная нагрузка составляет 1200 Па. Или для испытуемых образцов, предназначенных для эксплуатации в условиях пониженных статических механических нагрузок, минимальная расчетная нагрузка задается изготовителем в диапазоне 800 Па <= P < 1600 Па с учетом того, что минимальная испытательная нагрузка должна быть менее 2400 Па.
Для некоторых способов установки и условий эксплуатации изготовитель может устанавливать более высокие расчетные нагрузки для положительных (вверх) и/или отрицательных (вниз) направлений, а также увеличенные коэффициенты запаса прочности 
. Например расчетные положительную нагрузку 3600 Па и отрицательную нагрузку 2400 Па с коэффициентом запаса прочности 
. В этом случае положительная испытательная нагрузка равна 5400 Па и отрицательная - 3600 Па. Расчетная(ые) нагрузка(и) и коэффициент(ы) запаса должны быть указаны в документации изготовителя для каждого способа установки испытуемого фотоэлектрического модуля.
. Например расчетные положительную нагрузку 3600 Па и отрицательную нагрузку 2400 Па с коэффициентом запаса прочности . В этом случае положительная испытательная нагрузка равна 5400 Па и отрицательная - 3600 Па. Расчетная(ые) нагрузка(и) и коэффициент(ы) запаса должны быть указаны в документации изготовителя для каждого способа установки испытуемого фотоэлектрического модуля.Примечания
1 Испытательная нагрузка 2400 Па соответствует давлению при скорости ветра 130 км/ч (примерно 800 Па) с коэффициентом запаса прочности 3 для учета порывов ветра. Рекомендуемая испытательная нагрузка для работы в условиях сильного накопления снега или льда 5400 Па.
2 В этих испытаниях не учитывается воздействие неравномерных снеговых нагрузок. Для оценки устойчивости фотоэлектрических модулей к неравномерными снеговым нагрузкам проводят испытания по ГОСТ Р 59777.
Для некоторых способов установки фотоэлектрического модуля и климатических условий могут быть необходимы дополнительные требования.
a) Жесткое испытательное основание для установки испытуемого образца лицевой (рабочей) поверхностью, направленной вверх или вниз. Испытательное основание и приспособления, поддерживающие испытательное основание (например, брусья), должны обеспечивать свободный прогиб испытуемого образца при приложении нагрузки, с учетом ограничений, связанных со способом установки испытуемого образца, указанным изготовителем.
Приспособления для поддержки испытательного основания с испытуемым образцом (например, брусья).
b) Грузы или иные средства для создания требуемой постепенно возрастающей, равномерно распределенной нагрузки.
Примечание - Испытательная нагрузка может быть создана пневматическими средствами либо грузами, покрывающими всю поверхность.
c) Приборы для регистрации обрывов электрических цепей испытуемого образца во время испытаний.
d) Средства контроля температуры окружающей среды и, если необходимо, средства для обеспечения ее значения на уровне (25 +/- 5) °C.
Испытания проводят при температуре окружающей среды (25 +/- 5) °C.
1) Устанавливают испытуемый образец на жестком основании по способу, указанному изготовителем, включая средства крепления (зажимы, скобы и т.п.).
Гибкие фотоэлектрические модули должны быть установлены с указанными подложкой и клеем или средствами крепления/монтажа.
Если изготовителем указано несколько способов установки испытуемых фотоэлектрических модулей, для каждого способа испытания должны быть проведены отдельно. Для всех способов монтажа испытуемый образец устанавливают в варианте с наихудшим расположением точек крепления. Как правило, это вариант с наибольшим расстоянием между точками крепления.
Если изготовителем не указано иное и давление будет создаваться грузами, испытуемый образец должен быть установлен горизонтально, лицевой поверхностью вверх.
Описание способов установки испытуемого образца и фотографии должны быть внесены в протокол испытаний.
2) К испытуемому образцу подключают приборы, с помощью которых можно обнаружить обрыв внутренних электрических цепей испытуемого образца во время испытаний.
3) К лицевой поверхности испытуемого образца прикладывают равномерно распределенную нагрузку, плавно возрастающую до уровня 2400 Па или другого требуемого значения испытательной нагрузки (см. 4.13.1). Создаваемая на поверхности модуля испытательная нагрузка должна быть равномерной в пределах +/- 5%.
Сохраняют нагруженное состояние испытуемого образца в течение 1 ч. При этом непрерывно контролируют состояние электрических цепей испытуемого образца и температуру окружающей среды. Фиксируют возникновение обрывов электрических цепей испытуемого образца. Если необходимо, поддерживают температуру окружающей среды на уровне (25 +/- 5) °C.
Примечание - В испытуемых образцах с несколькими параллельно соединенными цепочками фотоэлектрических элементов обрыв в одной из цепочек приведет к снижению значения тока, но оно не будет равно нулю.
4) Переворачивают испытуемый образец на 180° таким образом, чтобы лицевая и тыльная поверхность поменялись местами, и выполняют этап 3 для тыльной поверхности испытуемого образца. Или оставляют испытуемый образец в прежнем положении и повторяют этап 3, воздействуя испытательной нагрузкой на тыльную поверхность снизу вверх. Значение прикладываемой испытательной нагрузки равно значению, установленному для тыльной поверхности.
Для оценки изменения состояния испытанного образца проводят следующие испытания:
- визуальный контроль по 4.1;
- измерение ВАХ и определение максимальной мощности по 4.2;
- испытание изоляции на влагостойкость по 4.12.
Испытанные образцы считают выдержавшими испытания, если:
- при проведении испытаний отсутствовали обрывы электрических цепей в испытуемых образцах;
- отсутствуют видимые функциональные повреждения по ГОСТ Р 56980.1-2022, раздел 8;
- снижение максимальной выходной мощности не превышает 5% значения, полученного при начальных измерениях;
- сопротивление изоляции, измеренное при проведении испытания изоляции на влагостойкость, отвечает требованиям 4.12.5.
Испытание предназначено для проверки способности испытуемых фотоэлектрических модулей выдерживать удары града.
a) Формы из подходящего материала для заморозки сферических градин необходимого диаметра. Стандартным диаметром градин является 25 мм +/- 5%, однако для особых условий может быть использован любой диаметр из приведенных в таблице 2.
Таблица 2
Диаметр, мм | Масса, г | Скорость, м/с |
25 | 7,53 | 23,0 |
35 | 20,70 | 27,2 |
45 | 43,90 | 30,7 |
55 | 80,2 | 33,9 |
65 | 132,0 | 36,7 |
75 | 203,0 | 39,5 |
b) Морозильник с температурой (-10 +/- 5) °C.
c) Контейнер для хранения градин при температуре (-4 +/- 2) °C.
d) Пусковое устройство, обеспечивающее разгон градин до требуемой скорости (см. таблицу 2) с точностью не менее +/- 5% и попадание градин в заданные места испытуемого образца. При условии соблюдения требований к испытаниям траектория полета градин от пускового устройства до испытуемого образца может быть горизонтальной, вертикальной или под любым промежуточным углом.
e) Жесткая стойка для крепления испытуемого образца в соответствии с указаниями изготовителя таким образом, чтобы лицевая поверхность испытуемого образца была перпендикулярна траектории летящей градины.
f) Весы для определения массы градин с точностью не менее +/- 2%.
g) Прибор для измерения скорости градин с точностью не менее +/- 2%. Фотодатчик скорости должен располагаться не далее 1 м от поверхности испытуемого образца, подвергаемой удару.
На рисунке 11 приведена схема варианта испытательного стенда, включающего горизонтальную пневматическую пушку, вертикальную стойку для установки испытуемого образца и прибор для измерения скорости градин, который измеряет время пролета градин между двумя световыми лучами. Допускается применение другого оборудования, включая рогатки и пружинные пусковые установки.
к ударам града
1) С помощью форм и морозильника готовят для испытаний необходимое количество градин требуемого диаметра, включая дополнительные градины для настройки пусковой установки.
2) Проверяют градины на наличие трещин, их массу и размер. Градины должны отвечать следующим условиям:
- не должно быть трещин, видимых невооруженным глазом;
- диаметр не должен отличаться более чем на +/- 5% от значения, указанного в таблице 2;
- масса не должна отличаться более чем на +/- 5% от соответствующего диаметру значения, указанного в таблице 2.
3) Помещают градины в контейнер для хранения и перед использованием оставляют их там не менее чем на 1 ч.
4) Отмечают на лицевой поверхности испытуемого образца места ударов.
Расположение мест ударов для фотоэлектрических модулей на основе фотоэлектрических элементов из кристаллического кремния и аналогичных показано на рисунке 12a) и описано в таблице 3. Для тонкопленочных фотоэлектрических модулей, созданных методом рулонного покрытия, места удара градинами должны быть расположены приблизительно в тех же местах на лицевой поверхности, как показано на рисунке 12b).
Примечание - Этот этап может быть выполнен перед любым этапом до этапа 8.
элементов на полупроводниковых пластинах
методом рулонного покрытия
Таблица 3
фотоэлектрических элементов из кристаллического кремния
и аналогичных
Позиция на рисунке 12 | Описание |
1 | Любой угол остекления испытуемого образца, на расстоянии не далее одного радиуса градины от края (рамы) |
2 | Любой край остекления испытуемого образца, на расстоянии не далее одного радиуса градины от края (рамы) |
3, 4 | Над межэлементными соединениями около коммутационных шин |
5, 6 | Над отдельными фотоэлектрическими элементами |
7, 8 | Над монтажными элементами на расстоянии не далее половины диаметра градины от одной из точек крепления испытуемого образца к несущей конструкции |
9, 10 | На остеклении испытуемого образца в точках, максимально удаленных от точек, выбранных ранее |
11 | Над точками, наиболее чувствительными к воздействию града, например над коммутационной коробкой |
5) Берут градину из контейнера для хранения и помещают ее в пусковую установку. Проводят несколько контрольных выстрелов градинами по имитационной мишени и регулируют пусковую установку таким образом, чтобы скорость градин, измеряемая помещенным в требуемое положение датчиком скорости, находилась в пределах +/- 5% значения скорости градины, указанного в таблице 2, соответствующего ее диаметру и массе. Время между взятием градины из контейнера и ее ударом по поверхности испытуемого образца не должно превышать 60 с.
6) Убеждаются, что все поверхности пусковой установки, которые, возможно, будут входить в контакт с градинами, имеют комнатную температуру.
7) Устанавливают испытуемый образец при комнатной температуре на предназначенную для испытаний раму таким образом, чтобы лицевая поверхность испытуемого образца была перпендикулярна траектории градин.
Гибкие фотоэлектрические модули должны быть установлены в соответствии с рекомендациями изготовителя с указанными подложкой и клеем или средствами крепления/монтажа. Если допустима установка испытуемых образцов и в жестких, и в гибких условиях монтажа, испытания проводят в наихудших условиях. Вариант(ы) установки испытуемого образца должен (должны) быть зафиксирован(ы) в протоколе испытаний.
8) Берут градину из контейнера для хранения и помещают ее в пусковую установку. Выполняют прицеливание в место первого удара и производят выстрел. Время между взятием градины из контейнера и ее ударом по поверхности испытуемого образца не должно превышать 60 с.
9) Осматривают испытуемый образец в месте удара для выявления следов повреждения и отмечают все видимые последствия удара. Допускаются промахи в пределах 10 мм от требуемого места попадания. Все видимые последствия удара описывают, фотографируют или зарисовывают места их расположения.
10) Если испытуемый образец остается неповрежденным, повторяют шаги 8 и 9 для всех остальных отмеченных мест удара.
Диаметр и скорость градин, использованных для испытания, должны быть внесены в протокол испытаний.
Для оценки изменения состояния испытанного образца проводят следующие испытания:
- визуальный контроль по 4.1;
- испытание изоляции на влагостойкость по 4.12.
Испытанные образцы считают выдержавшими испытания, если:
- отсутствуют видимые функциональные повреждения по ГОСТ Р 56980.1-2022, раздел 8;
- снижение максимальной выходной мощности не превышает 5% значения, полученного при начальных измерениях;
- сопротивление изоляции, измеренное при проведении испытания изоляции на влагостойкость, отвечает требованиям 4.12.5.
4.15.1.1 Назначение
Испытание предназначено для проверки теплового расчета испытуемого фотоэлектрического модуля и надежности работы шунтирующих/блокирующих диодов, установленных в фотоэлектрическом модуле, при высокой температуре, возникающей в процессе выполнения ими защитных функций.
Испытание предназначено для оценки температурных характеристик диодов и максимальной температуры перехода диода Tпер при непрерывной работе.
Если в испытуемых образцах шунтирующие/блокирующие диоды не предусмотрены, данное испытание не проводят.
Если шунтирующие/блокирующие диоды в испытуемом образце недоступны, для испытаний может быть необходимо изготовление специального замещающего образца. Этот образец должен быть изготовлен таким образом, чтобы обеспечить при испытаниях те же температурные условия вокруг диодов, что и в обычном испытуемом образце, и не обязательно должен быть рабочим модулем.
Замещающий образец должен отличаться от испытуемых образцов только тем, что изготовителем присоединены все необходимые измерительные провода и установлены необходимые датчики в соответствии с указанными ниже требованиями или обеспечен доступ к диодам для осуществления подключения и установки датчиков в испытательной лаборатории, если такой доступ не нарушит температурные условия вокруг диодов.
Примечание - Присоединение измерительных проводов и установка датчиков на замещающем образце могут быть выполнены и не изготовителем испытуемых фотоэлектрических модулей, если будут полностью соблюдены требования настоящего пункта.
Замещающий образец должен обеспечивать возможность измерять во время испытаний температуру той части шунтирующих/блокирующих диодов, тепловое сопротивление между которой и переходом диода указано изготовителем в сопроводительной документации или может быть найдено по типу диода (как правило, это корпус диода и тепловое сопротивление переход - корпус). Также замещающий образец должен обеспечивать возможность устанавливать перемычки или переключатели, если они требуются.
Если измерение температуры шунтирующего/блокирующего диода будет проводиться с помощью датчика температуры, провода датчика температуры должны иметь малую теплоемкость и быть подключены таким образом, чтобы как можно меньше влиять на диод и его тепловое окружение. Датчик температуры может быть установлен на соответствующей части шунтирующего/блокирующего диода при изготовлении замещающего образца.
Этот замещающий образец должен использоваться только для испытаний шунтирующих/блокирующих диодов на термостойкость и не должен принимать участие во всех остальных испытаниях.
ИС NORMPROD: примечание. В официальном тексте документа, видимо, допущена опечатка: имеются в виду этапы 1 - 14 п. 4.15.1.4, а не 4.15.1.3. |
Замещающий образец допускается использовать только для оценки температурных характеристик диодов и максимальной температуры перехода диода Tпер при непрерывной работе (4.15.1.3, этапы 1 - 14), этап 15 в этом случае выполняют не с замещающим образцом, а с отдельным испытуемым образцом, предварительно подключив все необходимые приборы и т.д. Этот же испытуемый образец используют при заключительных испытаниях (см. 4.15.1.5).
4.15.1.3 Испытательное оборудование
a) Климатическая камера с регулируемой температурой с приспособлениями для установки испытуемых образцов (если они предусмотрены в комплектации камеры). Камера должна обеспечивать нагрев испытуемого образца до температуры (90 +/- 5) °C и поддержание его температуры на одном уровне в интервале от (30 +/- 2) °C до (90 +/- 2) °C (см. 4.15.1.4, этапы 8 - 11).
b) Приспособления для установки испытуемых образцов в климатической камере, обеспечивающие беспрепятственную циркуляцию окружающего воздуха, если они не поставляются вместе с климатической камерой. Теплопроводность стоек и креплений должна быть настолько низкой, чтобы с практической точки зрения испытуемые образцы могли бы рассматриваться как теплоизолированные.
c) Средства измерения и регистрации температуры испытуемого образца с точностью не менее +/- 2 °C и повторяемостью +/- 0,5 °C.
d) Средства измерения и регистрации температуры диодов, если они не установлены/поставляются изготовителем или не установлены при изготовлении замещающего образца, если необходимо. Следует принять меры по минимизации возможного изменения каких-либо характеристик шунтирующих диодов или путей теплоотвода при установке средств измерения температуры. Если измерение температуры диодов будет проводиться с помощью датчика температуры, провода датчика температуры должны иметь малую теплоемкость и быть подключены таким образом, чтобы как можно меньше влиять на диод и его тепловое окружение.
Примечания
1 Под температурой диода имеется в виду температура той части диода, тепловое сопротивление между которой и переходом указано изготовителем в сопроводительной документации или может быть найдено по типу диода (как правило, это корпус диода).
2 Для измерения и регистрации температуры шунтирующих/блокирующих диодов допускается использовать тепловизор.
e) Импульсный источник питания, обеспечивающий подачу тока не менее чем в 1,25 раза превышающего ток короткого замыкания испытуемого фотоэлектрического модуля при СУИ, с шириной импульса не более 1 мс.
При испытаниях двусторонних образцов испытательный ток должен быть в 1,25 раза больше тока короткого замыкания в условиях стандартной повышенной двусторонней энергетической освещенности (BSI, см. ГОСТ Р 56980.1-2022, подраздел 3.9): 1000 Вт/м2 - на лицевой поверхности и 300 Вт/м2 - на тыльной поверхности. Ток короткого замыкания в условиях стандартной повышенной двусторонней энергетической освещенности может быть определен либо путем измерения ВАХ (см. [8]), либо по ГОСТ Р МЭК 60904-10, если можно считать, что ток короткого замыкания испытуемых образцов линейно зависит от энергетической освещенности.
Допущение линейности позволяет рассчитать ток короткого замыкания в условиях стандартной повышенной двусторонней энергетической освещенности Iк.з BSI, используя значения токов короткого замыкания при СУИ и в условиях стандартной двусторонней энергетической освещенности (BNPI, см. ГОСТ Р 56980.1-2022, подраздел 3.8), полученные после начальной стабилизации образцов и соответствующие эквивалентные значения освещенности. Для экстраполяции Iк.з BSI применяют следующую формулу:
, (7)где 
- ток короткого замыкания испытуемого образца при СУИ после начальной стабилизации, А;
- ток короткого замыкания испытуемого образца при СУИ после начальной стабилизации, А;
- ток короткого замыкания испытуемого образца при BNPI после начальной стабилизации, А;EСУИ - энергетическая освещенность при стандартных условиях испытаний EСУИ = 1000 Вт/м2;
EBNPI - односторонняя энергетическая освещенность (энергетическая освещенность только лицевой рабочей поверхности), эквивалентная по воздействию стандартной двусторонней энергетической освещенности;
EBSI - односторонняя энергетическая освещенность, эквивалентная по воздействию стандартной повышенной двусторонней энергетической освещенности.
Значения односторонней энергетической освещенности, эквивалентные двусторонней энергетической освещенности, рассчитывают по формулам (см. [8]):
, (8)
, (9)
, (10)где 
- коэффициент, равный наименьшему из коэффициентов двусторонности по току короткого замыкания и по максимальной мощности, определяемых по формулам (2) и (4).
- коэффициент, равный наименьшему из коэффициентов двусторонности по току короткого замыкания и по максимальной мощности, определяемых по формулам (2) и (4).f) Средства измерения и регистрации тока испытуемого образца с точностью не менее +/- 0,5% тока короткого замыкания.
g) Средства измерения напряжения диодов с точностью не менее 2% измеряемой величины.
4.15.1.4 Проведение испытания
Во время испытаний образец не должен подвергаться освещению.
2) Устанавливают провода для подключения средств измерения прямого напряжения Uпр и прямого тока Iпр у каждого шунтирующего диода или каждого одновременно испытуемого диода (см. этап 6), как показано на рисунке 13a), и, если необходимо, всех одновременно испытуемых шунтирующих диодов таким образом, чтобы выполнялось условие этапа 6.
Примечание - На замещающем образце эти провода устанавливают при изготовлении замещающего образца.
Рисунок 13 - Схемы подключения проводов для измерения
постоянного прямого напряжения и постоянного прямого тока
шунтирующего и блокирующего диодов
Следует принять меры для предотвращения теплового рассеяния от клеммной колодки, которое может привести к неверной интерпретации результатов испытаний.
3) Устанавливают датчики измерения температуры испытуемого образца.
Если будет проводиться измерение температуры шунтирующих диодов с помощью датчика температуры и они не установлены изготовителем или при изготовлении замещающего образца, устанавливают датчик температуры на все шунтирующие диоды или на все одновременно испытуемые диоды. Провода датчиков температуры должны быть подключены таким образом, чтобы как можно меньше влиять на диод и его тепловое окружение.
Примечание - Датчики устанавливают на ту часть шунтирующего диода, тепловое сопротивление между которой и переходом указано изготовителем в сопроводительной документации или может быть найдено по типу диода (как правило, это корпус диода).
4) Помещают испытуемый образец в климатическую камеру или устанавливают средства нагрева испытуемого образца.
5) Подключают приборы для измерения температуры испытуемого образца и, если необходимо, температуры шунтирующих диодов.
6) Подключают положительный выход источника питания тока к отрицательным выводам испытуемого образца и отрицательный выход источника питания к положительным выводам испытуемого образца с использованием проводов минимального сечения из рекомендованного изготовителем диапазона. При такой схеме соединений ток будет протекать через фотоэлектрические элементы в обратном направлении, а через диод - в прямом. Вводы в коммутационную коробку должны быть выполнены в соответствии с рекомендациями изготовителя, после чего она должна быть закрыта.
Во время испытаний через каждый шунтирующий диод, участвующий в испытаниях, должен протекать ток, равный току, подаваемому на испытуемый образец. Если в испытуемом образце установлено несколько шунтирующих диодов, для обеспечения указанного условия может потребоваться установка перемычки (перемычек) или переключателя.
Примечание - Как правило, это условие соблюдается, если ток протекает только через один шунтирующий диод.
7) Подключают приборы для измерения тока и напряжения.
После стабилизации температуры испытуемого образа подают на испытуемый образец импульсный ток, равный току короткого замыкания испытуемого образца при СУИ, с шириной импульса 1 мс и измеряют прямое напряжение шунтирующего диода Uпр1.
При испытаниях двусторонних фотоэлектрических модулей значение подаваемого тока равно току короткого замыкания испытуемого образца при стандартной повышенной двусторонней энергетической освещенности, см. 4.15.1.3, перечисление e).
Прямой ток испытуемых шунтирующих диодов Iпр равен току, подаваемому на испытуемый образец, т.е. току короткого замыкания испытуемого образца при СУИ: Iпр = Iк.з СУИ +/- 2%. Или, для двусторонних образцов, при BSI: Iпр = Iк.з BSI +/- 2%.
Предполагается, что при этом температура испытуемого фотоэлектрического модуля Tмод равна температуре воздуха внутри коммутационной коробки и температуре корпуса шунтирующего диода Tкор или той части шунтирующего диода, тепловое сопротивление между которой и переходом указано изготовителем в сопроводительной документации или может быть найдено по типу диода (как правило, это корпус диода).
9) Повторяют этап 8 для температуры испытуемого образца (50 +/- 2) °C и измеряют Uпр2.
10) Повторяют этап 8 для температуры испытуемого образца (70 +/- 2) °C и измеряют Uпр3.
11) Повторяют этап 8 для температуры испытуемого образца (90 +/- 2) °C и измеряют Uпр4.
12) Нагревают испытуемый образец до температуры (75 +/- 5) °C.
После того как температура испытуемого образца установилась, поддерживая ее на заданном уровне, в течение 1 ч подают на испытуемый образец постоянный ток, равный току короткого замыкания испытуемого образца при СУИ +/- 2% (или, для двусторонних образцов, при BSI +/- 2%). Через 1 ч измеряют прямое напряжение каждого шунтирующего диода, принимающего участие в испытаниях и, если необходимо, Tкор.
Если в испытуемом образце установлен радиатор теплоотвода для снижения рабочей температуры диода(ов), этот этап можно проводить не при (75 +/- 5) °C, а при температуре, которую достигает радиатор теплоотвода при 1000 Вт/м2, температуре окружающей его среды (43 +/- 3) °C и отсутствии ветра.
13) По значениям Uпр1, Uпр2, Uпр3 и Uпр4, используя метод наименьших квадратов, строят зависимость Uпр от Tкор или от температуры той части шунтирующего диода, тепловое сопротивление между которой и переходом указано изготовителем в сопроводительной документации или может быть найдено по типу диода.
14) Используя полученную зависимость Uпр от Tкор, определяют значение Tкор по Uпр при температуре окружающей среды Tamb = 75 °C. В первом приближении можно считать, что определенная таким образом температура корпуса диода при Tamb = 75 °C равна температуре перехода.
Для более точной оценки выполняют следующее.
Определяют тепловое сопротивление и максимальную допустимую температуру перехода шунтирующих диодов по сопроводительной документации или типу диодов в справочной литературе, каталогах и т.п.
По измеренной или полученной по графику Uпр = f(Tкор) температуре корпуса диода Tкор при Tamb = 75 °C [либо температуре другой части диодов, тепловое сопротивление которой указано изготовителем или может быть определено по типу диода (см. примечание к этапу 3 и этап 8)] рассчитывают температуру перехода каждого шунтирующего диода, принимающего участие в испытаниях, по формуле
где Tпер - температура перехода диода;
Tкор - измеренная температура корпуса диода;
- указанное изготовителем значение теплового сопротивления переход - корпус;Uпр - постоянное прямое напряжение диода при Iпр;
Iпр - постоянный прямой ток диода; Iпр равен подаваемому на испытуемый образец току (току короткого замыкания испытуемого образца, измеренному при СУИ +/- 2% или, для двусторонних образцов, при BSI +/- 2%).
Примечание - В формуле (11) вместо 
должно стоять тепловое сопротивление между переходом и другой частью шунтирующего диода, если только оно указано изготовителем вместо 
в сопроводительной документации или может быть найдено по типу диода, и соответственно температура этой части вместо Tкор. Если температуру диода не измеряют, то принимают, что Tмод на этапах 8 - 11 равна температуре этой части диода.
должно стоять тепловое сопротивление между переходом и другой частью шунтирующего диода, если только оно указано изготовителем вместо в сопроводительной документации или может быть найдено по типу диода, и соответственно температура этой части вместо Tкор. Если температуру диода не измеряют, то принимают, что Tмод на этапах 8 - 11 равна температуре этой части диода.Рассчитанное значение температуры перехода шунтирующего диода не должно превышать значение максимальной допустимой температуры перехода, которое указано изготовителем в сопроводительной документации или может быть найдено по типу диода. Если это условие выполняется, переходят к следующему этапу испытаний. Если это условие не выполняется, испытания прекращают и испытанный образец считают не выдержавшим испытания.
Увеличивают подаваемый на испытуемый образец ток до значения, превышающего в 1,25 раза ток короткого замыкания испытуемого образца, измеренный при СУИ или, для двусторонних образцов, при BSI. Поддерживают значение тока на указанном уровне и температуру испытуемого образца на уровне (75 +/- 5) °C в течение 1 ч.
16) Если в испытуемом образце установлено несколько шунтирующих диодов и нет возможности испытать все шунтирующие диоды одновременно (см. этап 6), отсоединяют источник питания, устанавливают датчики температуры на следующий(е) диод(ы), если необходимо и если они не были установлены ранее, меняют положение перемычек или переключателя и повторяют этапы 4 - 15 поочередно с каждой группой шунтирующих диодов, которые можно испытать одновременно, или с каждым диодом.
17) Если в испытуемом образце установлены блокирующие диоды, аналогично проводят испытание, выполняя измерения параметров каждого из блокирующих диодов отдельно. Схема подключения показана на рисунке 13b).
Для оценки изменения состояния испытанного образца проводят следующие испытания:
- испытание шунтирующих/блокирующих диодов на работоспособность по 4.15.2;
- визуальный контроль по 4.1;
- испытание изоляции на влагостойкость по 4.12.
4.15.1.6 Оценка результатов испытаний
Испытанные образцы считают выдержавшими испытания, если:
- температура перехода каждого шунтирующего диода не превышает максимальную допустимую температуру перехода диода, которая указана изготовителем в сопроводительной документации или может быть найдена по типу диода;
- шунтирующие диоды сохраняют работоспособность после испытания на работоспособность по 4.15.2;
- отсутствуют видимые функциональные повреждения по ГОСТ Р 56980.1-2022, раздел 8;
- сопротивление изоляции, измеренное при проведении испытания изоляции на влагостойкость, отвечает требованиям 4.12.5.
4.15.2.1 Назначение
Испытание предназначено для проверки работоспособности шунтирующих/блокирующих диодов, установленных в испытуемом фотоэлектрическом модуле.
Если в испытуемых образцах шунтирующие/блокирующие диоды не предусмотрены, данное испытание не проводят.
4.15.2.2 Образец для проведения испытаний
Если в испытуемом образце шунтирующий диод(ы) недоступен(ы) без разрушения испытуемого образца, для испытаний может быть необходимо изготовление специального замещающего образца, требования к которому аналогичны требованиям 4.15.1.2.
4.15.2.3 Испытательное оборудование
a) Источник питания постоянного тока, обеспечивающий подачу тока, не менее чем в 1,25 раза превышающего ток короткого замыкания испытуемого фотоэлектрического модуля при СУИ, указанный на паспортной табличке. При испытаниях двусторонних фотоэлектрических модулей используют ток короткого замыкания испытуемого фотоэлектрического модуля, измеренный при СУИ.
b) Средства измерения и регистрации тока испытуемого образца с точностью не менее +/- 0,5% тока короткого замыкания.
c) Средства измерения напряжения диодов с точностью не менее 2% измеряемой величины.
d) Средства измерения температуры окружающей среды.
ИС NORMPROD: примечание. Нумерация пунктов дана в соответствии с официальным текстом документа. |
f) Средства измерения и регистрации температуры шунтирующих диодов, если они не установлены/поставляются изготовителем или не установлены при изготовлении замещающего образца, если необходимо. Следует принять меры по минимизации возможного изменения каких-либо характеристик шунтирующих диодов или путей теплоотвода при установке средств измерения температуры. Если измерение температуры шунтирующего диода будет проводиться с помощью датчика температуры, провода датчика температуры должны иметь малую теплоемкость и быть подключены таким образом, чтобы как можно меньше влиять на диод и его тепловое окружение.
Примечания
1 Под температурой диода имеется в виду температура той части диода, тепловое сопротивление между которой и переходом указано изготовителем в сопроводительной документации или может быть найдено по типу диода (как правило, это корпус диода).
2 Для измерения и регистрации температуры шунтирующих/блокирующих диодов допускается использовать тепловизор.
g) Средства измерения ВАХ за 1 с для проведения испытаний по методу B, с точностью измерения напряжения и тока не менее 1% измеряемой величины.
4.15.2.4 Проведение испытания
Испытание выполняют по одному из следующих двух методов.
Испытание проводят при температуре окружающей среды (25 +/- 10) °C. В процессе испытаний образец не должен подвергаться освещению.
1) Замыкают все блокирующие диоды, если они установлены в испытуемом образце.
2) Подключают положительный выход источника питания постоянного тока к отрицательным выводам испытуемого образца и отрицательный выход источника питания постоянного тока к положительным выводам испытуемого образца с использованием проводов минимального сечения из рекомендованного изготовителем диапазона. При такой схеме соединений ток будет протекать через фотоэлектрические элементы в обратном направлении, а через диод - в прямом. Вводы в коммутационную коробку должны быть выполнены в соответствии с рекомендациями изготовителя, после чего она должна быть закрыта.
Во время испытаний через каждый шунтирующий диод, участвующий в испытаниях, должен протекать ток, равный току, подаваемому на испытуемый образец. Если в испытуемом образце установлено несколько шунтирующих диодов, для обеспечения указанного условия может потребоваться установка перемычки (перемычек) или переключателя.
Примечание - Как правило, это условие соблюдается, если ток протекает только через один шунтирующий диод.
3) Подключают приборы для измерения тока и напряжения.
4) Подают на испытуемый образец постоянный ток, постепенно увеличивая его значение от 0 до значения, в 1,25 раза превышающего ток короткого замыкания испытанного образца при СУИ, указанный на паспортной табличке. При испытаниях двусторонних фотоэлектрических модулей используют ток короткого замыкания испытуемого фотоэлектрического модуля, измеренный при СУИ.
Фиксируют напряжение в протоколе испытаний.
5) Если в испытуемом образце установлено несколько шунтирующих диодов и нет возможности испытать все шунтирующие диоды одновременно (см. этап 2), при выключенном источнике питания меняют положение перемычек или переключателя и повторяют этапы 2 - 4 поочередно с каждой группой шунтирующих диодов, которые можно испытать одновременно, или с каждым диодом.
6) Если в испытуемом образце установлены блокирующие диоды, аналогично проводят испытание блокирующих диодов, определяя Uпр для каждого отдельного диода.
Подключают измерительные приборы, устанавливают испытуемый образец и подключают его к источнику питания, как указано в 4.15.2.4, в том числе подключают средства измерения ВАХ.
Полностью затеняют один или нескольких фотоэлектрических элементов какой-либо части испытуемого образца, защищенной одним шунтирующим диодом, и добиваются таким образом включения диода. При включенном диоде, когда ток, протекающий через диод, равен току, протекающему в испытуемом образце, измеряют ВАХ и определяют максимальную мощность испытуемого образца по 4.2, 4.2.3 или 4.2.4 при энергетической освещенности, близкой к СУИ. Повторяют затенение и измерение ВАХ при той же энергетической освещенности для каждой части испытуемого образца, защищенной одним шунтирующим диодом.
ВАХ измеряют, когда, как минимум, затеняют один фотоэлектрический элемент в фотоэлектрической цепочке (или части цепочки, затененной проверяемым диодом) при последовательном соединении фотоэлектрических элементов, одну группу фотоэлектрических элементов - при параллельно-последовательном соединении фотоэлектрических элементов, по одному фотоэлектрическому элементу - в каждой цепочке при последовательно-параллельном соединении фотоэлектрических элементов (основные типы соединений фотоэлектрических элементов в фотоэлектрических модулях см. в 4.6.3).
4.15.2.5 Оценка результатов испытаний
Испытанные образцы считают выдержавшими испытания, если:
- у образцов, испытанных по методу A, измеренное прямое напряжение одного шунтирующего диода Uпр или нескольких одновременно испытанных диодов, находится в пределах
Uпр = (N·Uпр.ном) +/- 10%, (12)
где N - количество одновременно испытанных шунтирующих диодов, для которых измерено напряжение Uпр;
Uпр.ном - прямое напряжение диода при 25 °C, определенное по паспортным данным диода.
Для блокирующих диодов оценку результата проводят для каждого диода отдельно;
- у образцов, испытанных по методу B, при затенении части электрической цепи образца, защищенной проверяемым шунтирующим диодом, наблюдается характерный изгиб ВАХ. Например, в фотоэлектрическом модуле из кристаллического кремния с 60 последовательно соединенными фотоэлектрическими элементами, в котором каждая из трех равных частей цепочки защищена одним шунтирующим диодом, шунтирующие диоды работоспособны, если при затенении фотоэлектрических элементов одной цепочки наблюдается снижение максимальной мощности испытуемого образца примерно на 1/3 от ее значения без затенения.
Маркировку трут вручную куском хлопчатобумажной ткани, смоченным водой, в течение 15 с, а затем в течение 15 с куском хлопчатобумажной ткани, смоченным бензином.
Для испытания используют бензин (гексановый растворитель) со следующими показателями:
- содержание ароматических углеводородов .......... | не более 0,1% по объему; |
- показатель КБ (каури-бутанол) .............................. | 29; |
- температура начала кипения .................................. | приблизительно 65 °C; |
- температура конца кипения ................................... | приблизительно 69 °C; |
- плотность ................................................................. | приблизительно 0,68 г/см3. |
Испытанный образец считают выдержавшим испытание, если маркировка осталась четкой и разборчивой, не имеет признаков скручивания и прочно закреплена.
После всех испытаний на воздействие внешних климатических факторов маркировка также должна оставаться четкой и разборчивой.
С маркировкой, нанесенной вдавливанием, штамповкой, тиснением, гравировкой или иными подобными способами, данное испытание не проводят.
Испытание предназначено для оценки чувствительности компонентов испытуемых фотоэлектрических модулей к низким уровням механических нагрузок. Наиболее вероятной причиной высокой чувствительности к низким уровням механических нагрузок является технология сборки фотоэлектрических модулей, детали, обеспечивающие сборку и крепление, при определенных условиях представляющие угрозу целостность компонентов модуля (например, выступы, которые при таких нагрузках могут оказывать слишком большое давление на фотоэлектрические элементы и создавать микротрещины). С помощью этого испытания оценивают прочность фотоэлектрических элементов, межэлементных и др. соединений и краевых уплотнений.
Испытание проводят по ГОСТ Р 58646.
Для оценки изменения состояния испытанного образца проводят следующие испытания:
- визуальный контроль по 4.1;
- измерение ВАХ и определение максимальной мощности по 4.2;
- испытание изоляции на влагостойкость по 4.12.
Испытанные образцы считают выдержавшими испытания, если:
- при проведении испытаний отсутствовали обрывы электрических цепей в испытуемых образцах;
- отсутствуют видимые функциональные повреждения по ГОСТ Р 56980.1-2022, раздел 8;
- снижение максимальной выходной мощности не превышает 5% значения, полученного при начальных измерениях;
- сопротивление изоляции, измеренное при проведении испытания изоляции на влагостойкость, отвечает требованиям 4.12.5.
Испытание предназначено для проверки способности испытуемых фотоэлектрических модулей длительно выдерживать максимальное номинальное напряжение постоянного тока фотоэлектрической системы, для установки в которую они предназначены.
Примечание - Испытание не предназначено для оценки воздействия на деградацию эффектов поляризации при высоком напряжении, и поэтому их влияние может быть не обнаружено или не учтено.
Испытания проводят по ГОСТ Р 57902-2017, метод A при следующих условиях:
- температура испытуемых образцов ..................... | (85 +/- 2) °C; |
- относительная влажность ..................................... | (85 +/- 3)%; |
- продолжительность ............................................... | 96 ч при указанной температуре и относительной влажности (не включая время их стабилизации); |
- электрическая нагрузка ......................................... | максимальное номинальное напряжение постоянного тока фотоэлектрических систем, для установки в которые предназначены фотоэлектрические модули (номинальное системное напряжение). |
Особенности испытания тонкопленочных фотоэлектрических модулей установлены в ГОСТ Р 56980.1.3 и ГОСТ Р 56980.1.4 (см. также [2] и [16]).
После восстановления в течение не менее 2 ч (см. ГОСТ Р 57902-2017, раздел 8) проводят визуальный осмотр и испытание изоляции на влагостойкость. Затем выполняют заключительные испытания всей программы испытаний (см. ГОСТ Р 56980.1-2022, рисунок 2) кроме испытания изоляции на влагостойкость.
Испытание изоляции на влагостойкость должно быть выполнено в течение 8 ч после окончания выдержки. До начала конечной стабилизации испытанных образцов должно пройти не более 48 ч. Время между завершением конечной стабилизации и началом измерения ВАХ при СУИ - не более 48 ч или срок, указанный в процедуре стабилизации для конкретной технологии изготовления фотоэлектрических модулей в ГОСТ Р 56980.1.3 или ГОСТ Р 56980.1.4 (см. также [1], [2] и [16]), если он меньше.
Чтобы максимизировать повторяемость, когда может присутствовать частично обратимая деградация, испытанные образцы должны храниться до и между заключительными испытаниями в контролируемых условиях: в помещении, в темноте при температуре не более 25 °C.
Для двусторонних испытуемых образцов при определении максимальной мощности при СУИ также определяют коэффициенты двусторонности (см. [8]).
Испытанные образцы считают выдержавшими испытания, если:
- отсутствуют видимые функциональные повреждения по ГОСТ Р 56980.1-2022, раздел 8;
- снижение максимальной выходной мощности не превышает 5% значения, полученного при начальных измерениях;
- сопротивление изоляции, измеренное при проведении испытания изоляции на влагостойкость, отвечает требованиям 4.12.5.
Испытание проводят только с гибкими фотоэлектрическими модулями.
Испытание предназначено для проверки того, что испытуемый гибкий фотоэлектрический модуль можно свернуть (без повреждений) с образованием радиуса кривизны, указанного изготовителем по крайней мере в одном направлении.
Если руководство по монтажу допускает изгиб более чем в одном направлении, испытание следует проводить при наихудших условиях.
a) Жесткое испытательное основание для размещения испытуемого образца в плоском виде.
b) Цилиндр диаметром в два раза больше радиуса кривизны испытуемого образца, указанного изготовителем.
c) Приборы для регистрации обрывов электрических цепей испытуемого образца во время испытаний.
d) Средства контроля температуры окружающей среды и, если необходимо, средства для обеспечения ее значения на уровне (25 +/- 5) °C.
Испытания проводят при температуре окружающей среды (25 +/- 5) °C.
1) Размещают испытуемый образец на плоскости испытательного основания в развернутом виде таким образом, чтобы он был плоским.
2) Подключают к испытуемому образцу приборы, с помощью которых можно обнаружить обрыв внутренних электрических цепей испытуемого образца во время испытаний.
3) Оборачивают испытуемый образец вокруг цилиндра из плоского развернутого исходного положения. Если размер испытуемого образца, вдоль которого его оборачивают вокруг цилиндра, равен или более радиуса кривизны испытуемого образца, умноженного на 
, испытуемый образец следует обернуть вокруг цилиндра на 360° или более в соответствии с размером образца.
, испытуемый образец следует обернуть вокруг цилиндра на 360° или более в соответствии с размером образца.Для оценки изменения состояния испытанного образца проводят следующие испытания:
- визуальный контроль по 4.1;
- измерение ВАХ и определение максимальной мощности по 4.2;
- испытание изоляции на влагостойкость по 4.12.
Испытанные образцы считают выдержавшими испытания, если:
- при проведении испытаний отсутствовали обрывы электрических цепей в испытуемых образцах;
- отсутствуют видимые функциональные повреждения по ГОСТ Р 56980.1-2022, раздел 8;
- снижение максимальной выходной мощности не превышает 5% значения, полученного при начальных измерениях;
- сопротивление изоляции, измеренное при проведении испытания изоляции на влагостойкость, отвечает требованиям 4.12.5.
(справочное)
СТАНДАРТЕ, В МЭК 61215-2 И МЭК 61730-2
Таблица ДА.1
Испытание | Обозначение испытания в МЭК 61215-2 | Обозначение испытания в МЭК 61730-2 |
MQT 19 | - | |
MQT 19.1 | ||
MQT 19.2 | ||
MQT 01 | MST 01 | |
MQT 06 | MST 02 | |
при выбранных условиях по энергетической освещенности и температуре <1> | MQT 02 | MST 03 |
MQT 07 | - | |
MQT 03 | MST 16 | |
MQT 04 | - | |
Испытание на комплексное воздействие факторов окружающей среды в натурных условиях | MQT 08 | - |
Испытание на стойкость к местному перегреву | MQT 09 | MST 22 |
MQT 10 | MST 54 | |
MQT 11 | MST 51 | |
MQT 12 | MST 52 | |
Испытание на воздействие высокой температуры при высокой влажности | MQT 13 | MST 53 |
MQT 14 | MST 42 | |
MQT 14.1 | ||
испытания надежности закрепления кабелей и проводов <2> | MQT 14.2 | |
MQT 15 | MST 17 | |
Испытание на воздействие статической механической нагрузки | MQT 16 | MST 34 |
MQT 17 | - | |
MQT 18 | - | |
MQT 18.1 | MST 25 | |
MQT 18.2 | MST 07 | |
Испытания на воздействие циклической (динамической) механической нагрузки | MQT 20 | - |
Испытания на деградацию, вызванную высоким напряжением | MQT 21 | - |
Испытание на изгиб (только гибких модулей) | MQT 22 | - |
Испытание маркировки на стойкость к истиранию | - | MST 05 |
Проверка остроты кромок | - | MST 06 |
<1> В ссылках до выхода предыдущей версии стандарта испытание по измерению ВАХ при выбранных условиях по энергетической освещенности и температуре называется "Определение максимальной мощности". <2> Надежность закрепления кабелей и проводов в испытуемых фотоэлектрических модулях проверяют при испытаниях коммутационных коробок по ГОСТ Р 56981-2016, пункт 5.4.12 для подтверждения их соответствия требованиям безопасности. Примечание - Аббревиатура обозначений испытаний расшифровывается следующим образом: - MST - испытание на соответствие требованиям безопасности (measurement safety test); - MQT - испытание на соответствие техническим требованиям (measurement quality test). | ||
(справочное)
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВ И СИСТЕМ, УСТАНОВЛЕННЫЕ
В НАЦИОНАЛЬНЫХ СТАНДАРТАХ
Стандартные условия испытаний (СУИ): | |
- энергетическая освещенность ......................................... | 1000 Вт/м2; |
- температура элемента ...................................................... | 25 °C; |
- спектральный состав: AM 1,5 в соответствии с ГОСТ Р МЭК 60904-3 <*>; | |
- световой поток направлен нормально к воспринимающей поверхности. | |
Условия низкой освещенности (УНО): | |
- энергетическая освещенность ......................................... | 200 Вт/м 2; |
- температура элемента ...................................................... | 25 °C; |
- спектральный состав: AM 1,5 в соответствии с ГОСТ Р МЭК 60904-3 <*>; | |
- световой поток направлен нормально к воспринимающей поверхности. | |
Условия высокой температуры (УВТ): | |
- энергетическая освещенность ......................................... | 1000 Вт/м2; |
- температура элемента ...................................................... | 75 °C; |
- спектральный состав: AM 1,5 в соответствии с ГОСТ Р МЭК 60904-3 <*>; | |
- световой поток направлен нормально к воспринимающей поверхности. | |
Условия низкой температуры (УНТ): | |
- энергетическая освещенность ......................................... | 500 Вт/м2; |
- температура элемента ...................................................... | 15 °C; |
- спектральный состав: AM 1,5 в соответствии с ГОСТ Р МЭК 60904-3 <*>; | |
- световой поток направлен нормально к воспринимающей поверхности. | |
Стандартные внешние условия (СВУ): | |
- суммарная энергетическая освещенность ...................... | 800 Вт/м2; |
- температура окружающей среды ..................................... | 20 °C; |
- скорость ветра ................................................................... | 1 м/с; |
- угол наклона ...................................................................... | 37° +/- 5°; |
- электрическая нагрузка ..................................................... | омическая нагрузка, значение которой выбирается таким образом, чтобы испытуемый образец работал вблизи точки максимальной мощности при СУИ или обеспечиваемая устройством слежения за точкой максимальной мощности; |
- условия монтажа ............................................................... | открытая тыльная сторона. |
Условия номинальной рабочей температуры элемента (НРТЭ): | |
- энергетическая освещенность ......................................... | 800 Вт/м2; |
- температура окружающей среды ..................................... | 20 °C; |
- температура элемента ...................................................... | НРТЭ; |
- спектральный состав: AM 1,5 в соответствии с ГОСТ Р МЭК 60904-3 <*>; | |
- световой поток направлен нормально к воспринимающей поверхности. | |
Условия номинальной рабочей температуры модуля (НРТМ): | |
- энергетическая освещенность ......................................... | 800 Вт/м2; |
- температура окружающей среды ..................................... | 20 °C; |
- температура модуля .......................................................... | НРТМ; |
- спектральный состав: AM 1,5 в соответствии с ГОСТ Р МЭК 60904-3 <*>; | |
- световой поток направлен нормально к воспринимающей поверхности. | |
Стандартные условия испытаний фотоэлектрических устройств и систем с концентраторами (СУИК): | |
- энергетическая освещенность ......................................... | 1000 Вт/м2; |
- температура элемента ...................................................... | 25 °C; |
- прямое излучение; | |
- спектральный состав: AM 1,5 в соответствии с ГОСТ Р МЭК 60904-3 <*>; | |
- световой поток направлен нормально к воспринимающей поверхности. | |
Стандартные рабочие условия фотоэлектрических устройств и систем с концентраторами (СРУК): | |
- энергетическая освещенность ......................................... | 900 Вт/м2; |
- температура окружающей среды ..................................... | 20 °C; |
- прямое излучение; | |
- световой поток направлен нормально к воспринимающей поверхности; | |
- спектральный состав: AM 1,5 в соответствии с ГОСТ Р МЭК 60904-3 <*>; | |
- скорость ветра ................................................................... | 2 м/с. |
Примечание - При определении значения энергетической освещенности прямого излучения, направленного нормально к воспринимающей поверхности, для фотоэлектрических приборов и систем с концентраторами, использующих одноосную систему слежения за Солнцем, должна быть сделана поправка на угол падения. | |
Стандартные условия испытаний при двусторонней освещенности (СУИД): | |
- энергетическая освещенность лицевой поверхности ... | 1000 Вт/м2; |
- энергетическая освещенность тыльной поверхности ... | 135 Вт/м2; |
- температура элемента ...................................................... | 25 °C; |
- спектральный состав: AM 1,5 в соответствии с ГОСТ Р МЭК 60904-3 <*>; | |
- световой поток направлен нормально к воспринимающим поверхностям. | |
Условия повышенной двусторонней освещенности (УПДО): | |
- энергетическая освещенность лицевой поверхности ... | 1000 Вт/м2; |
- энергетическая освещенность тыльной поверхности ... | 300 Вт/м2; |
- температура элемента ...................................................... | 25 °C; |
- спектральный состав: AM 1,5 в соответствии с ГОСТ Р МЭК 60904-3 <*>; | |
- световой поток направлен нормально к воспринимающим поверхностям. | |
--------------------------------
<*> С учетом изменений [13].
(справочное)
МЕЖДУНАРОДНЫМ СТАНДАРТАМ, ИСПОЛЬЗОВАННЫМ В КАЧЕСТВЕ
ССЫЛОЧНЫХ В ПРИМЕНЕННОМ МЕЖДУНАРОДНОМ СТАНДАРТЕ
Таблица ДВ.1
Обозначение ссылочного национального стандарта | Степень соответствия | Обозначение и наименование ссылочного международного стандарта |
(МЭК 61215.1:2021) | MOD | IEC 61215-1:2021 "Модули фотоэлектрические наземные. Оценка соответствия техническим требованиям. Часть 1: Требования к испытаниям" |
ГОСТ Р 56981-2016 (МЭК 62790:2014) | MOD | IEC 62790:2014 "Модули фотоэлектрические. Коммутационные коробки. Требования безопасности и испытания" |
(IEC/TS 62804-1:2015) | MOD | IEC/TS 62804-1:2015 "Модули фотоэлектрические. Методы испытания на деградацию, вызванную электрическим потенциалом. Часть 1. Фотоэлектрические модули на основе кристаллического кремния" |
(IEC/TS 62782:2016) | MOD | IEC/TS 62782:2016 "Модули фотоэлектрические. Испытание под циклической (динамической) механической нагрузкой" |
(IEC/TS 62941:2016) | MOD | IEC/TS 62941:2016 "Модули фотоэлектрические наземные. Руководящие указания для повышения достоверности при квалификационной оценке и утверждении типа" |
(МЭК 61140:2016) | MOD | IEC 61140:2016 "Защита от поражения электрическим током. Общие положения для электроустановок и электрооборудования" |
(МЭК 61730-1:2016) | MOD | IEC 61730-1:2016 "Модули фотоэлектрические. Оценка безопасности. Часть 1. Требования безопасности" |
(МЭК 61730-2:2016) | MOD | IEC 61730-2:2016 "Модули фотоэлектрические. Оценка безопасности. Часть 2. Методы испытаний" |
(МЭК 62938:2020) | MOD | IEC 62938:2020 "Модули фотоэлектрические. Испытание на неравномерную снеговую нагрузку" |
MOD | IEC 60068-2-78:2001 "Испытания на воздействие внешних факторов. Часть 2-78. Испытания. Испытание Cab: Влажное тепло, постоянный режим" | |
IDT | IEC 60891:2009 "Приборы фотогальванические. Методики коррекции по температуре и освещенности результатов измерения вольт-амперной характеристики" | |
IDT | IEC 60904-1:2006 "Приборы фотоэлектрические. Часть 1. Измерение вольт-амперных характеристик" | |
IDT | IEC 60904-2:2007 "Государственная система обеспечения единства измерений. Приборы фотоэлектрические. Часть 2. Требования к эталонным солнечным элементам" | |
IDT | IEC 60904-3:2008 "Приборы фотоэлектрические. Часть 3. Принципы измерения параметров наземных фотоэлектрических солнечных приборов со стандартными характеристиками спектральной плотности интенсивности падающего излучения" | |
IDT | IEC 60904-7:2008 "Приборы фотоэлектрические. Часть 7. Подсчет ошибки из-за спектрального несоответствия при испытаниях фотоэлектрических приборов" | |
IDT | IEC 60904-8:1998 "Приборы фотоэлектрические. Часть 8. Руководство по измерению спектральной чувствительности фотоэлектрического прибора" | |
IDT | IEC 60904-9:2007 "Приборы фотоэлектрические. Часть 9. Требования к характеристикам имитаторов солнечного излучения" | |
IDT | IEC 60904-10:2009 "Приборы фотоэлектрические. Часть 10. Методы определения линейности характеристик" | |
Примечание - В настоящей таблице использованы следующие условные обозначения степени соответствия стандартов: - IDT - идентичные стандарты, - MOD - модифицированные стандарты. | ||
(справочное)
ПРИМЕНЕННОГО В НЕМ МЕЖДУНАРОДНОГО СТАНДАРТА
Таблица ДГ.1
Структура настоящего стандарта | Структура международного стандарта МЭК 61215-2:2021 |
1 Область применения | 1 Область применения |
2 Нормативные ссылки | 2 Нормативные ссылки |
3 Стабилизация (4.19) | 3 Термины и определения |
3.1 Общие положения (4.19.1) | 4 Проведение испытаний |
3.2 Критерий завершения стабилизации (4.19.2) | 4.1 Визуальный контроль (MQT 01) |
3.3 Методы стабилизации (4.19.3, 4.19.4) | 4.1.1 Назначение |
3.3.1 Стабилизация освещением (4.19.3) | 4.1.2 Порядок проведения испытаний |
3.3.2 Альтернативные методы стабилизации (4.19.4) | 4.1.3 Требования к успешным испытаниям |
3.4 Начальная стабилизация (4.19.5) | 4.2 Определение максимальной мощности (MQT 02) |
3.5 Конечная стабилизация (4.19.6) | 4.2.1 Назначение |
4 Испытания | 4.2.2 Оборудование для проведения испытаний |
4.1 Визуальный контроль | 4.2.3 Порядок проведения испытаний |
4.1.1 Назначение | 4.3 Измерение сопротивления изоляции (MQT 03) |
4.1.2 Испытательное оборудование | 4.3.1 Назначение |
4.1.3 Проведение испытания (4.1.2) | 4.3.2 Оборудование для проведения испытаний |
4.1.4 Оценка результатов испытаний (4.1.3) | 4.3.3 Условия испытаний |
4.2 Измерение вольт-амперных характеристик | 4.3.4 Порядок проведения испытаний |
4.2.1 Общие положения | 4.3.5 Требования к успешным испытаниям |
4.2.2 Испытательное оборудование | 4.4 Определение температурных коэффициентов (MQT 04) |
4.2.3 Измерение вольт-амперных характеристик при стандартных условиях испытаний (4.6) | 4.5 Раздел-заполнитель, ранее НРТМ |
4.2.4 Измерение вольт-амперных характеристик при выбранных условиях по энергетической освещенности и температуре (4.2) | 4.6 Характеристики при СУИ (MQT 06.1) |
4.2.5 Измерение вольт-амперных характеристик в условиях низкой освещенности (4.7) | 4.6.1 Назначение |
4.3 Измерение сопротивления изоляции | 4.6.2 Оборудование для проведения испытаний |
4.3.1 Назначение | 4.6.3 Порядок проведения измерений при СУИ (MQT 06.1) |
4.3.2 Испытательное оборудование и материалы | 4.7 Характеристики при низкой энергетической освещенности (MQT 07) |
4.3.3 Условия испытаний | 4.7.1 Назначение |
4.3.4 Проведение испытания | 4.7.2 Оборудование для проведения испытаний |
4.3.5 Заключительные испытания | 4.7.3 Порядок проведения испытаний |
4.3.6 Оценка результатов испытаний | 4.8 Натурные испытания (MQT 08) |
4.4 Определение температурных коэффициентов | 4.8.1 Назначение |
4.5 Испытание на комплексное воздействие факторов окружающей среды в натурных условиях (4.8) | 4.8.2 Оборудование для проведения испытаний |
4.5.1 Назначение (4.8.1) | 4.8.3 Порядок проведения испытаний |
4.5.2 Испытательное оборудование (4.8.2) | 4.8.4 Завершающие измерения |
4.5.3 Проведение испытания (4.8.3) | 4.8.5 Требования к успешным испытаниям |
4.5.4 Заключительные испытания (4.8.4) | 4.9 Испытания на стойкость к местному перегреву (MQT 09) |
4.5.5 Оценка результатов испытаний (4.8.5) | 4.9.1 Назначение |
4.6 Испытания на стойкость к местному перегреву (4.9) | 4.9.2 Явление местного перегрева |
4.6.1 Назначение (4.9.1, 4.9.5.1) | 4.9.3 Классификация соединений фотоэлектрических элементов |
4.6.2 Местный перегрев в фотоэлектрических модулях (4.9.2) | 4.9.4 Оборудование для проведения испытаний |
4.6.3 Типы соединений фотоэлектрических элементов, защищенных одним шунтирующим диодом (4.9.3) | 4.9.5 Порядок проведения испытаний |
4.6.4 Испытательное оборудование (4.9.4) | 4.9.6 Завершающие измерения |
4.6.5 Испытание фотоэлектрических модулей на основе фотоэлектрических элементов на полупроводниковой пластине (4.9.5.2) | 4.9.7 Требования к успешным испытаниям |
4.6.6 Испытания тонкопленочных фотоэлектрических модулей | 4.10 Испытание на воздействие ультрафиолетового излучения (MQT 10) |
4.6.7 Заключительные испытания (4.9.6) | 4.10.1 Назначение |
4.6.8 Оценка результатов испытаний (4.9.7) | 4.10.2 Оборудование для проведения испытаний |
4.7 Испытание на воздействие ультрафиолетового излучения (4.10) | 4.10.3 Порядок проведения испытаний |
4.7.1 Назначение (4.10.1) | 4.10.4 Завершающие измерения |
4.7.2 Испытательное оборудование (4.10.2) | 4.10.5 Требования к успешным испытаниям |
4.7.3 Проведение испытания (4.10.3) | 4.11 Термоциклирование (MQT 11) |
4.7.4 Заключительные испытания (4.10.4) | 4.11.1 Назначение |
4.7.5 Оценка результатов испытаний (4.10.5) | 4.11.2 Оборудование для проведения испытаний |
4.8 Термоциклирование (4.11) | 4.11.3 Порядок проведения испытаний |
4.8.1 Назначение (4.11.1) | 4.11.4 Завершающие измерения |
4.8.2 Испытательное оборудование (4.11.2) | 4.11.5 Требования к успешным испытаниям |
4.8.3 Проведение испытания (4.11.3) | 4.12 Термоциклирование при высокой влажности (MQT 12) |
4.8.4 Заключительные испытания (4.11.4) | 4.12.1 Назначение |
4.8.5 Оценка результатов испытаний (4.11.5) | 4.12.2 Оборудование для проведения испытаний |
4.9 Термоциклирование при высокой влажности (4.12) | 4.12.3 Порядок проведения испытаний |
4.9.1 Назначение (4.12.1) | 4.12.4 Завершающие измерения |
4.9.2 Испытательное оборудование (4.12.2) | 4.12.5 Требования к успешным испытаниям |
4.9.3 Проведение испытания (4.12.3) | 4.13 Испытание на воздействие высокой влажности при высокой температуре (MQT 13) |
4.9.4 Заключительные испытания (4.12.4) | 4.13.1 Назначение |
4.9.5 Оценка результатов испытаний (4.12.5) | 4.13.2 Оборудование для проведения испытаний |
4.10 Испытание на воздействие высокой температуры при высокой влажности (4.13) | 4.13.3 Порядок проведения испытаний |
4.10.1 Назначение (4.13.1) | 4.13.4 Завершающие измерения |
4.10.2 Проведение испытания (4.13.2) | 4.13.5 Требования к успешным испытаниям |
4.10.3 Заключительные испытания (4.13.3) | 4.14 Испытания надежности средств внешних соединений (MQT 14) |
4.10.4 Оценка результатов испытаний (4.13.4) | 4.14.1 Назначение |
4.11 Испытания надежности средств внешних соединений (4.14) | 4.14.2 Проверка надежности крепления коммутационной коробки (MQT 14.1) |
4.11.1 Назначение (4.14.1) | 4.14.3 Испытания надежности закрепления кабелей и проводов (MQT 14.2) |
4.11.2 Проверка надежности крепления коммутационной коробки (4.14.2) | 4.15 Испытание изоляции на влагостойкость (MQT 15) |
4.11.3 Испытания надежности закрепления кабелей и проводов (4.14.3) | 4.15.1 Назначение |
4.12 Испытание изоляции на влагостойкость (4.15) | 4.15.2 Оборудование для проведения испытаний |
4.12.1 Назначение (4.15.1) | 4.15.3 Порядок проведение испытаний |
4.12.2 Испытательное оборудование (4.15.2) | 4.15.4 Требования к успешным испытаниям |
4.12.3 Проведение испытания (4.15.3) | 4.16 Испытание на воздействие статической механической нагрузки (MQT 16) |
4.12.4 Заключительные испытания (-) | 4.16.1 Назначение |
4.12.5 Оценка результатов испытаний (4.15.4) | 4.16.2 Оборудование для проведения испытаний |
4.13 Испытание на воздействие статической механической нагрузки (4.16) | 4.16.3 Порядок проведения испытаний |
4.13.1 Общие положения (4.16.1) | 4.16.4 Завершающие измерения |
4.13.2 Испытательное оборудование (4.16.2) | 4.16.5 Требования к успешным испытаниям |
4.13.3 Проведение испытания (4.16.3) | 4.17 Испытание на стойкость к ударам града (MQT 17) |
4.13.4 Заключительные испытания (4.16.4) | 4.17.1 Назначение |
4.13.5 Оценка результатов испытаний (4.16.5) | 4.17.2 Оборудование для проведения испытаний |
4.14 Испытание на стойкость к ударам града (4.17) | 4.17.3 Порядок проведения испытаний |
4.14.1 Назначение (4.17.1) | 4.17.4 Завершающие измерения |
4.14.2 Испытательное оборудование (4.17.2) | 4.17.5 Требования к успешным испытаниям |
4.14.3 Проведение испытания (4.17.3) | 4.18 Испытания шунтирующих диодов (MQT 18) |
4.14.4 Заключительные испытания (4.17.4) | 4.18.1 Испытание шунтирующих диодов на термостойкость (MQT 18.1) |
4.14.5 Оценка результатов испытаний (4.17.5) | 4.18.2 Испытание шунтирующих диодов на работоспособность (MQT 18.2) |
4.15 Испытания шунтирующих/блокирующих диодов (4.18) | 4.19 Стабилизация (MQT 19) |
4.15.1 Испытание шунтирующих/блокирующих диодов на термостойкость (4.18.1) | 4.19.1 Общие положения |
4.15.2 Испытание шунтирующих/блокирующих диодов на работоспособность (4.18.2) | 4.19.2 Критерий стабилизации |
4.16 Испытание маркировки на стойкость к истиранию (-) | 4.19.3 Стабилизация освещением |
4.17 Испытание на воздействие циклической (динамической) механической нагрузки (4.20) | 4.19.4 Прочие методы стабилизации |
4.17.1 Назначение (4.20.1) | 4.19.5 Начальная стабилизация (MQT 19.1) |
4.17.2 Проведение испытаний (4.20.2) | 4.19.6 Конечная стабилизация (MQT 19.2) |
4.17.3 Заключительные испытания (4.20.3) | 4.19.7 Светоиндуцированная борокислородная стабилизация - BO LID (MQT 19.3) |
4.17.4 Оценка результатов испытаний (4.20.4) | 4.20 Испытание на воздействие циклической (динамической) механической нагрузки (MQT 20) |
4.18 Испытание на деградацию, вызванную высоким напряжением (4.21) | 4.20.1 Назначение |
4.18.1 Назначение (4.21.1) | 4.20.2 Порядок проведения испытаний |
4.18.2 Проведение испытания (4.21.2) | 4.20.3 Завершающие измерения |
4.18.3 Заключительные испытания (4.21.3) | 4.20.4 Требования к успешным испытаниям |
4.18.4 Оценка результатов испытаний (4.21.4) | 4.21 Испытание на деградацию, вызванную высоким напряжением (MQT 21) |
4.19 Испытание на изгиб (4.22) | 4.21.1 Назначение |
4.19.1 Назначение (4.22.1) | 4.21.2 Образцы |
4.19.2 Испытательное оборудование (4.22.2) | 4.21.3 Оборудование для проведения испытаний |
4.19.3 Проведение испытания (4.22.3) | 4.21.4 Порядок проведения испытаний |
4.19.4 Заключительные испытания (4.22.4) | 4.21.5 Завершающие измерения |
4.19.5 Оценка результатов испытаний (4.22.5) | 4.21.6 Требования к успешным испытаниям |
Приложение ДА Обозначение методов испытаний, установленных в настоящем стандарте, МЭК 61215-2 и МЭК 61730-2 | 4.22 Испытание на изгиб (MQT 22) |
Приложение ДБ Условия испытаний для определения выходных характеристик фотоэлектрических устройств и систем, установленные в национальных стандартах | 4.22.1 Назначение |
Приложение ДВ Сведения о соответствии ссылочных национальных стандартов международным стандартам, использованным в качестве ссылочных в примененном международном стандарте | 4.22.2 Оборудование для проведения испытаний |
Приложение ДГ Сопоставление структуры настоящего стандарта со структурой примененного в нем международного стандарта | 4.22.3 Порядок проведения испытаний |
4.22.4 Завершающие измерения | |
4.22.5 Требования к успешным испытаниям | |
Приложение A Рекомендации для обеспечения требуемого воздействия статической механической нагрузки с помощью портального крана (MQT 16) | |
Библиография | |
Примечание - После заголовков разделов (подразделов) настоящего стандарта приведены в скобках номера аналогичных им разделов (подразделов, пунктов) международного стандарта. | |
МЭК 61215-1-1:2021 | Модули наземные фотоэлектрические. Оценка соответствия техническим требованиям. Часть 1-1. Специальные требования к испытаниям фотоэлектрических модулей на основе кристаллического кремния [Terrestrial photovoltaic (PV) modules - Design qualification and type approval - Part 1-1: Special requirements for testing of crystalline silicon photovoltaic (PV) modules] | |
МЭК 61215-1-2:2022 | Модули наземные фотоэлектрические. Оценка соответствия техническим требованиям. Часть 1-2. Специальные требования к испытаниям фотоэлектрических тонкопленочных модулей на основе теллурида кадмия (CdTe) [Terrestrial photovoltaic (PV) modules - Design qualification and type approval - Part 1-2: Special requirements for testing of thin-film Cadmium Telluride (CdTe) based photovoltaic (PV) modules] | |
МЭК 62108:2022 | Модули фотоэлектрические концентраторные (CPV) и узлы в сборе. Оценка конструкции и одобрение типа продукции [Concentrator photovoltaic (CPV) modules and assemblies - Design qualification and type approval] | |
IEC/TS 63126:2020 | Руководящие указания по оценке фотоэлектрических модулей, компонентов и материалов для эксплуатации при высоких температурах (Guidelines for qualifying PV modules, components and materials for operation at high temperatures) | |
МЭК 62506:2013 | Методы ускоренных испытаний изделий (Methods for product accelerated testing) | |
IEC 60904-1-1:2017 | Приборы фотоэлектрические. Часть 1-1. Измерение вольт-амперных характеристик многопереходных фотоэлектрических приборов [Photovoltaic devices - Part 1-1: Measurement of current-voltage characteristics of multi-junction photovoltaic (PV) devices] | |
МЭК 60904-8-1:2017 | Приборы фотоэлектрические. Часть 8-1. Измерение спектральной чувствительности многопереходных фотоэлектрических приборов [Photovoltaic devices - Part 8-1: Measurement of spectral responsivity of multi-junction photovoltaic (PV) devices] | |
IEC/TS 60904-1-2:2019 | Приборы фотоэлектрические. Часть 1-2. Измерение вольт-амперных характеристик двусторонних фотоэлектрических приборов [Photovoltaic devices - Part 1-2: Measurement of current-voltage characteristics of bifacial photovoltaic (PV) devices] | |
МЭК 60904-9:2020 | Приборы фотоэлектрические. Часть 9. Классификация характеристик имитаторов солнечного излучения (Photovoltaic devices - Part 9: Classification of solar simulator characteristics) | |
IEC/TR 60904-14:2020 | Приборы фотоэлектрические. Часть 14. Руководящие указания по проведению линейных измерений максимальной выходной мощности однопереходных фотоэлектрических модулей и составлению отчетов при стандартных условиях испытаний (Photovoltaic devices - Part 14: Guidelines for production line measurements of single-junction PV module maximum power output and reporting at standard test conditions) | |
МЭК 60904-2:2015 | Приборы фотоэлектрические. Часть 2. Требования к эталонным фотоэлектрическим приборам (Photovoltaic devices - Part 2: Requirements for photovoltaic reference devices) | |
МЭК 60904-8:2014 | Приборы фотоэлектрические. Часть 8. Измерение спектральной чувствительности фотоэлектрического прибора [Photovoltaic devices - Part 8: Measurement of spectral responsivity of a photovoltaic (PV) device] | |
МЭК 60904-3:2016 | Приборы фотоэлектрические. Часть 3. Принципы измерения характеристик фотоэлектрических приборов с учетом стандартной спектральной плотности энергетической освещенности наземного солнечного излучения [Photovoltaic devices - Part 3: Measurement principles for terrestrial photovoltaic (PV) solar devices with reference spectral irradiance data] | |
МЭК 60904-7:2019 | Приборы фотоэлектрические. Часть 7. Вычисление поправки на спектральное несоответствие при испытаниях фотоэлектрических приборов (Photovoltaic devices - Part 7: Computation of the spectral mismatch correction for measurements of photovoltaic devices) | |
МЭК 60068-2-21:2006 | Испытания на воздействие внешних факторов. Часть 2-21. Испытания. Испытание U. Прочность выводов и неразъемных крепежных устройств (Environmental testing - Part 2-21: Tests - Test U: Robustness of terminations and integral mounting devices) | |
IEC/TS 62804-2:2022 | Модули фотоэлектрические. Испытания на деградацию, вызванную высоким напряжением. Часть 2. Тонкие пленки [Photovoltaic (PV) modules - Test methods for the detection of potential-induced degradation - Part 2: Thin-film] |
УДК 697.329:006.354 | ОКС 27.160 |
Ключевые слова: модули фотоэлектрические, фотоэлектрические модули для наземного применения, обычные климатические зоны, испытания, электрические характеристики, прочностные характеристики, стойкость к внешним воздействиям | |
Вернуться в "Каталог нормативных документов"
Источник информации: https://internet-law.ru/documents/prod/gost-r_gosudarstvennyj-standart/20/gost_60737.html
На правах рекламы:
|
© Антон Серго, 1998-2026.
|
Разработка сайта |
|