Основные ссылки
|
Каталог ГОСТ
Актуальность базы: 01.01.2023, объем: 48,334 документа(ов)
Для отображения списка документов выберите категорию из классификатора каталога ГОСТов.
Чтобы отобразить подкатегории классификатора ГОСТ, кликните по иконке со знаком плюс и дождитесь подгрузки подкатегорий в нижней части экрана.
Если наименование ГОСТа заранее известно, можете воспользоваться формой поиска ниже.
Полный перечень ГОСТ в базе (алфавитный порядок)
Страницы: |
1 | 2 | показано 15 из 18 |
№ |
Номер |
Название |
Дата введения |
Статус |
1 |
ГОСТ 4.64-80 |
Система показателей качества продукции. Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей |
30.06.1981 |
действующий |
| Англ. название: Production quality system. Semiconductor materials. Indices nomenсlature Область применения: Настоящий стандарт устанавливает номенклатуру основных показателей качества объемных монокристаллов полупроводниковых материалов, включаемых в ТЗ на НИР по определению перспектив развития этой группы продукции, государственные стандарты с перспективными требованиями, а также номенклатуру показателей качества, включаемых в разрабатываемые и перспективные стандарты на продукцию, ТЗ на ОКР, технические условия, карты технического уровня и качества продукции |
2 |
ГОСТ 2169-69 |
Кремний технический. Технические условия |
30.06.1970 |
действующий |
| Англ. название: Silicon technical. Specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на кремний, получаемый путем восстановительной плавки кварцита в дуговых электропечах, предназначенный для изготовления кремнийсодержащих сплавов, кремнийорганической продукции, полупроводникового кремния, а также для спеццелей Нормативные ссылки: ГОСТ 2169-43ГОСТ 427-75, ГОСТ 2991-85, ГОСТ 5336-80, ГОСТ 6247-79, ГОСТ 6613-86, ГОСТ 8777-80, ГОСТ 13950-91, ГОСТ 14192-96, ГОСТ 19014.0-73, ГОСТ 19014.1-73, ГОСТ 19014.2-73, ГОСТ 19014.3-73, ГОСТ 19014.4-73, ГОСТ 26663-85;БДС 9617-72, СТ СЭВ 543-77, ТУ 10.10.739-88 |
3 |
ГОСТ 19014.0-73 |
Кремний кристаллический. Общие требования к методам химического анализа |
01.01.1975 |
действующий |
| Англ. название: Crystal silicon. General requirements for methods of chemical analysis Область применения: Настоящий стандарт устанавливает общие требования к методам химического анализа кристаллического кремния Нормативные ссылки: ГОСТ 2178-54 в части разд. I, IIГОСТ 8.505-84, ГОСТ 1770-74, ГОСТ 2169-69, ГОСТ 6563-75, ГОСТ 6613-86, ГОСТ 20292-74, ГОСТ 24104-88, ГОСТ 25086-87, ГОСТ 25336-82 |
4 |
ГОСТ 19014.1-73 |
Кремний кристаллический. Методы определения алюминия |
01.01.1975 |
действующий |
| Англ. название: Crystal silicon. Methods of aluminium determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает титриметрический и атомно-абсорбционный методы определения алюминия (при массовой доле алюминия от 0,30 до 1,60 %) в кристаллическом кремнии Нормативные ссылки: ГОСТ 2178-54 в части разд. IIIГОСТ 61-75, ГОСТ 83-79, ГОСТ 199-78, ГОСТ 3118-77, ГОСТ 3640-79, ГОСТ 3760-79, ГОСТ 4199-76, ГОСТ 4204-77, ГОСТ 4328-77, ГОСТ 4461-77, ГОСТ 5457-75, ГОСТ 7172-76, ГОСТ 10484-78, ГОСТ 10652-73, ГОСТ 11069-74, ГОСТ 19014.0-73 |
5 |
ГОСТ 19014.2-73 |
Кремний кристаллический. Методы определения железа |
01.01.1975 |
действующий |
| Англ. название: Crystal silicon. Methods of iron determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает фотометрический и атомно-абсорбционный методы определения железа (при массовой доле железа от 0,3 до 1,6 %) в кристаллическом кремнии Нормативные ссылки: ГОСТ 2178-54 в части разд. IVГОСТ 83-79, ГОСТ 199-78, ГОСТ 3118-77, ГОСТ 4199-76, ГОСТ 4205-77, ГОСТ 4461-77, ГОСТ 5456-79, ГОСТ 5457-75, ГОСТ 13610-79, ГОСТ 19014.1-73 |
6 |
ГОСТ 19014.3-73 |
Кремний кристаллический. Методы определения кальция |
01.01.1975 |
действующий |
| Англ. название: Crystal silicon. Methods of calcium determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает титриметрический и атомно-абсорбционный методы определения кальция (при массовой доле кальция от 0,30 до 1,60 %) в кристаллическом кремнии Нормативные ссылки: ГОСТ 2178-54 в части разд. VГОСТ 83-79, ГОСТ 1381-73, ГОСТ 3118-77, ГОСТ 3760-79, ГОСТ 3773-72, ГОСТ 4199-76, ГОСТ 4234-77, ГОСТ 4461-77, ГОСТ 4530-76, ГОСТ 5457-75, ГОСТ 5817-77, ГОСТ 10652-73, ГОСТ 18300-87, ГОСТ 19014.0-73, ГОСТ 19014.1-73, ГОСТ 24363-80 |
7 |
ГОСТ 19014.4-73 |
Кремний кристаллический. Методы определения титана |
01.01.1975 |
действующий |
| Англ. название: Crystal silicon. Methods of titanium determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает фотометрический и атомно-абсорбционный методы определения титана (при массовой доле титана от 0,10 до 0,40 %) в кристаллическом кремнии Нормативные ссылки: ГОСТ 2178-54 в части разд. VIГОСТ 83-79, ГОСТ 3118-77, ГОСТ 4165-78, ГОСТ 4199-76, ГОСТ 4204-77, ГОСТ 5457-75, ГОСТ 7172-76, ГОСТ 19014.0-73, ГОСТ 19014.1-73, ГОСТ 19807-74 |
8 |
ГОСТ 19658-81 |
Кремний монокристаллический в слитках. Технические условия |
01.01.1983 |
действующий |
| Англ. название: Monocrystalline silicon in ingots. Specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на слитки монокристаллического кремния, получаемые методом Чохральского и предназначенные для изготовления пластин-подложек, используемых в производстве эпитаксиальных структур и структур металл-диэлектрик-полупроводник Нормативные ссылки: ГОСТ 19658-74ГОСТ 2.004-88, ГОСТ 61-75, ГОСТ 334-73, ГОСТ 427-75, ГОСТ 701-89, ГОСТ 1367.0-83, ГОСТ 1770-74, ГОСТ 2263-79, ГОСТ 2548-77, ГОСТ 2567-89, ГОСТ 2789-73, ГОСТ 2874-82, ГОСТ 3647-80, ГОСТ 3776-78, ГОСТ 4160-74, ГОСТ 4220-75, ГОСТ 4461-77, ГОСТ 5017-74, ГОСТ 5959-80, ГОСТ 5962-67, ГОСТ 9206-80, ГОСТ 9285-78, ГОСТ 9412-93, ГОСТ 9696-82, ГОСТ 10197-70, ГОСТ 10354-82, ГОСТ 10484-78, ГОСТ 11069-74, ГОСТ 11078-78, ГОСТ 11109-90, ГОСТ 11125-84, ГОСТ 12026-76, ГОСТ 12997-84, ГОСТ 14192-77, ГОСТ 17299-78, ГОСТ 18270-72, ГОСТ 18300-87, ГОСТ 20477-86, ГОСТ 23676-79, ГОСТ 24392-80, ГОСТ 25593-83, ГОСТ 26239.1-84, ГОСТ 29298-92, ГОСТ 29329-92;ТУ 6-09-3401-70, ТУ 6-09-4015-78, ТУ 25-10(АМЦ2.778.019)-84, ТУ 25-10(АМЦ2.778.020)-84 |
9 |
ГОСТ 22265-76 |
Материалы проводниковые. Термины и определения |
01.01.1978 |
действующий |
| Англ. название: Conductor materials. Terms and definitions Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий в области проводниковых материалов. Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, учебниках, учебных пособиях, технической и справочной литературе Нормативные ссылки: ГОСТ 17033-71 в части терминологии проводниковых материаловГОСТ 19880-74, ГОСТ Р 52002-2003 |
10 |
ГОСТ 22622-77 |
Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров |
30.06.1978 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor materials. Terms and definitions Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий полупроводниковых материалов Нормативные ссылки: ГОСТ 19880-74, ГОСТ Р 52002-2003 |
11 |
ГОСТ 26239.0-84 |
Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Общие требования к методам анализа |
01.01.1986 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. General requirements for methods of analysis Область применения: Настоящий стандарт устанавливает общие требования к методам анализа полупроводникового кремния, исходных продуктов для его получения ( технический кремний, четыреххлористый кремний, хлорсиланы, двуокись кремния) и кварца Нормативные ссылки: ГОСТ 12.0.004-79, ГОСТ 1770-74, ГОСТ 6709-72, ГОСТ 9147-80, ГОСТ 13718-68, ГОСТ 14919-83, ГОСТ 19908-80, ГОСТ 20292-74, ГОСТ 25336-82 |
12 |
ГОСТ 26239.1-84 |
Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Метод определения примесей |
01.01.1986 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. Method of impurities determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения примесей в интервалах значений массовых долей в полупроводниковом кремнии, двуокиси кремния, кварце, четуреххлористом кремнии и трихлорсилане Нормативные ссылки: ГОСТ 123-78, ГОСТ 804-72, ГОСТ 849-70, ГОСТ 859-78, ГОСТ 1277-75, ГОСТ 1467-77, ГОСТ 3118-77, ГОСТ 3640-79, ГОСТ 3778-77, ГОСТ 4331-78, ГОСТ 4461-77, ГОСТ 4526-75, ГОСТ 4530-76, ГОСТ 5905-79, ГОСТ 6008-82, ГОСТ 6835-80, ГОСТ 6836-80, ГОСТ 10216-75, ГОСТ 10262-73, ГОСТ 10928-75, ГОСТ 11069-74, ГОСТ 11125-84, ГОСТ 13610-79, ГОСТ 13637.1-77, ГОСТ 14261-77, ГОСТ 16539-79, ГОСТ 17746-79, ГОСТ 18300-87, ГОСТ 22516-77, ГОСТ 23463-79, ГОСТ 26239.0-84;ТУ 6-09-5382-88 |
13 |
ГОСТ 26239.2-84 |
Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения бора |
01.01.1986 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of boron determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения бора в полупроводниковом кремнии, в двуокиси кремния и кварце, в четыреххлористом кремнии и трихлорсилане и атомно-эмиссионный метод определения бора в техническом кремнии Нормативные ссылки: ГОСТ 83-79, ГОСТ 195-77, ГОСТ 244-76, ГОСТ 2603-79, ГОСТ 3118-77, ГОСТ 3773-72, ГОСТ 4160-74, ГОСТ 4461-77, ГОСТ 8321-74, ГОСТ 8429-77, ГОСТ 9656-75, ГОСТ 10007-80, ГОСТ 11125-84, ГОСТ 13637.1-77, ГОСТ 14261-77, ГОСТ 14262-78, ГОСТ 14919-83, ГОСТ 18300-87, ГОСТ 19627-74, ГОСТ 20292-74, ГОСТ 23463-79, ГОСТ 26239.0-84, ГОСТ 26239.1-84;ТУ 6-09-05-504-76, ТУ 6-09-3011-73, ТУ 6-09-3401-88, ТУ 6-09-4305-76 |
14 |
ГОСТ 26239.3-84 |
Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения фосфора |
01.01.1986 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of phosphorus determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает экстракционно-фотометрический метод определения фосфора в техническом кремнии, экстракционно-колориметрический метод определения фосфора в трихлорсилане и тетрахлориде кремния и двуокиси кремния (синтетическом кварце); нейтронно-активационный метод определения фосфора в полупроводниковом кремнии Нормативные ссылки: ГОСТ 2603-79, ГОСТ 3765-78, ГОСТ 4198-75, ГОСТ 4328-77, ГОСТ 6006-78, ГОСТ 6259-75, ГОСТ 6709-72, ГОСТ 9285-78, ГОСТ 10484-78, ГОСТ 10931-74, ГОСТ 11125-84, ГОСТ 14261-77, ГОСТ 18300-87, ГОСТ 20015-74, ГОСТ 20288-74, ГОСТ 20490-75, ГОСТ 26239.0-84, ГОСТ 26239.1-84;ТУ 6-09-5384-88, ОСП 72/80 |
15 |
ГОСТ 26239.5-84 |
Кремний полупроводниковый и кварц. Метод определения примесей |
01.01.1986 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor silicon and quartz. Method of impurities determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает нейтронно-активационный метод определения примесей в нелегированном полупроводниковом кремнии и кварце. Метод не распространяется для анализа кремния марок КЭС-0,01 и КЭМ-0,01 Нормативные ссылки: ГОСТ 123-78, ГОСТ 618-73, ГОСТ 859-78, ГОСТ 1089-82, ГОСТ 1277-75, ГОСТ 2603-79, ГОСТ 3640-79, ГОСТ 3765-78, ГОСТ 4220-75, ГОСТ 4233-77, ГОСТ 4328-77, ГОСТ 4331-78, ГОСТ 4951-79, ГОСТ 6709-72, ГОСТ 6835-80, ГОСТ 9293-74, ГОСТ 10297-75, ГОСТ 10484-78, ГОСТ 11125-78, ГОСТ 12797-77, ГОСТ 13610-79, ГОСТ 14261-77, ГОСТ 18289-78, ГОСТ 18300-87, ГОСТ 18344-78, ГОСТ 24104-88, ГОСТ 26239.0-84;ОСП 72/87 |
Страницы: |
1 | 2 | показано 15 из 18 |
Источник информации: https://internet-law.ru/gosts/580/
На эту страницу сайта можно сделать ссылку:
На правах рекламы:
|