Основные ссылки
|
ОписаниеИсточник публикации М.: ФГБУ "РСТ", 2021 Примечание к документу Документ введен в действие с 01.03.2022. Название документа "ГОСТ Р 59605-2021. Национальный стандарт Российской Федерации. Оптика и фотоника. Приемники излучения полупроводниковые. Фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения" (утв. и введен в действие Приказом Росстандарта от 12.10.2021 N 1136-ст) "ГОСТ Р 59605-2021. Национальный стандарт Российской Федерации. Оптика и фотоника. Приемники излучения полупроводниковые. Фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения"
(утв. и введен в действие Приказом Росстандарта от 12.10.2021 N 1136-ст)
Утвержден и введен в действие по техническому регулированию
и метрологии
от 12 октября 2021 г. N 1136-ст
НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
ОПТИКА И ФОТОНИКА
ПРИЕМНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ.
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОПРИЕМНЫЕ УСТРОЙСТВА
ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ
Optics and photonics. Semiconducting photoelectric
detectors. Photoelectric and photoreceiving
devices. Terms and definitions
ГОСТ Р 59605-2021
Дата введения
1 марта 2022 года
1 РАЗРАБОТАН Федеральным государственным унитарным предприятием "Научно-исследовательский институт физической оптики, оптики лазеров и информационных оптических систем Всероссийского научного центра "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова" (ФГУП "НИИФООЛИОС ВНЦ "ГОИ им. С.И. Вавилова") и Акционерным обществом "Научно-производственное объединение "Орион" (АО "НПО "Орион")
2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 296 "Оптика и фотоника"
3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 12 октября 2021 г. N 1136-ст 4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ
Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. N 162-ФЗ "О стандартизации в Российской Федерации". Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе "Национальные стандарты", а официальный текст изменений и поправок - в ежемесячном информационном указателе "Национальные стандарты". В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя "Национальные стандарты". Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования - на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.rst.gov.ru)
Установленные в настоящем стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.
Термины-синонимы без пометы "Нрк" приведены в качестве справочных данных и не являются стандартизованными.
Заключенная в круглые скобки часть термина может быть опущена при использовании термина в документах по стандартизации.
Наличие квадратных скобок в терминологической статье означает, что в нее включены два или более термина, имеющие общие терминоэлементы.
В алфавитном указателе данные термины приведены отдельно с указанием номера статьи. Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.
В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение не приводится и вместо него ставится прочерк.
В стандарте приведены иноязычные эквиваленты стандартизованных терминов на английском языке.
Термины и определения общетехнических понятий, необходимых для понимания текста стандарта, приведены в приложении А. Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткие формы, представленные аббревиатурой, - светлым.
Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий в области фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств, а также буквенные обозначения фотоэлектрических параметров и характеристик.
Термины, установленные настоящим стандартом, рекомендуются для применения во всех видах документации и литературы в области фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств, входящих в сферу действия работ по стандартизации и использующих результаты этих работ.
Основные термины и определения
1 фоточувствительный полупроводниковый прибор: Полупроводниковый прибор, чувствительный к электромагнитному излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра. | photosensitive semiconductor device |
2 фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения; ФЭПП: Фоточувствительный полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на внутреннем фотоэффекте в полупроводнике. | photoelectric semiconducting detector; photodetector |
3 фотоприемное устройство; ФПУ: Фоточувствительный полупроводниковый прибор, состоящий из фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и схемы предварительного усиления и обработки фотосигнала в гибридном или интегральном исполнении, объединенных в единую конструкцию. Примечание - Гибридные ФПУ подразделяют на поколения: - к ФПУ первого поколения относят ФПУ, не включающие в состав большой интегральной схемы (БИС) считывания; также этим термином обозначают и негибридные ФПУ, не включающие в состав БИС считывания; - к ФПУ второго поколения относят ФПУ с БИС считывания, имеющие формат до 1280 x 1024, каждый пиксель которого передает только информацию об уровне собственной облученности в одном спектральном диапазоне; - к ФПУ третьего поколения относят ФПУ с БИС считывания, обладающие одним из следующих свойств: формат более 1280 x 1024, но менее 1920 x 1080; возможность раздельного приема пикселем излучения в двух и более спектральных диапазонах; возможность измерения временной задержки прихода сигнала в каждом пикселе, аналого-цифровое преобразование непосредственно в элементе БИС считывания и т.д.; - к ФПУ четвертого поколения относят ФПУ с БИС считывания, имеющие формат более 1920 x 1080 или обладающие двумя или более свойствами, присущими ФПУ третьего поколения (кроме формата). | photoreceiving device |
Типы фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения
4 многоспектральный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения; многоспектральный ФЭПП: ФЭПП, содержащий два и более фоточувствительных элемента с различными диапазонами спектральной чувствительности. | multi-band photodetector |
5 одноэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения; одноэлементный ФЭПП: ФЭПП, содержащий один фоточувствительный элемент. | single-element photodetector |
6 многоэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения; многоэлементный ФЭПП: ФЭПП с числом фоточувствительных элементов более одного. Примечание - Допускается применять термин "двух-, трех-, четырехэлементный" ФЭПП. | multi-element photodetector |
7 координатный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения; координатный ФЭПП: ФЭПП, по выходу сигнала которого определяют координаты светового пятна на фоточувствительной поверхности. | position-sensitive photodetector |
8 гетеродинный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения; гетеродинный ФЭПП: ФЭПП, предназначенный для гетеродинного приема излучения. | heterodyne photodetector |
9 иммерсионный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения; иммерсионный ФЭПП: ФЭПП, содержащий иммерсионный сигнал. | immersed photodetector |
10 фоторезистор: ФЭПП, принцип действия которого основан на эффекте фотопроводимости. | photoresistor; photoconductive cell |
11 фотодиод: Полупроводниковый диод с p - n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фотогальванический эффект. | photodiode |
12 pin-фотодиод: Фотодиод, дырочная и электронная области которого разделены слоем материала с проводимостью, близкой к собственной. | pin-photodiode |
13 фотодиод с барьером Шоттки: Фотодиод, запирающий слой которого образован контактом полупроводника с металлом. | Schottky-barrier photodiode |
14 фотодиод с гетеропереходом: Фотодиод, электронно-дырочный переход которого образован двумя полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны. Примечание - Переход может быть образован сложными полупроводниковыми соединениями с изменяющейся шириной запрещенной зоны. | heterojunction photodiode |
15 лавинный фотодиод: Фотодиод с внутренним усилием, принцип действия которого основан на явлении ударной ионизации атомов фотоносителями в сильном электрическом поле. | avalanche photodiode |
16 инжекционный фотодиод: Фотодиод, работающий в режиме внутреннего усиления фотосигнала за счет инжекции свободных носителей заряда. | injection photodiode |
17 фототранзистор: Транзистор, в котором используется фотоэлектрический эффект. | phototransistor |
18 полевой фототранзистор: Фототранзистор, фоточувствительный элемент которого содержит структуру полевого транзистора. | field effect phototransistor |
19 биполярный фототранзистор: Фототранзистор, фоточувствительный элемент которого содержит структуру биполярного транзистора. | bipolar phototransistor |
20 охлаждаемый фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения; охлаждаемый ФЭПП: ФЭПП, работающий со специальной системой охлаждения для понижения температуры фоточувствительного элемента. | cooled photodetector |
Типы фотоприемных устройств
21 одноэлементное фотоприемное устройство; одноэлементное ФПУ: ФПУ, в котором используется одноэлементный ФЭПП. | single-element photoreceiving device |
22 многоэлементное фотоприемное устройство с разделенными каналами; многоэлементное ФПУ с разделенными каналами: ФПУ, имеющее два и более фоточувствительных элемента, с независимой обработкой фотосигнала, снимаемого с каждого элемента, и числом выходов, равным числу фоточувствительных элементов. | multi-element photoreceiving device with separate channels |
23 многоэлементное фотоприемное устройство с внутренней коммутацией; многоэлементное ФПУ с внутренней коммутацией: ФПУ с числом фоточувствительных элементов два и более, в котором происходит коммутация их сигналов так, что выходов ФПУ меньше, чем число фоточувствительных элементов. Примечание - Многоэлементные ФПУ с внутренней коммутацией разделяют на матричные и линейные: - у матричного ФПУ фоточувствительные элементы сформированы в двухмерный массив, число элементов которого по одной из двух осей в плоскости матрицы не превышает линейный размер и число элементов по другой оси более чем в 10 раз; - у линейного ФПУ фоточувствительные элементы сформированы в двухмерный массив, число элементов которого по одной из двух осей в плоскости матрицы превышает линейный размер и число элементов по другой оси более чем в 10 раз. | multi-element photoreceiving device with internally commutation |
24 многоспектральное фотоприемное устройство; многоспектральное ФПУ: ФПУ, содержащее многоспектральный ФЭПП. | multi-band photoreceiving device |
25 фоточувствительный полупроводниковый сканистор: Фоточувствительный полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на внутреннем непрерывном сканировании поля изображения при подаче на управляющие электроды приборы пилообразного напряжения развертки. | photosensitive semiconductor scanistor |
26 охлаждаемое фотоприемное устройство; охлаждаемое ФПУ: ФПУ, в котором для обнаружения и (или) измерения оптического излучения используют охлаждаемый ФЭПП. | cooled photoreceiving device |
27 монолитное фотоприемное устройство; монолитное ФПУ: ФПУ, выполненное единым технологическим циклом на едином кристалле или подложке. | monolictical photoreceiving device |
28 гибридное фотоприемное устройство; гибридное ФПУ: ФПУ, выполненное объединением в единой интегральной схеме частей, полученных путем различных технологических циклов. | hybrid photoreceiving device |
29 фотоприемный модуль: Прибор, содержащий в составе ФПУ и блок электронной обработки изображения, осуществляющий обработку сигналов и их выдачу по промышленному или иному интерфейсу. Примечания 1 К фотоприемному модулю, работающему в качестве тепловизора, допускается применять термин "модуль формирования тепловизионного видеосигнала". 2 Допускается применять термин "фотоприемный модуль на основе ФПУ X поколения", что означает фотоприемный модуль, содержащий в составе ФПУ X поколения. В буквенном обозначении вместо "X" следует указывать буквенное обозначение или цифру, обозначающую соответствующее поколение ФПУ. | camera module; camera |
30 режим ограничения флуктуациями числа фотонов фона (ФЭПП); режим ОФ ФЭПП: Условия, при которых обнаружительная способность ФЭПП определяется флуктуациями числа фотонов теплового излучения фона. | background limited mode (of a photodetector) |
31 режим оптической генерации (ФЭПП); режим ОГ ФЭПП: Режим работы ФЭПП, при котором число свободных носителей заряда, генерированных излучением, превышает число термически генерированных носителей. | optical generation mode (of a photodetector) |
32 режим термической генерации (ФЭПП); режим ТГ ФЭПП: Режим работы ФЭПП, при котором число свободных носителей заряда в отсутствие полезного сигнала определяется только термической генерацией. | thermal generation mode (of a photodetector) |
33 фотодиодный режим: Режим работы фотодиода без внутреннего усиления при рабочем напряжении, приложенном в обратном направлении. | back-biased operation mode |
34 лавинный режим работы фотодиода: Режим работы фотодиода с внутренним усилением, который обеспечивается лавинным размножением носителей заряда при обратном смещении электронно-дырочного перехода. | avalanche mode of photodiode operation |
35 фотогальванический режим работы фотодиода: Режим работы фотодиода без внешнего источника напряжения. | zero-bias mode of photodiode operation; photovoltaic mode of photodiode operation |
36 режим работы фототранзистора с плавающей базой: Режим работы биполярного фототранзистора при разомкнутой цепи базы с запирающим напряжением на коллекторе. | floating-base mode of phototransistor operation |
37 режим короткого замыкания (ФЭПП): Режим работы ФЭПП, при котором внешнее нагрузочное сопротивление пренебрежимо мало по сравнению с выходным динамическим сопротивлением ФЭПП. | short-circuit mode of photodetector operation |
38 режим холостого хода (ФЭПП): Режим работы ФЭПП, при котором его выходное динамическое сопротивление пренебрежимо мало по сравнению с сопротивлением нагрузки. | open-circuit mode of photodetector operation |
39 режим работы (ФЭПП) с согласованной нагрузкой: Режим работы ФЭПП, при котором его сопротивление нагрузки равно выходному динамическому сопротивлению. | matched impedance mode of photodetector operation |
40 режим оптического гетеродинного приема (ФЭПП): Режим работы ФЭПП, при котором происходит смешение полезного сигнала с сигналом от гетеродина, за счет чего достигается усиление полезного сигнала. | heterodyne reception mode of photodetector operation |
41 режим временной задержки накопления (ФПУ); режим ВЗН ФПУ: Режим работы ФПУ, при котором происходит накопление сигнала от одного и того же участка изображения несколькими фоточувствительными элементами, их запоминание и последующее суммирование. Примечание - Режим временной задержки накопления ФПУ достигается за счет расположения фоточувствительных элементов (ФЧЭ) вдоль направления сканирования (перемещения изображения) и временной задержки начала накопления, синхронизованной с движением изображения. | time-delay integration photoreceiving device mode, TDI |
Конструктивные элементы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и фотоприемного устройства
42 фоточувствительный элемент [пиксель] фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения; ФЧЭ ФЭПП; пиксель ФЭПП: Часть монокристалла или полупроводникового слоя, обладающего свойствами внутреннего фотоэффекта, имеющего определенную форму, расположение и геометрические размеры, предназначенная для приема оптического излучения. Примечание - Для ФПУ второго и последующих поколений наряду с термином "фоточувствительный элемент" используют термин "пиксель", имеющий аналогичное значение. | photodetector sensitive element; photodetector pixel |
43 вывод фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения; вывод ФЭПП: Элемент конструкции корпуса ФЭПП, необходимый для соединения соответствующего электрода с внешней электрической цепью. | photodetector terminal |
44 контакт фоточувствительного элемента [пикселя] фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения; контакт ФЧЭ ФЭПП; контакт пикселя ФЭПП: Участок ФЧЭ, обеспечивающий электрическую связь вывода ФЭПП с ФЧЭ. | photodetector pin |
45 корпус фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения; корпус ФЭПП: Часть конструкции ФЭПП, предназначенная для защиты ФЭПП от воздействия окружающей среды и присоединения его к внешним схемам с помощью выводов. | photodetector package |
46 иммерсионный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения; иммерсионный элемент ФЭПП: Оптический элемент, находящийся в оптическом контакте с ФЧЭ ФЭПП и предназначенный для концентрации потока излучения. | photodetector optical immersion element |
47 подложка фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения; подложка ФЭПП: Конструктивный элемент ФЭПП с нанесенным фоточувствительным слоем. | photodetector film base |
48 входное окно фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения; входное окно ФЭПП: Оптический элемент, входящий в конструкцию корпуса ФЭПП и пропускающий излучение к ФЧЭ. | photodetector input window |
49 апертурная [холодная] диафрагма фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения; апертурная диафрагма ФЭПП; холодная диафрагма ФЭПП: Конструктивный элемент, ограничивающий эффективное поле зрения ФЭПП. Примечание - Для охлаждаемых ФПУ второго и последующих поколений наряду с термином "апертурная диафрагма ФЭПП" применяют термин "холодная диафрагма ФЭПП" ("cold-stop"). | photodetector aperture stop; photodetector cold-stop |
50 выход [канал] фотоприемного устройства; выход ФПУ; канал ФПУ: Часть ФПУ, обеспечивающая связь ФПУ с внешней электрической цепью. Примечание - Для ФПУ второго и последующих поколений выходы ФПУ называют "каналами". При передаче по каналам сигналов в цифровом виде ФПУ называют ФПУ с цифровыми выходами. | photoreceiving device output; photoreceiving device channel |
51 большая интегральная схема считывания; БИС считывания: Интегральная схема, считывающая сигнал с ФЧЭ путем накопления фототока и его коммутацию таким образом, что число ее выходов меньше, чем число ФЧЭ. Примечание - Каждый элемент в БИС считывания соединен с накопительной емкостью, которую называют "ячейкой накопления". Уровень заполнения ячейки накопления - это отношение текущего заряда ячейки к максимально возможному значению заряда. | readout integrated circuit; ROIC |
52 дефектный фоточувствительный элемент [пиксель]; дефектный ФЧЭ: ФЧЭ ФЭПП, параметры которого не соответствуют требованиям, установленным в нормативном или техническом документе. Примечания 1 Число дефектных элементов определяют их счетом. 2 Долю дефектных ФЧЭ вычисляют по формуле  , (1) где Mдеф - число дефектных ФЧЭ, шт.; M - число всех ФЧЭ, шт. 3 Недефектным ФЧЭ является ФЧЭ ФЭПП, параметры которого соответствуют требованиям, установленным в нормативном или техническом документе. 4 Долю недефектных ФЧЭ вычисляют по формуле  . (2) 5 Для наименования группы дефектных ФЧЭ, расположенных рядом, т.е. имеющих общие стороны и углы, применяют термин "кластер дефектных ФЧЭ". | bad pixel, dead pixel, defective pixel |
Параметры напряжений, сопротивлений, токов фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
53 рабочее напряжение (ФЭПП) Uр: Постоянное напряжение, приложенное к ФЭПП, при котором обеспечиваются номинальные параметры при длительной его работе. Примечание - Для ФПУ второго и последующих поколений применяют термин "напряжение смещения". | operating voltage (of a photodetector); Uop |
54 пробивное напряжение фотодиода Uпр: Значение обратного напряжения, не вызывающее пробой фотодиода, при котором обратный ток фотодиода достигает заданного значения. | breakdown voltage of a photodiode; UBR |
55 максимально допустимое напряжение (ФЭПП) Umax: Максимальное значение постоянного напряжения, приложенного к ФЭПП, при котором отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной его работе. | maximum admissible voltage (of a photodetector); Umax |
56 электрическая прочность изоляции (ФЭПП) Uиз: Максимально допустимое напряжение между выводами и корпусом ФЭПП, при котором в течение длительного времени не происходит пробоя изоляции или уменьшения сопротивления изоляции. | insulating strength (of a photodetector); Ui |
57 дифференциальное электрическое сопротивление (ФЭПП) Rд: Отношение малых приращений напряжения и тока на ФЭПП. | differential electrical resistance (of a photodetector); Rd |
58 статическое сопротивление (ФЭПП) RС: Отношение постоянного напряжения ФЭПП к проходящему через него постоянному току. | static resistance (of a photodetector); Rs |
59 темновое сопротивление (ФЭПП) RТ: Сопротивление ФЭПП в отсутствие падающего на него излучения в диапазоне его спектральной чувствительности. Примечание - На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП. | dark resistance (of a photodetector); Rd |
60 сопротивление фотодиода при нулевом смещении R0: Сопротивление фотодиода по постоянному току вблизи нулевой точки вольтамперной характеристики при малых напряжениях смещения (около 10 мВ) при отсутствии облучения в диапазоне его спектральной чувствительности. Примечание - На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП. | zero bias resistance of a photodiode; R0 |
61 световое сопротивление (ФЭПП) RЕ: Сопротивление ФЭПП при воздействии на него потока излучения в диапазоне его спектральной чувствительности. | resistance under illumination (of a photodetector); RE, RH |
62 темновой ток (ФЭПП) IТ: Ток, протекающий через ФЭПП при указанном напряжении на нем в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Примечание - На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП. | dark current (of a photodetector); Id |
63 фототок (ФЭПП) Iф: Ток, проходящий через ФЭПП при указанном напряжении на нем, обусловленный только воздействием потока излучения с заданным спектральным распределением. Примечание - Кроме равновесного теплового излучения при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП. | photocurrent (of a photodetector); Ip |
64 общий ток (ФЭПП) Iобщ: Ток ФЭПП, состоящий из темнового тока и фототока. | total current (of a photodetector); Itot |
65 напряжение фотосигнала (ФЭПП) Uс: Изменение напряжения на ФЭПП, вызванное действием на ФЭПП потока излучения источника фотосигнала. Примечания 1 Так как по переменному току нагрузка, как правило, подключена параллельно ФЭПП, то напряжение фотосигнала допускается измерять на нагрузке. 2 Для ФПУ второго и последующих поколений за значение сигнала принимают разницу фотооткликов при заданных уровнях падающего на ФЧЭ ФПУ потока излучения. | photoelectric signal voltage (of a photodetector); Us |
66 ток фотосигнала (ФЭПП) Iс: Изменение тока в цепи ФЭПП, вызванное действием на ФЭПП потока излучения источника фотосигнала. Примечание - Для ФПУ второго и последующих поколений различают значение параметра для пикселя и значение параметра для ФПУ в целом. За значение параметра для ФПУ в целом принимают среднее значение параметра по недефектным элементам. | photoelectric signal current (of a photodetector); Is |
Параметры чувствительности фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
Термины, установленные в терминологических статьях 68 - 77, допускается употреблять в различных комбинациях, например, вольтовая интегральная чувствительность (комбинация терминов 72 и 73), вольтовая монохроматическая чувствительность (комбинация терминов 72 и 74), токовая чувствительность к освещенности и токовая чувствительность к световому потоку (комбинация терминов 71 с 67 и 69). При этом буквенные обозначения формируют из буквенных обозначений терминов, участвующих в комбинации. Если в тексте указана размерность чувствительности, то допускается опускать определяющие и дополняющие слова в комбинируемых терминах.
67 чувствительность (ФЭПП) S: Отношение изменения электрической величины на выходе ФЭПП, вызванного падающим на него излучением, к количественной характеристике этого излучения, представленной любой энергетической или фотометрической величиной. | responsivity (of a photodetector); S |
68 чувствительность (ФЭПП) к потоку излучения  : -. | radiant flux responsivity (of a photodetector);  |
69 чувствительность (ФЭПП) к световому потоку SФ: -. | luminous flux responsivity (of a photodetector);  |
70 чувствительность (ФЭПП) к облученности [освещенности]  (SE): -. | irradiance responsivity responsivity; illumination responsivity (of a photodetector); SEe (SEv) |
71 токовая чувствительность (ФЭПП) SI: -. | current responsivity of a photodetector; SI |
72 вольтовая чувствительность (ФЭПП) SU: -. | voltage responsivity of a photodetector; Sv |
73 интегральная чувствительность (ФЭПП) Sинт: Чувствительность ФЭПП к немонохроматическому излучению заданного спектрального состава. | total responsivity (of a photodetector); Sint |
74 монохроматическая чувствительность (ФЭПП)  : Чувствительность ФЭПП к монохроматическому излучению. | monochromatic responsivity (of a photodetector);  |
75 статическая чувствительность (ФЭПП) Sст: Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением постоянных значений измеряемого параметра фотоприемника и потока излучения. | static responsivity (of a photodetector); Sst |
76 дифференциальная чувствительность (ФЭПП) Sд: Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением малых приращений измеряемого параметра фотоприемника и потока излучения. | differential responsivity (of a photodetector); Sd |
77 импульсная чувствительность (ФЭПП) Sимп: Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением амплитудных значений электрической величины на выходе ФЭПП и импульсного потока излучения заданной формы модуляции. | pulse responsivity (of a photodetector); Sp |
78 наклон люксомической характеристики фоторезистора  : Тангенс угла линейного участка люксомической характеристики фоторезистора, построенной в двойном логарифмическом масштабе. Примечание - Для ФПУ второго и последующих поколений различают значение параметра для пикселя и значение параметра для ФПУ в целом. За значение параметра для ФПУ в целом принимают среднее значение параметра по недефектным элементам. | illuminance-resistance characteristique slope of a photoresistor;  |
Параметры порога и шума фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
79 ток шума (ФЭПП) Iш: Среднее квадратичное значение флуктуации общего тока ФЭПП в заданной полосе частот. | noise current (of a photodetector); In |
80 напряжение шума (ФЭПП) Uш: Среднее квадратичное значение флуктуации напряжения на заданной нагрузке в цепи ФЭПП в заданной полосе частот. | noise voltage (of a photodetector); Un |
81 порог чувствительности (ФЭПП, ФПУ) Ф п; порог: Значение потока излучения, вызывающего приращение сигнала, равного значению шума. Примечания 1 Для ФЭПП и ФПУ первого поколения порог чувствительности - это среднее квадратичное значение первой гармоники действующего на ФЭПП модулированного потока излучения сигнала с заданным спектральным распределением, при котором среднее квадратичное значение первой гармоники напряжения (тока) фотосигнала равно среднему квадратичному значению напряжения (тока) шума в заданной полосе на частоте модуляции потока излучения. 2 Для ФЭПП и ФПУ первого поколения полосу частот выбирают, как правило, в пределах 20% от частоты модуляции так, чтобы изменением спектральной плотности шума в ее пределах можно было пренебречь. | noise equivalent power (of a photodetector and photoreceiving device); Pmin,  |
82 порог чувствительности (ФЭПП) в единичной полосе частот Фп1; порог в единичной полосе частот: Среднее квадратичное значение первой гармоники действующего на ФЭПП модулированного потока излучения источника фотосигнала с заданным спектральным распределением, при котором среднее квадратичное значение первой гармоники напряжения (тока) фотосигнала равно среднему квадратичному значению напряжения (тока) шума, приведенному к единичной полосе на частоте модуляции потока излучения. | unit frequency bandwidth noise equivalent power (of a photodetector); NEP |
83 удельный порог чувствительности (ФЭПП) Ф* п; удельный порог: Порог чувствительности ФЭПП, приведенный к единичной полосе частот и единичному по площади ФЧЭ. | specific noise equivalent power (of a photodetector); NEP* |
84 обнаружительная способность (ФЭПП) D: Величина, обратная порогу чувствительности ФЭПП. | detectivity (of a photodetector); D |
85 удельная обнаружительная способность (ФЭПП) D*: Величина, обратная удельному порогу чувствительности ФЭПП. | specific detectivity (of a photodetector); D* |
86 эквивалентная шуму разность температур (ФЭПП); ЭШРТ: Разница температур объекта, излучающего как абсолютно черное тело, вызывающая изменение сигнала ФЭПП, равное шуму. Примечание - Для ФПУ второго и последующих поколений различают ЭШРТ, определяемое как среднее значение параметра по недефектным элементам, и ЭШРТ, определяемое по изображению испытуемого объекта. | noise equivalent temperature difference (of a photodetector); NETD |
87 радиационный порог чувствительности (ФЭПП)  : Порог чувствительности ФЭПП, шумы которого обусловлены флуктуациями теплового излучения фона заданной температуры. Примечание - Для ФПУ второго и последующих поколений различают значение параметра для пикселя и значение параметра для ФПУ в целом. За значение параметра для ФПУ в целом принимают среднее значение параметра по недефектным элементам. | noise equivalent power of the background limited infrared photodetector; BLIP; PBLIP |
Параметры спектральной характеристики фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
88 длина волны максимума спектральной чувствительности (ФЭПП)  : Длина волны, соответствующая максимуму спектральной характеристики чувствительности. | peak spectral response wavelength (of a photodetector);  |
89 коротковолновая граница спектральной чувствительности (ФЭПП)  : Наименьшая длина волны монохроматического излучения, при которой монохроматическая чувствительность ФЭПП равна 0,1 ее максимального значения. | short-wavelength limit (of a photodetector);  |
90 длинноволновая граница спектральной чувствительности (ФЭПП)  : Наибольшая длина волны монохроматического излучения, при которой монохроматическая чувствительность ФЭПП равна 0,1 ее максимального значения. | long wavelength limit (of a photodetector);  |
91 область спектральной чувствительности (ФЭПП)  : Диапазон длин волн спектральной характеристики ФЭПП, в котором чувствительность ФЭПП составляет не менее 10% своего максимального значения. | spectral sensitivity range (of a photo-detector);  |
Геометрические параметры фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
92 эффективная фоточувствительная площадь (ФЭПП) Aэфф: Площадь ФЧЭ эквивалентного по фотосигналу ФЭПП, чувствительность которого равномерно распределена по ФЧЭ и равна номинальному значению локальной чувствительности данного ФЭПП. Примечание - Эффективную фоточувствительную площадь Aэфф, м2, вычисляют по формуле  , (3) где SN - номинальное значение локальной чувствительности, отн. ед.; S(x, y) - чувствительность к потоку при облучении ФЧЭ точечным пятном с координатами, отн. ед. В качестве номинального значения локальной чувствительности SN, как правило, выбирают максимальную чувствительность точки в центре ФЭПП (в точке x0, y0). Для ФЭПП с резкими неоднородностями чувствительности (микроплазмами, выбросами чувствительности на краях) методику выбора SN указывают дополнительно. | effective photosensitive area (of a photodetector); Aeff |
93 плоский угол зрения (ФЭПП)  : Угол в нормальной к ФЧЭ плоскости между направлениями падения параллельного пучка излучения, при которых напряжение или ток фотосигнала ФЭПП уменьшается до заданного уровня. | angular field of view (of a photodetector);  |
94 эффективное поле зрения (ФЭПП)  : Телесный угол, вычисляемый по формуле  , (4) где Uc - напряжение фотосигнала ФЭПП (допускается замена параметра Uc на Ic, Iф), В;  - угол между направлением падающего излучения и нормалью к ФЧЭ;  - азимутальный угол. | effective weighted solid angle (of a photodetector);  |
Параметры инерционности фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
95 время нарастания (ФЭПП)  : Минимальный интервал времени между точками переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0,9 соответственно. | rise time (of a photodetector); tr |
96 время спада (ФЭПП)  : Минимальный интервал времени между точками обратной переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0,9 соответственно. | decay time (of a photodetector); tf |
97 время установления переходной нормированной характеристики (ФЭПП) по уровню  : Минимальное время от начала воздействия импульса излучения, по истечении которого максимальное отклонение нормированной переходной характеристики h0( t) от установившегося значения не превышает k: (1 - h0( t)) <= k при  . | set-up time of the normalized transfer characteristic (of a photodetector) |
98 предельная частота (ФЭПП) f0: Частота синусоидально-модулированного потока излучения, при которой чувствительность ФЭПП падает до значения 0,707 от чувствительности при немодулированном излучении. | cut-off frequency (of a photodetector); fg |
| capacitance (of a photodetector); C |
100 последовательное сопротивление фотодиода Rпосл: Активная составляющая электрического сопротивления фотодиода по переменному току, включенная последовательно емкости перехода фотодиода. | series resistance of the photodiode; RS |
Параметры многоэлементного фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
101 число элементов (ФЭПП) N: -.Примечание - Для ФПУ второго и последующих поколений число элементов задают в виде формата ФПУ, который показывает число ФЧЭ в матрице или линейке по вертикали и горизонтали. | number of elements (of a photodetector) |
102 шаг элементов (ФЭПП) h: Расстояние между центрами двух соседних ФЧЭ ФЭПП. | pitch of elements (of a photodetector); p |
103 межэлементный зазор (многоэлементного ФЭПП)  : Расстояние между наименее удаленными друг от друга краями ФЧЭ в многоэлементном ФЭПП. | element spacing (of a multielement photodetector);  |
104 коэффициент фотоэлектрической связи (многоэлементного ФЭПП) Kфс: Отношение напряжения сигнала с необлученного элемента в многоэлементном ФЭПП к напряжению фотосигнала с облученного элемента, определяемого на линейном участке энергетической характеристики. | photoelectric coupling coefficient (of a multielement photodetector); Kc |
105 разброс значений параметров (многоэлементного ФЭПП)  : Среднеквадратическое отклонение параметров ФЧЭ по недефектным элементам. Примечания 1 Для ФЭПП и ФПУ первого поколения - отношение полуразности наибольшего и наименьшего значений параметра ФЧЭ в многоэлементном ФЭПП к среднему значению этого параметра. 2 В буквенном обозначении вместо "X" следует указывать буквенное обозначение соответствующего параметра. | spread of parameter values (of a multielement photodetector);  |
Параметры фототранзистора
106 напряжение на коллекторе фототранзистора  ,  : Напряжение между коллектором и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора. Примечание - Верхние индексы "б" и "э" указывают на схему включения фототранзистора с общей базой или с общим эмиттером соответственно. | collector voltage of a phototransistor; UCB, UCE |
107 напряжение на эмиттере фототранзистора  ,  : Напряжение между эмиттером и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора. Примечание - Верхние индексы "б" и "к" указывают на схему включения фототранзистора с общей базой или с общим коллектором соответственно. | emitter voltage of a phototransistor; UEB, UEC |
108 напряжение на базе фототранзистора  ,  : Напряжение между базой и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора. Примечание - Верхние индексы "э" и "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером или с общим коллектором соответственно. | base voltage of a phototransistor; UBE, UBC |
109 пробивное напряжение коллектор - эмиттер фототранзистора  : Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Примечание - Верхний индекс "э" указывает на схему включения фототранзистора с общим эмиттером. | collector - emitters breakdown voltage of a phototransistor; UBR CEO |
110 пробивное напряжение коллектор - база фототранзистора  : Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Примечание - Верхний индекс "б" указывает на схему включения фототранзистора с общей базой. | collector - base breakdown voltage of a phototransistor; UBR CBO |
111 пробивное напряжение эмиттер - база фототранзистора  : Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Примечание - Верхний индекс "б" указывает на схему включения фототранзистора с общей базой. | emitter - base breakdown voltage of a phototransistor; UBR EBO |
112 пробивное напряжение эмиттер - коллектор фототранзистора  : Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Примечания 1 Верхний индекс "к" указывает на схему включения фототранзистора с общим коллектором. 2 На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП. | emitter - collector breakdown voltage of a phototransistor; UBR ECO |
Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно. | collector dark current of a phototransistor; ICEO, ICBO, ICCO |
Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно. | emitter dark current of a phototransistor; IEEO, IEBO, IECO |
Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно. | base dark current of a phototransistor; IBEO, IBBO, IBCO |
116 темновой ток коллектор - эмиттер фототранзистора  : Ток в цепи коллектора при отсутствии тока в базе, протекающий при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Примечание - Верхний индекс "э" указывает на схему включения фототранзистора с общим эмиттером. | collector - emitter dark current of a phototransistor; ICEO |
117 темновой ток коллектор - база фототранзистора  : Ток в цепи коллектора, протекающий при отсутствии тока в эмиттере при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Примечание - Верхний индекс "б" указывает на схему включения фототранзистора с общей базой. | collector - base dark current of a phototransistor; ICBO |
118 темновой ток эмиттер - база фототранзистора  : Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в коллекторе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Примечание - Верхний индекс "б" указывает на схему включения фототранзистора с общей базой. | emitter - base dark current of a phototransistor; IEBO |
119 темновой ток эмиттер - коллектор фототранзистора  : Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в базе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Примечание - Верхний индекс "к" указывает на схему включения фототранзистора с общим коллектором. | emitter - collector dark current of a phototransistor; IECO |
Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно. | collector photocurrent of a phototransistor; ICEH, ICBH, ICCH |
Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно. | emitter photocurrent of a phototransistor; IEEH, IEBH, IECH |
Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно. | base photocurrent of a phototransistor; IBEH, IBBH, IBCH |
Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно. | collector total current of a phototransistor; ICE, ICB, ICC |
Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно. | emitter total current of a phototransistor; IEE, IEB, IEC |
Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно. | base total current of a phototransistor; IBE, IBB, IBC |
126 общий ток коллектор - эмиттер фототранзистора  : Общий ток коллектор-эмиттер, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением. Примечание - Верхний индекс "э" указывает на схему включения фототранзистора с общим эмиттером. | collector - emitter total current of a phototransistor; ICEH |
127 общий ток коллектор - база фототранзистора  : Общий ток коллектор - база, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением. Примечание - Верхний индекс "б" указывает на схему включения фототранзистора с общей базой. | collector - base total current of a phototransistor; ICBH |
128 токовая чувствительность фототранзистора  ,  ,  : Отношение изменения электрического тока на выходе фототранзистора к потоку излучения, вызвавшему это изменение при холостом ходе на входе и коротком замыкании на выходе по переменному току. Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно. | current responsivity of a phototransistor |
129 вольтовая чувствительность фототранзистора  ,  ,  : Отношение изменения напряжения на входе фототранзистора к потоку излучения, вызвавшему это изменение при холостом ходе на входе и коротком замыкании на выходе по переменному току. Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно. | voltage responsivity of a phototransistor |
130 коэффициент усиления по фототоку фототранзистора Kуф: Отношение фототока коллектора фототранзистора при отключенной базе к фототоку освещаемого перехода, измеренному в диодном режиме. | photocurrent gain factor of a phototransistor |
Параметры координатного фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
131 линейная зона координатной характеристики (координатного ФЭПП)  : Участок координатной характеристики координатного фотодиода, на котором нелинейность не превышает заданного значения. | linear area characteristic (of a coordinate photodetector) |
132 дифференциальная крутизна координатной характеристики (координатного ФЭПП) Sдифф: Отношение малого приращения фотосигнала координатного фотодиода к малому изменению координаты светового пятна, отнесенного к единице потока излучения. | differential slope characteristic (of a coordinate photodetector) |
133 статическая крутизна координатной характеристики (координатного ФЭПП) Sстат: Отношение полного приращения фотосигнала координатного фотодиода к изменению координаты светового пятна, отнесенное к единице потока излучения. | static slope characteristic (of a coordinate photodetector) |
134 нулевая точка (координатного ФЭПП) X0: Координата энергетического центра светового пятна на ФЧЭ координатного фотодиода, при которой фотосигнал равен нулю. | zero point (of a coordinate photodetector); X0 |
135 выходное сопротивление (координатного ФЭПП) Rвых: Отношение напряжения фотосигнала холостого хода координатного фотодиода к фототоку короткого замыкания при малом потоке излучения. | output impedance (of a coordinate photodetector); R0 |
Параметры лавинного фотодиода
136 коэффициент умножения темнового тока лавинного фотодиода MТ: Отношение темнового тока лавинного фотодиода к его первичному темновому току - к темновому току, который протекал бы в лавинном фотодиоде при отсутствии в нем эффекта лавинного умножения при том же рабочем напряжении, отсутствии засветки и прочих равных условиях. | dark current multiplication factor of an avalanche photodiode; Md |
137 коэффициент умножения фототока лавинного фотодиода Mф: Отношение фототока лавинного фотодиода к его первичному фототоку, который протекал бы в лавинном фотодиоде при отсутствии в нем эффекта лавинного умножения при том же рабочем напряжении, интенсивности засветки и прочих равных условиях. Примечание - Если фототок измеряют при засветке всего ФЧЭ, то получают интегральный коэффициент умножения, а при точечной засветке - локальный коэффициент умножения. | photocurrent multiplication factor of an avalanche photodiode; Mph |
138 точность поддержания рабочего напряжения лавинного фотодиода  : Относительное изменение рабочего напряжения, при котором коэффициент умножения фототока изменяется в заданных пределах. | operating voltage constant keeping accuracy of an avalanche photodiode;  |
139 температурный коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода  : Отношение изменения рабочего напряжения, при котором коэффициент умножения фототока достигает исходного значения, к изменению температуры и рабочему напряжению при исходной температуре. Примечание - При малых изменениях температуры получают динамический температурный коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода; если диапазон изменения температур большой, то получают статический температурный коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода. | operating voltage temperature coefficient of an avalanche photodiode;  |
Параметры инжекционного фотодиода
140 коэффициент усиления инжекционного фотодиода K: Отношение токовой чувствительности инжекционного фотодиода при рабочем напряжении к токовой чувствительности фотодиода в фотогальваническом режиме. | gain of an injection photodiode |
141 коэффициент относительного инжекционного усиления инжекционного фотодиода Kу: Отношение токовой чувствительности инжекционного фотодиода при рабочем напряжении к токовой чувствительности фоторезистора из того же материала, с теми же размерами и расположением контактов при одинаковых условиях - напряжении, температуре, фоне. Примечание - Для инжекционных фотодиодов с линейным участком вольтамперной характеристики определяют также отношением токовых чувствительностей при рабочем напряжении на линейном участке, деленном на отношение этих напряжений. | relative gain of an injection photodiode |
Эксплуатационные параметры фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
142 рассеиваемая мощность (ФЭПП) P: Суммарная мощность, рассеиваемая ФЭПП и определяемая мощностью электрического сигнала и мощностью воздействующего на него излучения. | total power dissipation (of a photodetector); Ptot |
143 максимально допустимая рассеиваемая мощность (ФЭПП) Pmax: Максимальная электрическая мощность, рассеиваемая ФЭПП, при которой отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной работе. | maximum admissible power dissipation (of a photodetector); Pmax |
144 критическая мощность излучения (ФЭПП) Фкрит: Максимальная мощность импульсного или постоянного излучения, при которой отклонение энергетической характеристики ФЭПП от линейного закона достигает заданного уровня. | critical radiation power (of a photodetector) |
145 динамический диапазон (ФЭПП) Д: Отношение критической мощности излучения для ФЭПП к порогу чувствительности ФЭПП в заданной полосе частот. Примечания 1 Для ФЭПП, нелинейных в области пороговых засветок, вместо порога чувствительности выбирают минимальный уровень мощности излучения, при которой отклонение энергетической характеристики от линейного закона достигает заданного уровня. 2 Для ФПУ второго и последующих поколений различают динамический диапазон ФЭПП (ФПУ) и динамический диапазон выходных сигналов ФПУ. | dynamic range (of a photodetector) |
146 неравномерность чувствительности (ФЭПП) по фоточувствительному элементу  : Разность наибольшего и наименьшего значений чувствительности ФЭПП, измеренной при перемещении в пределах ФЧЭ оптического зонда с заданным спектральным распределением излучения и диаметром, отнесенная к среднему значению чувствительности. | spacing response non-uniformity (of a photodetector) |
147 нестабильность сопротивления (ФЭПП)  : Отношение максимального отклонения сопротивления ФЭПП от его среднего значения при постоянной температуре и напряжении питания в течение заданного интервала времени к среднему значению. | resistance unstability coefficient (of a photodetector) |
148 нестабильность темнового тока (ФЭПП)  : Отношение максимального отклонения темнового тока ФЭПП от его среднего значения в течение заданного интервала времени при постоянных температуре и напряжении питания ФЭПП к среднему значению. | dark current unstability (of a photodetector) |
149 нестабильность чувствительности (ФЭПП)  : Отношение максимального отклонения напряжения фотосигнала от среднего значения в течение заданного интервала времени при постоянных значениях потока излучения, температуры и постоянном напряжении питания ФЭПП к среднему значению. | response unstability (of a photodetector) |
150 температурный коэффициент фототока (ФЭПП)  : Отношение процентного изменения фототока ФЭПП к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды при заданной освещенности (облученности). | photocurrent temperature coefficient (of a photodetector) |
151 световая нестабильность (ФЭПП) v: Изменение светового сопротивления ФЭПП, произошедшее вследствие изменения условий освещенности при его хранении. | light unstability (of a photodetector) |
152 температура выхода на режим оптической генерации (ФЭПП): -. | optical generation mode temperature (of a photodetector) |
153 время выхода на режим (охлаждаемого ФЭПП) tвых: Интервал времени с момента включения системы охлаждения или термостабилизации до момента, когда параметры охлаждаемого ФЭПП достигают заданного уровня. | cooldown time (of a cooled photodetector); tcd |
154 время автономной работы (охлаждаемого ФЭПП)  : Интервал времени с момента отключения системы охлаждения или термостабилизации до момента, когда параметры охлаждаемого ФЭПП изменяются до заданного допустимого уровня. | independent operating time (of a cooled photodetector);  |
Спектральные характеристики фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
155 спектральная характеристика чувствительности (ФЭПП)  : Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП от длины волны регистрируемого потока излучения. | spectral response (of a photodetector);  |
156 абсолютная спектральная характеристика чувствительности (ФЭПП)  : Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП, измеренной в абсолютных единицах, от длины волны регистрируемого потока излучения. | absolute spectral response characteristic (of a photodetector);  |
157 относительная спектральная характеристика чувствительности (ФЭПП)  : Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП, отнесенной к значению максимальной монохроматической чувствительности, от длины волны регистрируемого потока излучения. | relative spectral response characteristic (of a photodetector);  |
Вольтовые характеристики фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
158 вольтамперная характеристика (ФЭПП) I(U); ВАХ ФЭПП: Зависимость электрического тока от напряжения, приложенного к ФЭПП, при фиксированном потоке излучения. | current-voltage characteristic (of a photodetector); I(U) |
159 входная вольтамперная характеристика фототранзистора Iвх(U); входная ВАХ фототранзистора: Зависимость электрического тока от напряжения на входе фототранзистора при постоянном напряжении на выходе и фиксированном потоке излучения. | input current-voltage characteristic (of a phototransistor); Iin(U) |
160 выходная вольтамперная характеристика фототранзистора Iвых(U); выходная ВАХ фототранзистора: Зависимость электрического тока от напряжения на выходе фототранзистора при постоянном токе на входе и фиксированном потоке излучения. | output current-voltage characteristic (of a phototransistor); I0(U) |
161 вольтовая характеристика чувствительности (ФЭПП) S(U): Зависимость чувствительности от напряжения, приложенного к ФЭПП, при фиксированном потоке излучения. | bias voltage response characteristic (of a photodetector); S(U) |
162 вольтовая характеристика тока шума (ФЭПП) Iш(U): Зависимость среднего квадратичного значения тока шума от напряжения, приложенного к ФЭПП. | bias noise current characteristic (of a photodetector); In(U) |
163 вольтовая характеристика напряжения шума (ФЭПП) Uш(U): Зависимость среднего квадратичного значения напряжения шума от напряжения, приложенного к ФЭПП. | bias noise voltage characteristic (of a photodetector); Uш(U) |
164 вольтовая характеристика удельной обнаружительной способности (ФЭПП) D*(U): Зависимость удельной обнаружительной способности ФЭПП от напряжения, приложенного к нему. | bias detectivity characteristic (of a photodetector); D*(U) |
165 вольтовая характеристика коэффициента умножения лавинного фотодиода MТ(U), Mф(U): Зависимость коэффициента умножения лавинного фотодиода от напряжения, приложенного к нему. | bias multiplication factor characteristic (of an avalanche photodiode); Md(U), Mph(U) |
Характеристики зависимости параметров фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения от потока излучения
166 энергетическая характеристика фототока (ФЭПП) Iф(Ф): Зависимость фототока ФЭПП от потока или плотности потока излучения, падающего на ФЭПП. | photocurrent radiant flux characteristic (of a photodetector); Iph(P) |
167 энергетическая характеристика напряжения фотосигнала (ФЭПП) Uс(Ф): Зависимость параметра фототока, сопротивления, напряжения либо тока фотосигнала ФЭПП от потока или плотности потока излучения, падающего на ФЭПП. | photoelectric signal voltage radiant flux characteristic (of a photodetector); US(P) |
168 энергетическая характеристика статического сопротивления фоторезистора Rс(Ф): Зависимость статического сопротивления фоторезистора от потока или плотности потока излучения, падающего на фоторезистор. | radiant power-static resistance characteristic of a photoresistor; RS(P) |
169 люксомическая характеристика фоторезистора RE(E): Зависимость светового сопротивления фоторезистора от освещенности или светового потока, падающего на фоторезистор. | resistance-illuminance characteristic of a photoresistor; RE(E), RH(E) |
170 люксамперная характеристика (ФЭПП) Iф(E): Зависимость фототока ФЭПП от освещенности или светового потока, падающего на ФЭПП. | photocurrent-illuminance characteristic (of a photodetector); Iph(E) |
171 входная энергетическая характеристика фототранзистора Uвх(Ф), Iвх(Ф): Зависимость напряжения (тока) на входе фоторезистора от потока или плотности потока излучения при постоянном напряжении на выходе и фиксированном токе (напряжении) на входе. | input energy characteristic of a phototransistor |
| | ИС NORMPROD: примечание. Буквенное обозначение дано в соответствии с официальным текстом документа. | |
|
172 выходная энергетическая характеристика фототранзистора Uвх(Ф): Зависимость электрического тока на выходе фототранзистора от потока или плотности потока излучения при постоянном напряжении на выходе и фиксированном токе (напряжении) на входе. | output energy characteristic of a phototransistor |
173 сигнальная характеристика (ФЭПП, ФПУ) SФПУ(tнак): Зависимость значения сигнала ФЧЭ ФЭПП или ФПУ (по недефектным элементам) от времени накопления. | signal characteristic (of a photodetector, of a photoreceiving device) |
Частотные характеристики фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
174 частотная характеристика чувствительности (ФЭПП) S(f): Зависимость чувствительности ФЭПП от частоты модуляции потока излучения. | frequency response characteristic (of a photodetector); S(f) |
175 спектр тока шума (ФЭПП) Iш(f): Распределение плотности среднего квадратичного значения тока шума ФЭПП по частотам. | noise current spectrum (of a photodetector); In(f) |
176 спектр напряжения шума (ФЭПП) UШ(f): Распределение плотности среднего квадратичного значения напряжения шума ФЭПП по частотам. | noise voltage spectrum (of a photodetector); un(f) |
177 частотная характеристика удельной обнаружительной способности (ФЭПП) D*(f): Зависимость удельной обнаружительной способности ФЭПП от частоты модуляции потока излучения. | specific detectivity frequency dependence (of a photodetector); D*(f) |
Фоновые характеристики фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
178 фоновая характеристика светового сопротивления (ФЭПП) RE(Ф): Зависимость сопротивления ФЭПП от немодулированного потока излучения фона. | resistance under illumination-background radiant flux characteristic (of a photodetector); RE(P), RH(P) |
179 фоновая характеристика чувствительности (ФЭПП) S(Ф): Зависимость чувствительности ФЭПП от немодулированного потока излучения фона. | responsivity-background radiant flux characteristic (of a photodetector); S(P) |
180 фоновая характеристика тока шума (ФЭПП) Iш(Ф): Зависимость тока шума ФЭПП от немодулированного потока излучения фона. | noise current-background radiant flux characteristic (of a photodetector); In(P) |
181 фоновая характеристика напряжения шума (ФЭПП) Uш(Ф): Зависимость напряжения шума ФЭПП от немодулированного потока излучения фона. | noise voltage-background radiant flux characteristic (of a photodetector); Un(P) |
182 фоновая характеристика порога чувствительности (ФЭПП) в единичной полосе частот Фп1(Ф): Зависимость порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот от потока излучения фона. | NEP-background radiant flux characteristic (of a photodetector) |
183 фоновая характеристика удельной обнаружительной способности (ФЭПП) D*(Ф): Зависимость удельной обнаружительной способности ФЭПП от немодулированного потока излучения фона. | specific detectivity-background radiant flux characteristic (of a photodetector); D*(P) |
Температурные характеристики фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
184 температурная характеристика светового сопротивления (ФЭПП) RE(Т): -. | resistance under illumination-temperature characteristic (of a photodetector); RE(T), RH(T) |
185 температурная характеристика темнового сопротивления (ФЭПП) RT(Т): -. | dark resistance-temperature characteristic (of a photodetector) |
186 температурная характеристика темнового тока (ФЭПП) IT(Т): -. | dark current-temperature characteristic (of a photodetector); Id(T) |
187 температурная характеристика чувствительности (ФЭПП) S(Т): -. | responsivity-temperature characteristic (of a photodetector); S(T) |
188 температурная характеристика тока шума (ФЭПП) Iш(Т): -. | noise current-temperature characteristic (of a photodetector); In(T) |
189 температурная характеристика напряжения шума (ФЭПП) Uш(Т): -. | noise voltage-temperature characteristic (of a photodetector); Un(T) |
190 температурная характеристика порога чувствительности (ФЭПП) в единичной полосе частот Фп1(Т): -. | NEP-temperature characteristic (of a photodetector) |
191 температурная характеристика удельной обнаружительной способности (ФЭПП) D*(Т): -. | specific detectivity-temperature characteristic (of a photodetector); D*(T) |
192 температурная характеристика дрейфа нулевой точки (координатного ФЭПП) X0(Т): Зависимость смещения нулевой точки координатного фотодиода от его температуры. | zero drift-temperature characteristic (of a coordinate photodetector); X0(T) |
Временные и пространственные характеристики фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
193 переходная нормированная характеристика (ФЭПП) h0(t): Отношение фототока, описывающего реакцию ФЭПП в зависимости от времени, к установившемуся значению фототока при воздействии импульса излучения в форме единичной ступени. Примечание - Импульс излучения в форме единичной степени описывают выражением  . (5) В общем случае переходная нормированная характеристика ФЭПП имеет вид, представленный на рисунке 1. | normalized transfer characteristic (of a photodetector) |
194 обратная переходная нормированная характеристика (ФЭПП)  : Отношение фототока, описывающего реакцию ФЭПП в зависимости от времени, к начальному значению фототока при резком прекращении воздействия излучения. Примечание - Поток излучения при резком прекращении воздействия описывают выражением  . (6) В общем случае обратная переходная нормированная характеристика ФЭПП имеет вид, представленный на рисунке 2. | normalized inverse transfer characteristic (of a photodetector) |
195 координатная характеристика (координатного ФЭПП) Uвых(X): Зависимость выходного напряжения или тока фотосигнала от координаты светового пятна на ФЧЭ координатного фотодиода. | coordinate characteristic (of a coordinate photodetector) |
196 временной дрейф нулевой точки (координатного ФЭПП) X0(t); дрейф нуля: Смещение нулевой точки координатного фотодиода при постоянной температуре в течение заданного интервала времени. | time drift of zero point; zero drift (of a coordinate photodetector); X0(t) |
197 распределение чувствительности по фоточувствительному элементу (ФЭПП) S(x, y): Зависимость чувствительности ФЭПП от положения светового зонда с пятном бесконечно малого размера на ФЧЭ. | responsivity surface distribution (of a photodetector); S(x, y) |
198 угловая характеристика чувствительности (ФЭПП)  : Зависимость чувствительности ФЭПП от угла между направлением падающего излучения и нормалью плоскости ФЧЭ. | responsivity directional distribution (of a photodetector);  |
199 время накопления [экспозиции] tнак: Временной промежуток, за который происходит накопление фототока в ячейке накопления БИС считывания. Примечание - Также допускается применять термин "время интегрирования", имеющий аналогичное значение. | integration time; exposure time; ti |
200 время задержки фотоотклика при формировании изображения tзадерж: Значение временного интервала с момента поступления излучения на ФПУ до момента появления фотоотклика на выходе ФПУ. | image forming delay; tdelay |
Алфавитный указатель терминов на русском языке
БИС считывания | |
ВАХ фототранзистора входная | |
ВАХ фототранзистора выходная | |
ВАХ ФЭПП | |
время автономной работы | |
время автономной работы охлаждаемого ФЭПП | |
время выхода на режим | |
время выхода на режим охлаждаемого ФЭПП | |
время задержки фотоотклика при формировании изображения | |
время накопления | |
время нарастания | |
время нарастания ФЭПП | |
время спада | |
время спада ФЭПП | |
время установления переходной нормированной характеристики по уровню k | |
время установления переходной нормированной характеристики ФЭПП по уровню k | |
время экспозиции | |
вывод фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения | |
вывод ФЭПП | |
выход фотоприемного устройства | |
выход ФПУ | |
граница спектральной чувствительности длинноволновая | |
граница спектральной чувствительности коротковолновая | |
граница спектральной чувствительности ФЭПП длинноволновая | |
граница спектральной чувствительности ФЭПП коротковолновая | |
диапазон динамический | |
диапазон ФЭПП динамический | |
диафрагма фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения апертурная | |
диафрагма фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения холодная | |
диафрагма ФЭПП апертурная | |
диафрагма ФЭПП холодная | |
длина волны максимума спектральной чувствительности | |
длина волны максимума спектральной чувствительности ФЭПП | |
дрейф нулевой точки временной | |
дрейф нулевой точки координатного ФЭПП временной | |
емкость | |
емкость ФЭПП | |
зазор межэлементный | |
зазор межэлементный многоэлементного ФЭПП | |
зона координатной характеристики координатного ФЭПП линейная | |
зона координатной характеристики линейная | |
канал фотоприемного устройства | |
канал ФПУ | |
контакт пикселя фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения | |
контакт пикселя ФЭПП | |
контакт фоточувствительного элемента фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения | |
контакт ФЧЭ ФЭПП | |
корпус фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения | |
корпус ФЭПП | |
коэффициент относительного инжекционного усиления инжекционного фотодиода | |
коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода температурный | |
коэффициент умножения темнового тока лавинного фотодиода | |
коэффициент умножения фототока лавинного фотодиода | |
коэффициент усиления инжекционного фотодиода | |
коэффициент усиления по фототоку фототранзистора | |
коэффициент фототока температурный | |
коэффициент фототока ФЭПП температурный | |
коэффициент фотоэлектрической связи | |
коэффициент фотоэлектрической связи многоэлементного ФЭПП | |
крутизна координатной характеристики дифференциальная | |
крутизна координатной характеристики координатного ФЭПП дифференциальная | |
крутизна координатной характеристики координатного ФЭПП статическая | |
крутизна координатной характеристики статическая | |
модуль фотоприемный | |
мощность излучения критическая | |
мощность излучения ФЭПП критическая | |
мощность рассеиваемая | |
мощность рассеиваемая максимально допустимая | |
мощность ФЭПП рассеиваемая | |
мощность ФЭПП рассеиваемая максимально допустимая | |
наклон люксомической характеристики фоторезистора | |
напряжение коллектор - база фототранзистора пробивное | |
напряжение коллектор - эмиттер фототранзистора пробивное | |
напряжение максимально допустимое | |
напряжение на базе фототранзистора | |
напряжение на коллекторе фототранзистора | |
напряжение на эмиттере фототранзистора | |
напряжение рабочее | |
напряжение фотодиода пробивное | |
напряжение фотосигнала | |
напряжение фотосигнала ФЭПП | |
напряжение ФЭПП максимально допустимое | |
напряжение ФЭПП рабочее | |
напряжение шума | |
напряжение шума ФЭПП | |
напряжение эмиттер - база фототранзистора пробивное | |
напряжение эмиттер - коллектор фототранзистора пробивное | |
неравномерность чувствительности по фоточувствительному элементу | |
неравномерность чувствительности ФЭПП по фоточувствительному элементу | |
нестабильность световая | |
нестабильность сопротивления | |
нестабильность сопротивления ФЭПП | |
нестабильность темнового тока | |
нестабильность темнового тока ФЭПП | |
нестабильность ФЭПП световая | |
нестабильность чувствительности | |
нестабильность чувствительности ФЭПП | |
область спектральной чувствительности | |
область спектральной чувствительности ФЭПП | |
окно фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения входное | |
окно ФЭПП входное | |
пиксель дефектный | |
пиксель фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения | |
пиксель ФЭПП | |
площадь фоточувствительная эффективная | |
площадь ФЭПП фоточувствительная эффективная | |
подложка фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения | |
подложка ФЭПП | |
поле зрения ФЭПП эффективное | |
поле зрения эффективное | |
порог | |
порог в единичной полосе частот | |
порог удельный | |
порог чувствительности | |
порог чувствительности в единичной полосе частот | |
порог чувствительности радиационный | |
порог чувствительности удельный | |
порог чувствительности ФПУ | |
порог чувствительности ФЭПП | |
порог чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот | |
порог чувствительности ФЭПП радиационный | |
порог чувствительности ФЭПП удельный | |
прибор полупроводниковый фоточувствительный | |
приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический | |
приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический гетеродинный | |
приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический иммерсионный | |
приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический координатный | |
приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический многоспектральный | |
приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический многоэлементный | |
приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический одноэлементный | |
приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический охлаждаемый | |
прочность изоляции ФЭПП электрическая | |
прочность изоляции электрическая | |
разброс значений параметров | |
разброс значений параметров многоэлементного ФЭПП | |
разность температур, эквивалентная шуму | |
разность температур ФЭПП, эквивалентная шуму | |
распределение чувствительности по фоточувствительному элементу | |
распределение чувствительности по фоточувствительному элементу ФЭПП | |
режим ВЗН ФПУ | |
режим временной задержки накопления | |
режим временной задержки накопления ФПУ | |
режим короткого замыкания | |
режим короткого замыкания ФЭПП | |
режим ограничения флуктуациями числа фотонов фона | |
режим ограничения флуктуациями числа фотонов фона ФЭПП | |
режим ОГ ФЭПП | |
режим оптического гетеродинного приема | |
режим оптического гетеродинного приема ФЭПП | |
режим оптической генерации | |
режим оптической генерации ФЭПП | |
режим ОФ ФЭПП | |
режим работы с согласованной нагрузкой | |
режим работы фотодиода лавинный | |
режим работы фотодиода фотогальванический | |
режим работы фототранзистора с плавающей базой | |
режим работы ФЭПП с согласованной нагрузкой | |
режим ТГ ФЭПП | |
режим термической генерации | |
режим термической генерации ФЭПП | |
режим фотодиодный | |
режим холостого хода | |
режим холостого хода ФЭПП | |
сканистор полупроводниковый фоточувствительный | |
сопротивление выходное | |
сопротивление координатного ФЭПП выходное | |
сопротивление световое | |
сопротивление статическое | |
сопротивление темновое | |
сопротивление фотодиода последовательное | |
сопротивление фотодиода при нулевом смещении | |
сопротивление ФЭПП световое | |
сопротивление ФЭПП статическое | |
сопротивление ФЭПП темновое | |
сопротивление ФЭПП электрическое дифференциальное | |
сопротивление электрическое дифференциальное | |
спектр напряжения шума | |
спектр напряжения шума ФЭПП | |
спектр тока шума | |
спектр тока шума ФЭПП | |
способность обнаружительная | |
способность обнаружительная удельная | |
способность ФЭПП обнаружительная | |
способность ФЭПП обнаружительная удельная | |
схема считывания большая интегральная | |
температура выхода на режим оптической генерации | |
температура выхода на режим оптической генерации ФЭПП | |
ток базы фототранзистора общий | |
ток базы фототранзистора темновой | |
ток коллектора фототранзистора общий | |
ток коллектора фототранзистора темновой | |
ток коллектор - база фототранзистора общий | |
ток коллектор - база фототранзистора темновой | |
ток коллектор - эмиттер фототранзистора общий | |
ток коллектор - эмиттер фототранзистора темновой | |
ток общий | |
ток темновой | |
ток фотосигнала | |
ток фотосигнала ФЭПП | |
ток ФЭПП общий | |
ток ФЭПП темновой | |
ток шума | |
ток шума ФЭПП | |
ток эмиттера фототранзистора общий | |
ток эмиттера фототранзистора темновой | |
ток эмиттер - база фототранзистора темновой | |
ток эмиттер - коллектор фототранзистора темновой | |
точка координатного ФЭПП нулевая | |
точка нулевая | |
точность поддержания рабочего напряжения лавинного фотодиода | |
угол зрения плоский | |
угол зрения ФЭПП плоский | |
устройство фотоприемное | |
устройство фотоприемное гибридное | |
устройство фотоприемное многоспектральное | |
устройство фотоприемное монолитное | |
устройство фотоприемное одноэлементное | |
устройство фотоприемное охлаждаемое | |
устройство фотоприемное с внутренней коммутацией многоэлементное | |
устройство фотоприемное с разделенными каналами многоэлементное | |
фотодиод | |
фотодиод инжекционный | |
фотодиод лавинный | |
фотодиод с барьером Шоттки | |
фотодиод с гетеропереходом | |
фоторезистор | |
фототок | |
фототок базы фототранзистора | |
фототок коллектора фототранзистора | |
фототок ФЭПП | |
фототок эмиттера фототранзистора | |
фототранзистор | |
фототранзистор биполярный | |
фототранзистор полевой | |
ФПУ | |
ФПУ гибридное | |
ФПУ многоспектральное | |
ФПУ монолитное | |
ФПУ одноэлементное | |
ФПУ охлаждаемое | |
ФПУ с внутренней коммутацией многоэлементное | |
ФПУ с разделенными каналами многоэлементное | |
ФЧЭ дефектный | |
ФЧЭ ФЭПП | |
ФЭПП | |
ФЭПП гетеродинный | |
ФЭПП иммерсионный | |
ФЭПП координатный | |
ФЭПП многоспектральный | |
ФЭПП многоэлементный | |
ФЭПП одноэлементный | |
ФЭПП охлаждаемый | |
характеристика вольтамперная | |
характеристика дрейфа нулевой точки координатного ФЭПП температурная | |
характеристика дрейфа нулевой точки температурная | |
характеристика координатная | |
характеристика координатного ФЭПП координатная | |
характеристика коэффициента умножения лавинного фотодиода вольтовая | |
характеристика люксамперная | |
характеристика напряжения фотосигнала ФЭПП энергетическая | |
характеристика напряжения фотосигнала энергетическая | |
характеристика напряжения шума вольтовая | |
характеристика напряжения шума температурная | |
характеристика напряжения шума фоновая | |
характеристика напряжения шума ФЭПП вольтовая | |
характеристика напряжения шума ФЭПП температурная | |
характеристика напряжения шума ФЭПП фоновая | |
характеристика нормированная переходная | |
характеристика нормированная переходная обратная | |
характеристика порога чувствительности в единичной полосе частот температурная | |
характеристика порога чувствительности в единичной полосе частот фоновая | |
характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот температурная | |
характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот фоновая | |
характеристика светового сопротивления температурная | |
характеристика светового сопротивления фоновая | |
характеристика светового сопротивления ФЭПП температурная | |
характеристика светового сопротивления ФЭПП фоновая | |
характеристика сигнальная | |
характеристика статического сопротивления фоторезистора энергетическая | |
характеристика темнового сопротивления температурная | |
характеристика темнового сопротивления ФЭПП температурная | |
характеристика темнового тока температурная | |
характеристика темнового тока ФЭПП температурная | |
характеристика тока шума вольтовая | |
характеристика тока шума температурная | |
характеристика тока шума фоновая | |
характеристика тока шума ФЭПП вольтовая | |
характеристика тока шума ФЭПП температурная | |
характеристика тока шума ФЭПП фоновая | |
характеристика удельной обнаружительной способности вольтовая | |
характеристика удельной обнаружительной способности температурная | |
характеристика удельной обнаружительной способности фоновая | |
характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП вольтовая | |
характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП температурная | |
характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП фоновая | |
характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП частотная | |
характеристика удельной обнаружительной способности частотная | |
характеристика фоторезистора люксомическая | |
характеристика фототока ФЭПП энергетическая | |
характеристика фототока энергетическая | |
характеристика фототранзистора вольтамперная входная | |
характеристика фототранзистора вольтамперная выходная | |
характеристика фототранзистора энергетическая входная | |
характеристика фототранзистора энергетическая выходная | |
характеристика ФПУ сигнальная | |
характеристика ФЭПП вольтамперная | |
характеристика ФЭПП люксамперная | |
характеристика ФЭПП нормированная переходная | |
характеристика ФЭПП нормированная переходная обратная | |
характеристика ФЭПП сигнальная | |
характеристика чувствительности вольтовая | |
характеристика чувствительности спектральная | |
характеристика чувствительности спектральная абсолютная | |
характеристика чувствительности спектральная относительная | |
характеристика чувствительности температурная | |
характеристика чувствительности угловая | |
характеристика чувствительности фоновая | |
характеристика чувствительности ФЭПП вольтовая | |
характеристика чувствительности ФЭПП спектральная | |
характеристика чувствительности ФЭПП спектральная абсолютная | |
характеристика чувствительности ФЭПП спектральная относительная | |
характеристика чувствительности ФЭПП температурная | |
характеристика чувствительности ФЭПП угловая | |
характеристика чувствительности ФЭПП фоновая | |
характеристика чувствительности ФЭПП частотная | |
характеристика чувствительности частотная | |
частота предельная | |
частота ФЭПП предельная | |
число элементов | |
число элементов ФЭПП | |
чувствительность | |
чувствительность вольтовая | |
чувствительность дифференциальная | |
чувствительность импульсная | |
чувствительность интегральная | |
чувствительность к облученности | |
чувствительность к освещенности | |
чувствительность к потоку излучения | |
чувствительность к световому потоку | |
чувствительность монохроматическая | |
чувствительность статическая | |
чувствительность токовая | |
чувствительность фототранзистора вольтовая | |
чувствительность фототранзистора токовая | |
чувствительность ФЭПП | |
чувствительность ФЭПП вольтовая | |
чувствительность ФЭПП дифференциальная | |
чувствительность ФЭПП импульсная | |
чувствительность ФЭПП интегральная | |
чувствительность ФЭПП к облученности | |
чувствительность ФЭПП к освещенности | |
чувствительность ФЭПП к потоку излучения | |
чувствительность ФЭПП к световому потоку | |
чувствительность ФЭПП монохроматическая | |
чувствительность ФЭПП статическая | |
чувствительность ФЭПП токовая | |
шаг элементов | |
шаг элементов ФЭПП | |
элемент фоточувствительный дефектный | |
элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения иммерсионный | |
элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения фоточувствительный | |
элемент ФЭПП иммерсионный | |
ЭШРТ | |
pin-фотодиод | |
Алфавитный указатель эквивалентов терминов
на английском языке
absolute spectral response characteristic | |
angular field of view | |
avalanche mode of photodiode operation | |
avalanche photodiode | |
back-biased operation mode | |
background limited mode | |
bad pixel | |
base dark current of a phototransistor | |
base photocurrent of a phototransistor | |
base total current of a phototransistor | |
base voltage of a phototransistor | |
bias detectivity characteristic | |
bias multiplication factor characteristic | |
bias noise current characteristic | |
bias noise voltage characteristic | |
bias voltage response characteristic | |
bipolar phototransistor | |
BLIP | |
breakdown voltage of a photodiode | |
camera | |
camera module | |
capacitance | |
collector - base breakdown voltage of a phototransistor | |
collector - base dark current of a phototransistor | |
collector - base total current of a phototransistor | |
collector dark current of a phototransistor | |
collector - emitter dark current of a phototransistor | |
collector - emitters breakdown voltage of a phototransistor | |
collector - emitter total current of a phototransistor | |
collector photocurrent of a phototransistor | |
collector total current of a phototransistor | |
collector voltage of a phototransistor | |
cooldown time | |
cooled photodetector | |
cooled photoreceiving device | |
coordinate characteristic | |
critical radiation power | |
current responsivity of a photodetector | |
current responsivity of a phototransistor | |
current-voltage characteristic | |
cut-off frequency | |
dark current | |
dark current multiplication factor of an avalanche photodiode | |
dark current-temperature characteristic | |
dark current unstability | |
dark resistance | |
dark resistance-temperature characteristic | |
dead pixel | |
decay time | |
defective pixel | |
detectivity | |
differential electrical resistance | |
differential responsivity | |
differential slope characteristic | |
dynamic range | |
effective photosensitive area | |
effective weighted solid angle | |
element spacing | |
emitter - base breakdown voltage of a phototransistor | |
emitter - base dark current of a phototransistor | |
emitter - collector breakdown voltage of a phototransistor | |
emitter - collector dark current of a phototransistor | |
emitter dark current of a phototransistor | |
emitter photocurrent of a phototransistor | |
emitter total current of a phototransistor | |
emitter voltage of a phototransistor | |
exposure time | |
field effect phototransistor | |
floating-base mode of phototransistor operation | |
frequency response characteristic | |
gain of an injection photodiode | |
heterodyne photodetector | |
heterodyne reception mode of photodetector operation | |
heterojunction photodiode | |
hybrid photoreceiving device | |
illuminance-resistance characteristique slope of a photoresistor | |
illumination responsivity | |
image forming delay | |
immersed photodetector | |
independent operating time | |
injection photodiode | |
input current-voltage characteristic | |
input energy characteristic of a phototransistor | |
insulating strength | |
integration time | |
irradiance responsivity responsivity | |
light unstability | |
linear area characteristic | |
long wavelength limit | |
luminous flux responsivity | |
matched impedance mode of photodetector operation | |
maximum admissible power dissipation | |
maximum admissible voltage | |
monochromatic responsivity | |
monolictical photoreceiving device | |
multi-band photodetector | |
multi-band photoreceiving device | |
multi-element photodetector | |
multi-element photoreceiving device with internally commutation | |
multi-element photoreceiving device with separate channels | |
NEP-background radiant flux characteristic | |
NEP-temperature characteristic | |
NETD | |
noise current | |
noise current-background radiant flux characteristic | |
noise current spectrum | |
noise current-temperature characteristic | |
noise equivalent power | |
noise equivalent power of the background limited infrared photodetector | |
noise equivalent temperature difference | |
noise voltage | |
noise voltage spectrum | |
noise voltage-temperature characteristic | |
normalized inverse transfer characteristic | |
normalized transfer characteristic | |
number of elements | |
open-circuit mode of photodetector operation | |
operating voltage | |
noise voltage-background radiant flux characteristic | |
operating voltage constant keeping accuracy of an avalanche photodiode | |
operating voltage temperature coefficient of an avalanche photodiode | |
optical generation mode | |
optical generation mode temperature | |
output current-voltage characteristic | |
output energy characteristic of a phototransistor | |
output impedance | |
peak spectral response wavelength | |
photoconductive cell | |
photocurrent | |
photocurrent gain factor of a phototransistor | |
photocurrent-illuminance characteristic | |
photocurrent multiplication factor of an avalanche photodiode | |
| | ИС NORMPROD: примечание. Абзац дан в соответствии с официальным текстом документа. | |
|
photocurrent radiant flux characteristic photocurrent radiant flux characteristic | |
photocurrent temperature coefficient | |
photodetector | |
photodetector aperture stop | |
photodetector cold-stop | |
photodetector film base | |
photodetector input window | |
photodetector optical immersion element | |
photodetector package | |
photodetector pin | |
photodetector pixel | |
photodetector sensitive element | |
photodetector terminal | |
photodiode | |
photoelectric coupling coefficient | |
photoelectric semiconducting detector | |
photoelectric signal current | |
photoelectric signal voltage | |
photoelectric signal voltage radiant flux characteristic | |
photoreceiving device | |
photoreceiving device channel | |
photoreceiving device output | |
photoresistor | |
photosensitive semiconductor device | |
photosensitive semiconductor scanistor | |
phototransistor | |
photovoltaic mode of photodiode operation | |
pin-photodiode | |
pitch of elements | |
position-sensitive photodetector | |
pulse responsivity | |
radiant flux responsivity | |
radiant power-static resistance characteristic of a photoresistor | |
readout integrated circuit | |
relative gain of an injection photodiode | |
relative spectral response characteristic | |
resistance-illuminance characteristic of a photoresistor | |
resistance under illumination | |
resistance under illumination-background radiant flux characteristic | |
resistance under illumination-temperature characteristic | |
resistance unstability coefficient | |
response unstability | |
responsivity | |
responsivity-background radiant flux characteristic | |
responsivity directional distribution | |
responsivity surface distribution | |
responsivity-temperature characteristic | |
rise time | |
ROIC | |
Schottky-barrier photodiode | |
series resistance of the photodiode | |
set-up time of the normalized transfer characteristic | |
short-circuit mode of photodetector operation | |
short-wavelength limit | |
signal characteristic | |
single-element photodetector | |
single-element photoreceiving device | |
spacing response non-uniformity | |
specific detectivity | |
specific detectivity-background radiant flux characteristic | |
specific detectivity frequency dependence | |
specific detectivity-temperature characteristic | |
specific noise equivalent power | |
spectral response | |
spectral sensitivity range | |
spread of parameter values | |
static resistance | |
static responsivity | |
static slope characteristic | |
TDI | |
thermal generation mode | |
time-delay integration photoreceiving device mode | |
time drift of zero point | |
total current | |
total power dissipation | |
total responsivity | |
unit frequency bandwidth noise equivalent power | |
voltage responsivity of a photodetector | |
voltage responsivity of a phototransistor | |
zero-bias mode of photodiode operation | |
zero bias resistance of a photodiode | |
zero drift | |
zero drift-temperature characteristic | |
zero point | |
Алфавитный указатель буквенных обозначений
Д | - | динамический диапазон ФЭПП | |
Фкрит | - | критическая мощность излучения ФЭПП | |
Фп | Pmin,  | порог чувствительности ФЭПП, ФПУ | |
Ф*п | NEP* | удельный порог чувствительности ФЭПП | |
| PBLIP | радиационный порог чувствительности ФЭПП | |
Фп1 | NEP | порог чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот | |
Фп1(Т) | - | температурная характеристика порога чувствительности ФЭПП | |
Фп1(Ф) | - | фоновая характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот | |
Aэфф | Aeff | эффективная фоточувствительная площадь ФЭПП | |
C | C | емкость ФЭПП | |
D | D | обнаружительная способность ФЭПП | |
D* | D* | удельная обнаружительная способность ФЭПП | |
D*(f) | D*(f) | частотная характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП | |
D*(Т) | D*(Т) | температурная характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП | |
D*(U) | D*(U) | вольтовая характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП | |
D*(Ф) | D*(P) | фоновая характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП | |
f0 | fg | предельная частота ФЭПП | |
h | p | шаг элементов ФЭПП | |
h0(t) | - | переходная нормированная характеристика ФЭПП | |
h0'(t) | - | обратная переходная нормированная характеристика ФЭПП | |
| - | вольтовая чувствительность фототранзистора | |
| - | токовая чувствительность фототранзистора | |
Iобщ | Itot | общий ток ФЭПП | |
Iс | Is | ток фотосигнала ФЭПП | |
IТ | Id | темновой ток ФЭПП | |
IT(Т) | Id(T) | температурная характеристика темнового тока ФЭПП | |
Iф | Ip | фототок ФЭПП | |
Iш | In | ток шума ФЭПП | |
| ICBH | общий ток коллектор - база фототранзистора | |
| ICBO | темновой ток коллектор - база фототранзистора | |
| IEBO | темновой ток эмиттер - база фототранзистора | |
| IECO | темновой ток эмиттер - коллектор фототранзистора | |
| ICEO | темновой ток коллектор - эмиттер фототранзистора | |
| ICEH | общий ток коллектор - эмиттер фототранзистора | |
| IBE, IBB, IBC | общий ток базы фототранзистора | |
| IEE, IEB, IEC | общий ток эмиттера фототранзистора | |
| IEEO, IEBO, IECO | темновой ток эмиттера фототранзистора | |
| IEEH, IEBH, IECH | фототок эмиттера фототранзистора | |
| IBEH, IBBH, IBCH | фототок базы фототранзистора | |
| IBEO, IBBH, IBCO | темновой ток базы фототранзистора | |
| ICEO, ICBO, ICCO | темновой ток коллектора фототранзистора | |
| ICEH, ICBH, ICCH | фототок коллектора фототранзистора | |
| ICE, ICB, ICC | общий ток коллектора фототранзистора | |
| - | нестабильность темнового тока ФЭПП | |
I(U) | I(U) | вольтамперная характеристика ФЭПП | |
Iвх(U) | Iin(U) | входная вольтамперная характеристика фототранзистора | |
Iвых(U) | I0(U) | выходная вольтамперная характеристика фототранзистора | |
Iвых(Ф) | - | выходная энергетическая характеристика фототранзистора | |
Iф(E) | Iph(E) | люксамперная характеристика ФЭПП | |
Iф(Ф) | Iph(P) | энергетическая характеристика фототока ФЭПП | |
Iш(f) | In(f) | спектр тока шума ФЭПП | |
Iш(Т) | In(T) | температурная характеристика тока шума ФЭПП | |
Iш(U) | In(U) | вольтовая характеристика тока шума ФЭПП | |
Iш(Ф) | In(P) | фоновая характеристика тока шума ФЭПП | |
K | - | коэффициент усиления инжекционного фотодиода | |
Kуф | - | коэффициент усиления по фототоку фототранзистора | |
Kфс | Kc | коэффициент фотоэлектрической связи многоэлементного ФЭПП | |
Kу | - | коэффициент относительного инжекционного усиления инжекционного фотодиода | |
| | межэлементный зазор многоэлементного ФЭПП | |
MТ | Md | коэффициент умножения темнового тока лавинного фотодиода | |
Mф | Mph | коэффициент умножения фототока лавинного фотодиода | |
MТ(U), Mф(U) | Md(U), Mph(U) | вольтовая характеристика коэффициента умножения лавинного фотодиода | |
N | - | число элементов ФЭПП | |
P | Ptot | рассеиваемая мощность ФЭПП | |
Rвых | R0 | выходное сопротивление координатного ФЭПП | |
RД | Rd | дифференциальное электрическое сопротивление ФЭПП | |
RЕ | RE, RH | световое сопротивление ФЭПП | |
RE(E) | RE(E), RH(E) | люксомическая характеристика фоторезистора | |
RE(Т) | RE(T), RH(T) | температурная характеристика светового сопротивления ФЭПП | |
RE(Ф) | RE(P), RH(P) | фоновая характеристика светового сопротивления ФЭПП | |
Rпосл | RS | последовательное сопротивление фотодиода | |
RС | Rs | статическое сопротивление ФЭПП | |
Rс(Ф) | Rs(P) | энергетическая характеристика статического сопротивления фоторезистора | |
RТ | Rd | темновое сопротивление ФЭПП | |
RT(Т) | - | температурная характеристика темнового сопротивления ФЭПП | |
Pmax | Pmax | максимально допустимая рассеиваемая мощность ФЭПП | |
R0 | R0 | сопротивление фотодиода при нулевом смещении | |
| - | нестабильность сопротивления ФЭПП | |
S | S | чувствительность ФЭПП | |
| | абсолютная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП | |
Sд | Sd | дифференциальная чувствительность ФЭПП | |
Sдифф | - | дифференциальная крутизна координатной характеристики координатного ФЭПП | |
SE | | чувствительность ФЭПП к освещенности | |
SEЭ | | чувствительность ФЭПП к облученности | |
Sимп | Sp | импульсная чувствительность ФЭПП | |
Sинт | Sint | интегральная чувствительность ФЭПП | |
| | относительная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП | |
Sст | Sst | статическая чувствительность ФЭПП | |
Sстат | - | статическая крутизна координатной характеристики координатного ФЭПП | |
SФПУ(tнак) | - | сигнальная характеристика | |
SФ | | чувствительность ФЭПП к световому потоку | |
SФЭ | | чувствительность ФЭПП к потоку излучения | |
SI | SI | токовая чувствительность ФЭПП | |
SU | Sv | вольтовая чувствительность ФЭПП | |
| | монохроматическая чувствительность ФЭПП | |
S(f) | S(f) | частотная характеристика чувствительности ФЭПП | |
S(Т) | S(T) | температурная характеристика чувствительности ФЭПП | |
S(U) | S(U) | вольтовая характеристика чувствительности ФЭПП | |
S(x, y) | S(x, y) | распределение чувствительности по фоточувствительному элементу ФЭПП | |
| | угловая характеристика чувствительности ФЭПП | |
| | спектральная характеристика чувствительности ФЭПП | |
S(Ф) | S(P) | фоновая характеристика чувствительности ФЭПП | |
| - | неравномерность чувствительности по фоточувствительному элементу ФЭПП | |
tвых | tcd | время выхода на режим охлаждаемого ФЭПП | |
tзадерж | tdelay | время задержки фотоотклика при формировании изображения | |
| | ИС NORMPROD: примечание. Стандартизованное буквенное обозначение дано в соответствии с официальным текстом документа. | |
|
tзнак | ti | время накопления [экспозиции] | |
| | время автономной работы охлаждаемого ФЭПП | |
Uвх(Ф), Iвх(Ф) | - | входная энергетическая характеристика фототранзистора | |
Uвых(X) | - | координатная характеристика координатного ФЭПП | |
Uиз | Ui | электрическая прочность изоляции ФЭПП | |
Uпр | UBR | пробивное напряжение фотодиода | |
Uр | Uop | рабочее напряжение ФЭПП | |
Uс | Us | напряжение фотосигнала ФЭПП | |
Uс(Ф) | Us(P) | энергетическая характеристика напряжения фотосигнала ФЭПП | |
Uш | Un | напряжение шума ФЭПП | |
Uш(f) | Un(f) | спектр напряжения шума ФЭПП | |
Uш(Т) | Un(T) | температурная характеристика напряжения шума ФЭПП | |
Uш(Ф) | Un(P) | фоновая характеристика напряжения шума ФЭПП | |
Umax | Umax | максимально допустимое напряжение ФЭПП | |
| UBR CDO | пробивное напряжение коллектор - база фототранзистора | |
| UBR EBO | пробивное напряжение эмиттер - база фототранзистора | |
| UBR ECO | пробивное напряжение эмиттер - коллектор фототранзистора | |
| UBR CEO | пробивное напряжение коллектор - эмиттер фототранзистора | |
 ,  | UCB, UCE | напряжение на коллекторе фототранзистора | |
 ,  | UEB, UEC | напряжение на эмиттере фототранзистора | |
 ,  | UBE, UBC | напряжение на базе фототранзистора | |
Uш(U) | Un(U) | вольтовая характеристика напряжения шума ФЭПП | |
| | точность поддержания рабочего напряжения лавинного фотодиода | |
| - | нестабильность чувствительности ФЭПП | |
X0 | X0 | нулевая точка координатного ФЭПП | |
| | ИС NORMPROD: примечание. Стандартизованное буквенное обозначение дано в соответствии с официальным текстом документа. | |
|
X(Т) | X0(T) | температурная характеристика дрейфа нулевой точки координатного ФЭПП | |
X0(t) | X0(t) | координатная характеристика координатного ФЭПП | |
| - | температурный коэффициент фототока ФЭПП | |
| | температурный коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода | |
| | наклон люксомической характеристики фоторезистора | |
| | разброс значений параметров многоэлементного ФЭПП | |
| | длина волны максимума спектральной чувствительности ФЭПП | |
| | коротковолновая граница спектральной чувствительности ФЭПП | |
| | длинноволновая граница спектральной чувствительности ФЭПП | |
| | область спектральной чувствительности ФЭПП | |
v | - | световая нестабильность ФЭПП | |
| - | время установления переходной нормированной характеристики ФЭПП по уровню k | |
| tr | время нарастания ФЭПП | |
| tf | время спада ФЭПП | |
| - | линейная зона координатной характеристики координатного ФЭПП | |
| | плоский угол зрения ФЭПП | |
| | эффективное поле зрения ФЭПП | |
(справочное)
ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОБЩЕТЕХНИЧЕСКИХ ПОНЯТИЙ, НЕОБХОДИМЫХ
ДЛЯ ПОНИМАНИЯ ТЕКСТА СТАНДАРТА
А.1 электромагнитное излучение: Процесс испускания электромагнитных волн. Примечание - Под термином "электромагнитное излучение" следует понимать также и уже излученные электромагнитные волны. | electromagnetic radiation |
А.2 оптическое излучение: Электромагнитное излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 5·10-9 - 10-3 м. Примечание - В указанном диапазоне электромагнитные волны наиболее эффективно изучают оптическими методами, для которых характерно формирование направленных потоков электромагнитных волн с помощью оптических систем. | optical radiation |
А.3 ультрафиолетовое излучение: Оптическое излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 5·10-9 - 4·10-7 м. | ultraviolet radiation |
А.4 видимое излучение: Оптическое излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 4·10-7 - 7,6·10-7 м. | visible radiation |
А.5 инфракрасное излучение; ИК: Оптическое излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 7,6·10-7 - 10-7 м. Примечание - Инфракрасное излучение разделяют на поддиапазоны: - ближний ИК диапазон 7,6·10-7 - 10-6 м; - коротковолновый ИК диапазон 10-6 - 2,5·10-6 м; - средневолновый ИК диапазон 3·10-6 - 5·10-6 м; - длинноволновый ИК диапазон 8·10-6 - 1,4·10-5 м. | infrared radiation; IR |
А.6 равновесное излучение: Электромагнитное излучение, испускаемое физической системой, находящейся в термодинамическом равновесии. | equilibrium radiation |
А.7 немодулированное излучение: Излучение, не изменяющееся во времени за период его измерения. | unmodulated emission |
А.8 модулированное излучение: Излучение, изменяющееся во времени с помощью модуляторов. | modulated radiation |
А.9 фотоэлектрический эффект; фотоэффект: Процесс полного или частичного освобождения заряженных частиц в веществе в результате поглощения фотонов. | photoelectric effect; photoeffect |
А.10 внутренний фотоэлектрический эффект; внутренний фотоэффект: Перераспределение электронов по энергетическим состояниям в твердых телах в результате поглощения фотонов. | internal photoelectric effect; internal photoeffect |
А.11 эффект проводимости: Изменение электрического сопротивления полупроводника, обусловленное внутренним фотоэлектрическим эффектом. | conduction effect |
А.12 фотогальванический эффект: Возникновение электродвижущей силы (ЭДС) в электронно-дырочном переходе или тока при включении перехода в электрическую цепь, происходящее в результате разделения фотоносителей электрическим полем, обусловленным неоднородностью проводника. Примечание - Под термином "фотоносители" следует понимать носители электрического заряда, генерированные в полупроводнике под действием оптического излучения. | photovoltaic effect |
А.13 фотопроводимость: Свойство вещества изменять свою электропроводность под действием оптического излучения. | photoconductivity |
А.14 собственная фотопроводимость: Фотопроводимость полупроводника, обусловленная генерацией пар электрон проводимости - дырка проводимости, возникающей под действием оптического излучения. | intrinsic photoconductivity |
А.15 примесная фотопроводимость: Фотопроводимость полупроводника, обусловленная ионизацией атомов донорной и (или) акцепторной примесей, возникающей под действием оптического излучения. | impurity photoconductivity |
А.16 фотоэлектродвижущая сила; фото-ЭДС: Электродвижущая сила, возникающая в полупроводнике на p - n переходе под действием оптического излучения. | photoelectromotive force |
А.17 фотосигнал: Реакция приемника на оптическое излучение. Примечание - Данный термин применим к ФЭПП и ФПУ первого поколения. | photosignal |
А.18 фотоотклик: Реакция приемника на оптическое излучение. Примечание - Данный термин применим к ФПУ второго и последующих поколений. | photoresponse |
УДК 535.247.4.089.5:006.354 | |
Ключевые слова: приемники излучения полупроводниковые, фотоэлектрические и фотоприемные устройства, термины и определения |
Источник информации: https://internet-law.ru/documents/prod/gost-r_gosudarstvennyj-standart/23/gost_52414.html
На эту страницу сайта можно сделать ссылку:
На правах рекламы:
|
, 
, 
: -.
, 
, 
: -.
, 
, 
: -.
, 
, 
: -.
, 
, 
: -.
, 
, 
: -.
, 
, 
: -.
, 
, 
: -.
, 
, 
: -.
, 
, 
, 
, 
, 
, 
, 
, 
, 
, 
, 
, 
, 
, 
, 
, 
, 
, 
, 
, 
, 
, 
