3.7.2 тестирование по принципу "годен-не годен" (go/no-go testтест): Процесс тестирования, который дает результат только об исправном или неисправном состоянии.
3.7.3 негерметичность корпуса (gross leak): Утечка в герметичном корпусе превышающая 0,00001 см3/с при разности давления 1 атм.
3.7.4 заземление (ground): Общая контрольная точка для обратного провода электрических цепей, цепей экранирования или теплоотводов.
3.7.5 слой заземления (ground plane): Проводящий слой, или его часть, которая служит общей точкой отсчета (напряжения) для возвратных токов электрических цепей экранирования или теплостоков.
3.8 H
3.8.1 сборка (header): <Модуль> Носитель корпусов электронных компонентов, содержащий выводы.
3.8.2 теплоотвод (heatsink, thermal shunt): Механическое устройство, выполненное из материала с высокой теплопроводностью и низкой удельной теплоемкостью, которое рассеивает теплоту, вырабатываемую компонентом или сборкой.
3.8.3 герметичность (hermetic): <изоляции> Приемы изоляции компонента от диффузии проникающих газов, как правило, менее 1 x 10-6 см3/с.
3.8.4 гистограмма (histogram): Диаграмма, которая отображает значения, которые были полученные путем деления диапазона набора данных на равные интервалы, и количество точек данных в каждом интервале.
![]() Рисунок 5 - Гистограмма
3.8.5 концентратор (horn): Конусообразный объект, передающий ультразвуковую энергию от преобразователя передающего устройства.
3.8.6 гибридная схема (hybrid circuit): Схема, размещенная на изоляционном основании с различными комбинациями связанных пленочных проводников, пленочных компонентов, полупроводниковых кристаллов, пассивных компонентов и межсоединений, образующих электрическую цепь.
3.8.7 гибридная интегральная схема (hybrid integrated circuit): Схема, размещенная на изоляционном основании с различными комбинациями связанных пленочных проводников, пленочных компонентов, полупроводниковых кристаллов, пассивных компонентов и межсоединений, образующих электрическую цепь, выполняющая такую же функцию, что и единая полупроводниковая интегральная схема.
3.8.8 гибридная микросхема (hybrid microcircuit): Схема, размещенная на изоляционном материале основания с различными комбинациями связанных пленочных проводников, пленочных компонентов, полупроводниковых кристаллов, пассивных компонентов и межсоединений, образующих электрическую схему.
3.9 I
3.9.1 условия погружения (immersion conditions): Условия испытания, при котором выводы поверхностно-монтируемого компонента погружают в припой для проверки устойчивости к температурам пайки.
3.9.2 волновое сопротивление (impedance): Сопротивление электрической цепи, состоящей из комбинации сопротивления, емкости и индуктивности, при нагружении ее током, меняющимся во времени.
Примечание - Единицей измерения волнового сопротивления является Ом, и, в принципе, оно равно корню квадратному из суммы квадратов сопротивления, реактивного сопротивления и индуктивности.
3.9.3 индуктивность (inductance): Свойство проводника, позволяющее ему накапливать энергию в магнитном поле индуцированным током, протекающим через него.
Примечание - Единицей измерения является генри (H).
3.9.4 входной вектор (input vector): Набор логических значений, которые будут применяться к полному набору входных контрольных точек в любой момент времени.
3.9.5 вносимые потери (insertion loss): Соотношение передаваемой мощности электромагнитной энергии и падения мощности.
Примечание 1 - Потеря мощности включает в себя потерю путем преобразования в тепло в диэлектрике и в проводниках.
Примечание 2 - Вносимые потери, как правило, выражаются в децибелах (дБ).
3.9.6 контрольная партия (inspection lot): Партия образцов продукции, идентифицируемых и рассматриваемых как единое целое, в которой извлеченный из партии образец подвергается контролю и испытаниям с целью определения соответствия партии определенным критериям.
3.9.7 интегральная схема (integrated circuit): Комбинация нерасчленяемых элементов схемы, сформированных вместе и расположенных на/или внутри одного материала основания для выполнения электрических функций.
3.9.8 интегрированный пассивный компонент (integrated passive component): Несколько пассивных компонентов, которые разделяют подложку и корпус.
Примечание - Интегрированные пассивные компоненты могут быть размещены внутри слоев первичной соединительной подложки и, таким образом, станут встроенными пассивными компонентами. В качестве альтернативы эти компоненты могут находиться на поверхности отдельной подложки, которая затем помещается в корпус и монтируется поверх первичной соединительной подложки, становясь пассивными массивами или пассивными сетями.
3.9.9 межсоединение (interconnection): Присоединение электрических устройств для завершения схемы.
3.10 J
3.10.1 джиссо (jisso): Общее решение для соединения, сборки, упаковки, монтажа и интеграции системы проектирования.
Примечание - Японский термин.
3.10.2 J-образный вывод (J-leads): Предпочтительная форма монтажного вывода, используемая на безвыводных пластиковых кристаллодержателях типа PLCC, названных так потому, что вывод отходит от корпуса по оси Z рядом с ним, формируется вниз, затем закручивается под корпус.
Примечание - Так сформированный вывод имеет форму буквы "J".
3.10.3 температура перехода (junction temperature): Температура области перехода между полупроводниковым материалом p-типа и n-типа в транзисторе или диоде во время работы.
3.11 K
3.11.1 эталонный кристалл (known good die KGD): Полупроводниковое изделие в виде кристалла, обеспечивающее полный эквивалент качества и надежности, как его прототип.
3.11.2 протестированный кристалл (known tested die KTD): Полупроводниковое изделие в виде кристалла, функции которого подтверждены пробными испытаниями, соответствующий ожидаемой функциональности кристалла в корпусе без полной гарантии качества от поставщика (поставщиков).
Примечание - Требования к испытаниям соответствуют AABUS.
3.12 L
3.12.1 матрица выводов (land grid array LGA): Квадратный корпус с контактами, расположенными в узлах координатной сетки на основании корпуса.
3.12.2 большая интегральная схема (large-scale integration LSI): Интегральная схема с более чем 100 элементами.
3.12.3 наслаивание (послойное наращивание) (lay-up): Процесс объединения одного или более внутренних слоев и препрега или отдельного слоя (слоев) в слоистую конструкцию.
Примечание - Конструкция может содержать внутренние и внешние слои и слои фольги.
3.12.4 рамка с внешними выводами (lead frame): Металлический блок корпуса компонента, на котором монтируется кристалл интегральной схемы и формируется структура межсоединений от кристалла к внешним выводам.
3.12.5 бессвинцовый припой (lead-free solder): Сплав, который не содержит более 0,1% свинца (Pb) по массе и используется для соединения компонентов к подложкам или для покрытия поверхностей.
3.12.6 кристаллодержатель с выводами (leaded chip carrier): Кристаллодержатель, внешние соединения которого состоят из выводов, которые расположены вокруг и под корпусом.
3.12.7 компонент поверхностного монтажа с выводами (leaded surface-mount component): Компонент поверхностного монтажа, внешние соединители которого состоят из выводов, находящихся вокруг корпуса и под ним.
Примечание - См. также 3.12.8.
![]() Рисунок 6 - Компонент поверхностного
монтажа с выводами в форме "крыло чайки"
3.12.8 безвыводной компонент поверхностного монтажа (leadless surface-mount component, leadless component, leadless device): Компонент поверхностного монтажа, внешние выводы которого представляют собой локальные области металлизации, являющиеся неотъемлемой частью корпуса компонента.
Примечание - См. также 3.12.7.
3.12.9 ток утечки (leakage current): Нежелательное протекание электрического тока по поверхности или сквозь изолятор.
3.12.10 взаимоиндуктивность линий (line coupling): Взаимодействие между двумя линиями передачи, которое обусловлено их взаимной индуктивностью и емкостью.
3.12.11 емкость нагрузки (load capacitance): Емкость на выходе логической схемы или другого источника сигнала.
3.12.12 логическая схема (logic circuit): Функциональная цифровая схема, используемая для выполнения вычислительных функций.
3.12.13 логическая диаграмма (logic diagram): Изображение, отражающее многостадийное устройство реализации логических функций с логическими символами и дополнительными системами обозначения, показывающими детали потока сигнала и контроля, но необязательно от точки до точки.
3.12.14 система логических схем (logic family): Совокупность логических функций, использующих одну форму электронных схем, например эмиттерно-связанную логику (ECL), транзисторно-транзисторную логику (TTL), комплементарную металло-оксидную полупроводниковую логику (CMOS).
3.12.15 приемлемое число выборки (lot accept number): Максимальное количество изделий, которые могут не выдержать испытание, не вызывая отказ от всей партии.
3.12.16 неприемлемое число выборки (lot reject number): Количество изделий, которые не выдержали испытание, вызывающее отказ от всей партии.
3.12.17 размер партии (lot size, batch size): Количество изделий, произведенных в одном непрерывном, бесперебойном производственном цикле.
3.12.18 яркость (luminance, brightness): Величина, вычисляемая по формуле
,где dФV - световой поток, передаваемый элементарным пучком, проходящим через данную точку и распространяющимся в телесном угле
dA - площадь сечения этого пучка, содержащая данную точку;
Единица измерения: кд·м-2 = Лм·м-2·стер-1.
3.12.19 световая энергия (luminous energy): Мера потока световой энергии. Интеграл по времени светового потока.
Примечание - Световая энергия измеряется в лмс (люмен в секунду).
3.12.20 световой поток (luminous flux): Величина, вычисляемая по формуле
,где
Km - постоянная.
Примечание - В системе единиц СИ, где
3.13 M
3.13.1 основной дефект (major defect): Дефект, который, вероятно, приведет к поломке изделия или продукта или существенно снизит его пригодность по основному назначению.
3.13.2 металлооксидный полупроводник (metal-oxide semiconductor MOS): Технология изготовления, в результате которой создаются FET-устройства (устройства на полевых транзисторах).
3.13.3 микросхема (microcircuit): Комбинация эквивалентных элементов цепи с относительно высокой плотностью, соединенных таким образом, чтобы функционировать как самостоятельный компонент электронной схемы.
3.13.4 модуль микросхем (microcircuit module): Комбинация микросхем и отдельных компонентов, соединенных между собой таким образом, чтобы являться завершенной сборкой электронной схемы.
3.13.5 микроэлектроника (microelectronics): Область электронных технологий, занимающаяся созданием электронных систем из микроминиатюрных электронных элементов, устройств и частей.
3.13.6 высокочастотная интегральная схема (microwave integrated circuit): Интегральная схема, работающая на сверхвысоких частотах.
3.13.7 микроволны (microwave): Общий термин, применяемый для радиочастот в диапазоне от 1 до 100 ГГц.
Примечание - Термин "микроволны" в целом относится к диапазону частот, в котором межсоединения цепей и устройств описываются распределенными параметрами вместо сосредоточенных элементов.
3.13.8 минимально упакованный кристалл (minimally-packaged die MPD): Кристалл, к которому была добавлена некоторая внешняя упаковка и взаимосвязанная структура для целей защиты и простоты в обращении.
Примечание - Это определение включает в себя такие технологии, как корпус CSP, в котором размер корпуса не превышает площадь кристалла.
3.13.9 малозначительный дефект (minor defect): Дефект, который, скорее всего, не приведет к отказу изделия или продукта, или существенно снизит возможность его использования по назначению.
3.13.10 смешанная технология монтажа компонентов (mixed component mounting technology): Технология монтажа компонентов, использующая как монтаж в сквозные отверстия, так и технологию поверхностного монтажа в одной компоновке и структуре межсоединений.
3.13.11 модуль (module): Отдельное устройство в компоновке изделия.
3.13.12 влагозащитная тара (moisture barrier bag MBB): Тара, которая предотвращает электростатический разряд и ограничивает попадание в нее паров воды, используемая для упаковки деталей, чувствительных к влаге.
3.13.13 твердотельная интегральная схема (monolithic integrated circuit): Интегральная схема в виде монолитной структуры.
3.13.14 формованное устройство соединения (moulded interconnection device): Сочетание формованной пластиковой подложки и проводящих пленок, которые обеспечивают механические и электрические функции межсоединений.
3.13.15 многокристальный модуль (multi-chip module MCM): <структура> Модуль, который содержит два или более кристалла и/или минимально упакованных кристалла.
Примечание - См. также 3.13.16.
3.13.16 многокристальный компонент (multi-chip package MCP): Компонент, который содержит два или более кристалла и/или минимально упакованных кристалла.
Примечание - См. также 3.13.15.
3.13.17 многокристальный модуль, многокристальный компонент, многокристальная микросхема (multichip module MCM, multichip integrated circuit, multichip microcircuit): Многокристальный модуль, состоящий, прежде всего из плотно упакованных кристаллов интегральных схем, который имеет плотность покрытия 30% или более.
3.14 N
3.14.1 номинал (nominal): Целевой проектный размер физической характеристики изделия или фрагмента, для которых может применяться допуск для установления приемлемых пределов отклонения от заданного значения.
3.14.2 номинальное значение (nominal value): Среднее значение между минимальным и максимальным отклонением.
3.15 O
3.15.1 выходной вектор (output vector): Набор логических значений, ожидаемых или измеренных, для всех выходных контактов в конкретном шаге теста на объекте испытаний.
3.16 P
3.16.1 корпус (package): Общий контейнер, защищающий один или более электронных компонентов от механического, электрического воздействия и воздействия окружающей среды в течение срока службы и обеспечивающий межсоединения.
3.16.2 крышка корпуса (package cap): Крышка корпуса в форме чаши.
3.16.3 крышка корпуса (package cover): Крышка, закрывающая содержимое в углублении корпуса на заключительной операции герметизации.
3.16.4 плоская крышка корпуса (package lid): Плоская крышка корпуса.
3.16.5 сборка (packaging): Процесс упаковки одного или нескольких электронных компонентов в корпус.
Примечание - Использование термина "сборка" в качестве причастия (например, "при сборке микросхем в DIP-корпуса..") является устаревшим.
3.16.6 электронный модуль (packaging and interconnecting assembly): Термин для сборки, которая имеет компоненты, смонтированные на одной или двух сторонах модуля и структуру межсоединений.
Примечание - "Электронный модуль" представляет собой общий термин.
3.16.7 растрескивание корпуса (package cracking): Трещины в пластиковом корпусе интегральной микросхемы, вызванные напряжением, возникающим в результате воздействия высокой температуры пайки.
Примечание - Эти трещины могут распространяться от кристалла или контактной площадки на кристалле до поверхности корпуса компонента или проходить только частично к поверхности выхода выводов из корпуса.
3.16.8 пассивный массив (passive array): Несколько пассивных компонентов, аналогичной функции, которые формируются на поверхности отдельной подложки и упаковываются в один корпус SMT и устанавливаются на первичной соединительной подложке (рисунок 7).
![]() Рисунок 7 - Пассивный массив
Примечание - Примеры включают в себя множество конденсаторов или резисторов.
3.16.9 пассивный компонент (passive component): <Элемент> Дискретное электронное устройство, основные параметры которого не изменяются при прохождении через него сигнала.
Примечание - Пассивные компоненты включают в себя такие компоненты, как резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности.
3.16.10 пассивная сеть (passive network): Несколько пассивных компонентов, которые имеют более одной функции и сформированы на поверхности отдельной подложки и упакованы в одном корпусе SMT.
Примечание 1 - Корпус затем монтируется на основной подложке взаимосвязанной системы.
Примечание 2 - Пассивные сети обычно имеют несколько внутренних соединений, чтобы сформировать простые функции, такие как окончания или фильтры.
3.16.11 максимальная температура корпуса (peak package body temperature): Максимальная температура, достигаемая отдельным корпусом упаковки при определенном уровне влажности (MSL).
3.16.12 периферийный участок герметизации (perimeter sealing area): Поверхность по периметру углубления в корпусе компонента, используемая в качестве крепления крышки корпуса.
3.16.13 фотометрия (photometry): Измерение интенсивности и мощности видимого света, при котором интенсивность света сравнивается с интенсивностью света, измеренной с помощью определенного приемника.
Примечание - Фотометрия включает визуальную, физическую и фотографическую фотометрии. Для визуальной фотометрии глаз является приемником.
3.16.14 усилие захвата (pick-up force): Усилие, необходимое, чтобы извлечь поверхностно-монтируемый компонент из упаковочной среды для размещения на подложке.
3.16.15 инструмент для захвата (pick-up tool): Инструмент, используемый для извлечения поверхностно-монтируемого компонента из упаковки для размещения на подложке, который может быть с ручным приводом или быть частью оборудования для захвата и установки.
3.16.16 матрица штырьковых выводов (pin grid array PGA): Квадратный или прямоугольной формы корпус компонента со штырьками, расположенными с определенным шагом, и выступающими за плоскость основания перпендикулярно к плоскости корпуса (рисунок 8).
![]() Рисунок 8 - Матрица штырьковых выводов
3.16.17 пластмассовый корпус с матрицей шариковых выводов (plastic ball grid array, PBGA): Корпус на полимерной основе с межсоединениями, выполненными в виде сфер из припоя олово-свинец.
Примечание - Межсоединения расположены в виде матрицы на стороне корпуса, обращенного к плате.
3.16.18 пластмассовый компонент (plastic device): Полупроводниковый компонент, у которого корпус или герметик из пластмассы.
3.16.19 пластмассовый кристаллодержатель с выводами (plastic leaded chip carrier, PLCC): Семейство поверхностно-монтируемых корпусов интегральных микросхем с выводами, выходящими со всех четырех сторон корпуса, как правило, с шагом между выводами 1,27 мм.
3.16.20 пластмассовый плоский корпус (plastic quad flat pack, PQFP): Семейство поверхностно монтируемых корпусов интегральных микросхем, ограниченными по всем четырем сторонам бамперами, с выводами по четырем сторонам корпуса, отформованными в виде "крыло чайки".
3.16.21 мощность рассеяния (power dissipation): Энергия, используемая электронным устройством в процессе функционирования.
3.16.22 индуктивность слоя питания (power plane inductance): Индуктивность по отношению к частотным шумам, проявляющаяся в шинах постоянного тока в объединительной плате.
лицевая сторона (primary side, component side) <1>: Сторона компоновки и структуры межсоединений, которая указана в качестве определяющей на конструкторском чертеже.
--------------------------------
<1> Терминологическая статья приведена без номера в соответствии с IEC 60194-2:2017.
Примечание - Это, как правило, та сторона, которая содержит наиболее сложные компоненты или наибольшее количество компонентов.
3.16.23 печатные платы, доска (printed board, PB, board, circuit card, finished board): Полностью изготовленные печатные схемы и структуры печатных проводников.
Примечание 1 - Включает в себя односторонние, двусторонние и многослойные платы с жесткими, гибкими и жестко-гибкими основаниями.
Примечание 2 - "Печатная плата" является общим термином.
3.16.24 печатный узел (printed board assembly): Сборка, в которой используется печатная плата для установки компонентов и обеспечения межсоединений.
Примечание - "Печатный узел" является общим термином.
3.16.25 печатная схема, плата схемы (printed circuit, circuit board): Проводящий рисунок, состоящий из печатных элементов, печатных проводников, дискретного монтажа или их комбинации, который формируется по заданной конфигурации на общем основании.
Примечание - Это также общий термин, который используется для описания печатной платы, которая производится в соответствии с любой из имеющихся технологий.
3.16.26 печатная схемная плата (printed circuit board): Печатная плата, которая обеспечивает как непосредственные соединения, так и имеет печатные компоненты заданной конфигурации на общем основании.
Примечание - См. также 3.16.23.
3.16.27 печатный компонент (printed component): Элемент (например, индуктивность, резистор, конденсатор или линия передачи), который формируется как часть проводящего рисунка печатной платы.
3.16.28 печатный компонент (printed component): <проводящие чернила> Компонент (например, печатная индуктивность, резистор, конденсатор или линия передачи), составляющий часть рисунка печатной схемы.
3.16.29 печатный контакт (printed contact): Часть проводящего рисунка, которая служит в качестве одной части контактной системы.
3.16.30 слой печатной электроники (printed electronics sheet board): Лист (слой), формирующий электронно-функциональный рисунок и/или устройства в крупномасштабной печати проводящих материалов.
Примечание - Слои печатной электроники могут включать в себя датчики различных типов, включая изображения и давления, тонкопленочную вторичную батарею, смарт-карту, RF-IC и т.д.
3.16.31 печатный монтаж (printed wiring): Проводящий рисунок, который обеспечивает непосредственные соединения, но не имеет печатных компонентов заданной конфигурации на общем основании.
Примечание - См. также 3.16.25.
3.16.32 плата с печатным монтажом (printed wiring board): Печатная плата, которая обеспечивает непосредственные соединения, но не имеет печатных компонентов в заданной конфигурации на общем основании.
Примечание - См. также 3.16.25.
3.16.33 печать (printing): Процесс воспроизведения рисунка на поверхности с помощью любого процесса.
3.16.34 временная задержка (propagation delay): Время от выхода до входа, необходимое для прохождения сигнала по линии передачи, или время, необходимое логическому устройству для приема входного сигнала, выполнения своей функции и подачи сигнала на его выход.
3.16.35 импульс (pulse): <Цифровой> Логический сигнал, который переключается из одного цифрового состояния в другое и обратно за короткий промежуток времени и остается в исходном состоянии большую часть времени.
3.17 Q
3.17.1 QFP компонент с выступами (QFP with bumper, BQFP): Корпус QFP с защитными выступами.
3.17.2 прямоугольный компонент с J-выводами (quad flat J-lead, QFJ): Корпус прямоугольного компонента, содержащий электронное устройство, с выводами на всех четырех сторонах, имеющих форму "J".
3.17.3 прямоугольный компонент без выводов (quad flat no-lead, QFN): Корпус прямоугольного компонента, в котором металлические накладки выводов выполнены на четырех сторонах нижней части корпуса.
3.17.4 плоский корпус с выводами (quad flat pack, QFP, plastic QFP, PQFP): Универсальный квадратный или прямоугольный корпус компонента, содержащий полупроводниковый кристалл, с выводами со всех четырех сторон, которые имеют форму "крыло чайки".
3.17.5 квалификационные испытания (qualification testing): Демонстрация способности удовлетворять всем требованиям, установленным для изделия.
3.17.6 испытания на соответствие качества (quality conformance testing): Квалификационные испытания, которые выполняются на регулярной основе для того, чтобы продемонстрировать непрерывную способность изделия удовлетворять всем установленным требованиям по качеству.
3.18 R
3.18.1 поток излучения (radiant flux): Энергия, испускаемая, передаваемая или принимаемая в виде излучения.
Примечание - Поток излучения измеряется в Вт.
3.18.2 интенсивность излучения, мощность источника (radiant intensity, power of source): Частное от деления направленного потока излучения dФe, вышедшего из источника и распространяющегося в элементе телесного угла
.Примечание - Интенсивность излучения измеряется в Вт/ср.
3.18.3 излучение (radiation): <Инфракрасное> Тепловое излучение в инфракрасной области электромагнитного спектра.
3.18.4 излучение (radiation): <Длинноволновое инфракрасное> Инфракрасная энергия, которая излучается на длине волны между 5 микрон и 100 микрон.
3.18.5 излучение (radiation): <Средневолновое инфракрасное> инфракрасная энергия, которая излучается на длине волны между 2,5 мкм и 5 мкм.
3.18.6 излучение (radiation): <Переизлучение инфракрасное> Часть тепловой энергии, поглощаемой в среде, которая, в свою очередь, излучается в инфракрасной части электромагнитного спектра.
3.18.7 излучение, ближнее инфракрасное излучение (radiation): <Коротковолновое инфракрасное> Инфракрасная энергия, которая излучается на длине волны между 0,78 мкм и 2,5 мкм.
3.18.8 радиометрия (radiometry): Измерение излучения в оптическом спектре.
Примечание - Включает в себя инфракрасное (ИК), ультрафиолетовое (УФ) и видимое излучение.
3.18.9 случайная выборка (random sample): Совокупность объектов, взятых из множества таким образом, чтобы каждый отдельный объект в множестве имел одинаковую вероятность быть выбранным.
3.18.10 отражение (reflection): <Распространение сигнала> Доля распространяющегося сигнала, отраженная обратно к своему источнику после того, как сигнал достиг неоднородности волнового сопротивления линии передач, по которой он распространяется.
3.18.11 коэффициент отражения (reflection coefficient): Отношение мощности или напряжения микроволнового сигнала, отраженного от сопротивления нагрузки, которая присоединена к схеме или линии передачи, к мощности входного сигнала.
3.18.12 относительная диэлектрическая проницаемость (relative permittivity):
3.18.13 надежность (reliability): Вероятность того, что компонент или устройство будут (reliability функционировать должным образом в течение определенного периода времени под воздействием оговоренных условий внешней среды и условий работы.
3.18.14 потери на отражение (return loss): Уровень отраженного сигнала, который является результатом несогласования между нагрузкой и источником.
Примечание - Как правило, выражается как отношение отраженной мощности к падающей мощности в дБ.
3.18.15 жестко-гибкая двухсторонняя печатная плата, гибко-жесткая двухсторонняя печатная плата (rigid-flex double-sided printed board, flex-rigid double-sided printed board): Гибко-жесткая печатная плата с проводящими слоями на двух сторонах, содержащих один проводящий слой на гибкой основе материала, а другой на жестком материале основания.
3.18.16 жестко-гибкая печатная плата, гибко-жесткая печатная плата, гибко-жесткая печатная схема (rigid-flex printed board, flex-rigid printed board, flex-rigid printed wiring board): Печатная плата с использованием гибкого материала основания и сочетания гибких и жестких материалов основания в различных областях.
Примечание - Гибкий и жесткий материал основания несет проводящие покрытия, которые обычно соединены между собой в комбинированной области.
3.18.17 время нарастания (rise time): Интервал между моментами времени, в которых мгновенное значение импульса достигает первого заданного низкого значения, а затем заданного верхнего значения.
Примечание - Если не указано иное, нижние и верхние значения фиксируются на 10% и 90% от величины импульса.
3.19 S
3.19.1 план отбора проб (sampling plan): Статистически полученный набор размеров выборки, принимающий номера и/или отклонения, которое подтвердит, что данная партия материалов соответствует установленным AQL или LTPD.
3.19.2 принципиальная схема (schematic diagram): Схема, которая показывает с помощью графических символов электрические соединения, компоненты и функциональные особенности элементов цепи.
3.19.3 трафаретная печать (screen printing, silkscreening): Процесс переноса изображения на поверхность путем продавливания подходящего материала ракелем сквозь сито с нанесенным на него изображением.
3.19.4 вторичная сторона (secondary side): Сторона сборки и структуры межсоединений, которая противоположна основной стороне.
Примечание 1 - То же самое, как "solder side" на печатных платах для технологии монтажа в сквозные отверстия.
Примечание 2 - См. также 3.16.22.
3.19.5 секционная бобина (section beam): Фланцевый цилиндр, на который наматывается и накапливается нить с бобины или упаковки.
3.19.6 частные технические условия (sectional specification, SS): Документ, в котором описываются особые требования к ограниченной части совокупности изделий, семейства или группы изделий, материалов или услуг.
3.19.7 полупроводник (semiconductor): Твердый материал, такой, как кремний, который имеет удельное сопротивление, значение которого лежит в промежутке между проводниками и изоляторами.
3.19.8 кристаллодержатель (semiconductor carrier): Корпус для кристалла полупроводника.
3.19.9 сопротивление пленки (sheet resistance): Электрическое сопротивление плоской пленки из резистивного материала с однородной толщиной, измеренное между противоположными сторонами квадратного образца.
Примечание - Сопротивление пленки выражается в омах на квадрат.
3.19.10 срок годности при хранении (shelf life): Продолжительность временного интервала, в котором сырье или полуфабрикат может храниться в определенных условиях без изменения каких-либо важных свойств.
3.19.11 экранирование (shielding): <Электронный> Физический барьер, который обычно является электропроводным, который уменьшает взаимодействие электрических или магнитных полей с устройствами, цепями или частями цепей.
3.19.12 SOP-компоненты с уменьшенным шагом выводов (shrink sop, SSOP): Семейство корпусов компонентов с четырьмя сторонами, каждая из которых способна обеспечить шаг выводов от 0,625 мм (0,0025 дюйма) до 0,3 мм (0,012 дюйма).
3.19.13 сигнал (signal): Электрический импульс заданного напряжения, тока, полярности и формы импульса, представляющего информацию, подлежащую передаче.
3.19.14 проводник сигнала (signal conductor): Индивидуальный проводник, который используется для передачи подаваемого электрического сигнала.
3.19.15 линия связи (signal line): Проводник, используемый для передачи логического сигнала от одной части схемы к другой.
кремний на изоляторе (silicon on insulator, SOI) <1>: Технология изготовления, использующая изолирующий материал в качестве материала основы вместо кремния, который может быть сапфиром (SOS).
--------------------------------
<1> Терминологическая статья приведена без номера в соответствии с IEC 60194-2:2017.
Примечание - Кремний на изоляторе является общим термином.
3.19.16 кремний на сапфире (silicon on sapphire, SOS): Технология изготовления, использующая сапфир, вид корунда (Al2O3), в качестве материала основы вместо кремния.
3.19.17 однокристальный корпус (single chip package, SCP): Корпус интегральной схемы, содержащий только один полупроводниковый кристалл.
3.19.18 корпус с однорядным расположением выводов (single-inline package, SIP): Корпус компонента с одним прямым рядом штырьковых или проволочных выводов.
3.19.19 односторонняя сборка (single-sided assembly): Компоновка и структура межсоединений с компонентами, установленными только на одной стороне подложки.
Примечание - См. также 3.4.20.
3.19.20 компонент SOJ (small outline J-lead, SOJ): Универсальный прямоугольный корпус компонентов, в котором углубление для кристалла или монтажная область занимает большую часть площади корпуса, причем выводы на двух противоположных сторонах сформированы в форме "J".
3.19.21 компонент SON (small outline no-lead SON): Универсальный прямоугольный корпус компонентов, в котором металлические накладки для выводов выполнены с двух сторон на нижней части корпуса.
3.19.22 компонент SOP (small outline package SOP): Универсальный прямоугольный корпус компонентов, в котором углубление для кристалла или монтажная область занимает большую часть площади корпуса, причем выводы или металлические накладки для выводов сформированы на двух противоположных сторонах.
3.19.24 способность к пайке (soldering ability): Способность специальной комбинации компонентов обеспечить формирование надлежащего паяного соединения.
Примечание - См. 3.19.23.
3.19.25 танталовый чип-конденсатор (solid-tantalum chip component): Конденсатор в безвыводном корпусе, в котором в качестве диэлектрика используется оксид тантал.
3.19.26 испытание подложки на изгиб (substrate bending test): Испытание подложки для определения ее сопротивляемости изгибу и воздействия изгиба на подложку и на любые компоненты, установленные на подложке.
3.19.27 опорное кольцо (support ring, omnibus ring): Кольцо, выполненное из диэлектрического материала, которое используется для удерживания балочных выводов на фиксированных позициях друг относительно друга на внешней стороне корпуса.
3.19.28 опорная плоскость (supporting plane): Плоская структура, которая представляет собой часть корпуса и структуры межсоединений, обеспечивающая механическую опору, термомеханическое согласование, термическую проводимость и/или электрические характеристики.
Примечание 1 - Может быть внутренней или внешней по отношению к корпусу и структуре межсоединений.
Примечание 2 - См. также 3.3.32.
3.19.29 системный корпус (system in package, SiP): Многокристальный корпус (MCP), который выполняет системную функцию.
3.20 T
3.20.1 компоновка на ленте-носителе (tape carrier package, TCP): Компоновка полупроводникового устройства, которая использует ленту-носитель и покрытие смолой.
3.20.2 концевой вывод (termination): Конец проводника, присоединяющий линию к клеммам, распределительному щитку, коммутатору или матрице.
3.20.3 толстопленочная схема (thick-film circuit): Микросхема, в которой пассивные компоненты металлокерамических композиций сформированы на подложке трафаретной печатью и обжигом.
3.20.4 тонкая пленка (thin film): Пленка толщиной менее 0,1 мм, полученная процессом нанесения, например вакуумным или пиролитическим осаждением.
3.20.5 тонкопленочная гибридная схема (thin-film hybrid circuit): Гибридная схема с тонкопленочными компонентами и межсоединениями.
Примечание - См. также 3.8.6.
3.20.6 тонкопленочная интегральная схема (thin-film integrated circuit): Гибридная интегральная схема, состоящая только из тонкопленочных компонентов и межсоединений.
Примечание - См. также 3.8.7.
3.20.7 тонкий корпус с выводами с четырех сторон (thin QUAD flat pack, TQFP): Семейство поверхностно-монтируемых интегральных схем в тонких пластмассовых корпусах.
3.20.8 тонкий малогабаритный корпус (thin small outline package, TSOP): Корпус, имеющий и те же характеристики, что и корпус типа SOP, за исключением толщины, уменьшенной до 0,8 - 1,2 мм.
3.20.9 прослеживаемость (traceability): Отслеживание, как минимум, производителя или процесса изготовления каждого элемента, используемого в блоке.
3.20.10 линия связи (transmission line): Устройство для направления или кондуктивной передачи электромагнитной энергии от одной точки к другой.
Примечание 1 - Линия связи состоит из двух или более параллельных проводников, разделенных диэлектриком.
3.20.11 выход с тремя состояниями (tri-state, high-impedance state): Состояние устройства с высоким полным сопротивлением, что позволяет эффективно отсоединять это устройство от других цепей.
3.21 U
3.21.1 несбалансированная линия связи (unbalanced transmission line): Линия связи, имеющая распределенные параметры индуктивности, емкости, сопротивления и проводимости, которые неравномерно распределены между ее проводниками.
3.21.2 бескорпусная конструкция (uncased device): Компонент без корпуса.
3.21.3 воздушно-струйный питатель ткацкого станка нитью (unfil): Устройство в составе ткацкого станка, которое автоматически вдувает нить в ушко уточной шпули из упаковки нити и обеспечивает поставку шпулей для челнока.
3.21.4 пользователь (user): Физическое лицо, организация, компания или агентство, ответственные за приобретение электрических или электронных технических средств, и имеющие полномочия определять класс оборудования и любые варианты или ограничения (т.е. создатель/держатель контракта, в котором подробно изложены эти требования.
3.22 V
3.22.1 сверхбольшая интегральная схема; СБИС (very large scale integration, VLSI): Интегральная схема с более чем 80 000 транзисторов на одной подложке, которые соединены проводниками шириной 1 мкм или меньше.
3.22.2 видимый свет (visible light): <диапазон> Электромагнитное излучение, имеющее длину волны от 0,39 до 0,78 мкм.
3.23 W
3.23.1 "вафля" (полупроводниковая пластина) (wafer, slice): Плоский срез полупроводникового кристалла либо такого материала, нанесенного на подложку, в котором может формироваться одна или несколько схем или устройств.
3.23.2 корпус WLP (wafer level package, WLP): Технология частичной упаковки и защиты кристалла, все еще представляющего собой "вафлю", до того, как "вафля" разделена на отдельные кристаллы.
3.23.3 корпус WLP (wafer-level package): <корпус CSP> Корпус CSP, размер которого обычно равен размеру полупроводникового устройства, которое он содержит, и который формируется путем обработки "вафли", а не отдельного устройства.
Примечание 1 - Вследствие того, что обрабатывается "вафля", размер корпуса WLP может быть определен более мелкими размерами и более жесткими допусками, чем для корпусов, не являющихся корпусами WFL.
Примечание 2 - Размер корпуса будет меняться с изменением размера кристалла.
3.23.4 волновод (waveguide): Линия передачи, состоящая из системы границ материала или структур для направления электромагнитных волн.
Примечание - Обычные формы волновода включают в себя металлические трубки, диэлектрические стержни и смешанные структуры проводящих и диэлектрических материалов.
3.23.5 длина волны (wavelength): Расстояние в направлении распространения периодической волны между двумя последовательными точками, в которых фаза одинакова.
Примечание 1 - Длина волны измеряется в м.
Примечание 2 - Длина волны в среде равна длине волны в вакууме, деленной на коэффициент преломления среды. Если не указано иное, значения длины волны, как правило, принимается в воздухе. Показатель преломления стандартного воздуха (для спектроскопии: t = 15 °C, давление p = 101 325 Па) лежит между 1,00027 и 1,00029 для видимого излучения.
Примечание 3 -
, где 3.23.6 микросоединение тонким проводом (wire bond): Завершенное соединение микропроводом, обеспечивающее непосредственную электрическую связь между кристаллом и выводом.
3.23.7 микропроволочный вывод (wire bonding): Микросоединение между кристаллом и материалом основания, выводной рамкой и т.д.
3.24 Z
3.24.1 корпус с выводами в линию зигзагом (zigzag in-line package): Корпус с выводами на одной стороне, которые расположены зигзагообразно.
Вернуться в "Каталог нормативных документов"
Источник информации: https://internet-law.ru/documents/prod/gost-r_gosudarstvennyj-standart/27/gost_13995.html
На правах рекламы:
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||