1 |
ГОСТ 14343-69 |
Диоды полупроводниковые типов Д223, Д223А, Д223Б для устройств широкого применения |
01.01.1970 |
отменён |
| Англ. название: Semiconductors diodes types of Д 223, Д 223a, Д 223Б for widely used devices Нормативные ссылки: ГОСТ 18696.3-73;ГОСТ 18696.1-73;ГОСТ 11630-70;ГОСТ 16962-71;ГОСТ 1499-70;ГОСТ 10863-70 |
2 |
ГОСТ 15606-70 |
Диоды туннельные типов АИ301А, АИ301Б, АИ301В, АИ301 Г для устройств широкого применения |
01.01.1971 |
отменён |
| Англ. название: Tunnel diodes. Types aИ301a, aИ301, aИ301b, aИ301Г for widely used devices Нормативные ссылки: ГОСТ 11630-70;ГОСТ 10863-70 |
3 |
ГОСТ 17465-80 |
Диоды полупроводниковые. Основные параметры |
01.01.1982 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor diodes. Basic parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые полупроводниковые диоды, выпрямительные (кроме диодов Шоттки), импульсные, стабилитроны (стабисторы), варикапы, диоды СВЧ, выпрямительные столбы и импульсные диодные матрицы (сборки) Нормативные ссылки: ГОСТ 16963-71ГОСТ 17465-72 в части пп. 1 - 12, 16 - 22ГОСТ 16962-71 |
4 |
ГОСТ 18986.0-74 |
Диоды полупроводниковые. Методы измерения электрических параметров. Общие положения |
01.01.1976 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor diodes. Measuring methods for electrical parameters. General requirements Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды: выпрямительные, универсальные, испульсные, туннельные, варикапы, стабилизаторы, генераторы шума и диоды СВЧ ( в части низкочастотных и статических параметров) и устанавливает общие требования для методов измерения электрических параметров Нормативные ссылки: ГОСТ 12.0.004-90;ГОСТ 12.1.004-91;ГОСТ 12.1.030-81;ГОСТ 12.2.007.0-75;ГОСТ 12.3.019-80;ГОСТ 20.57.406-81;СТ СЭВ 1622-79 |
5 |
ГОСТ 18986.1-73 |
Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного обратного тока |
01.01.1975 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor diodes. Method for measuring direct reverse current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения постоянного обратного тока. Стандарт не распространяется на выпрямительные блоки Нормативные ссылки: ГОСТ 10963-64СТ СЭВ 2769-80IEC 60147-2B;ГОСТ 18986.0-74 |
6 |
ГОСТ 18986.3-73 |
Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного прямого напряжения и постоянного прямого тока |
01.01.1975 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor diodes. Method of measuring of direct forward voltage and direct forward current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает методы измерения постоянного прямого напряжения и постоянного прямого тока. Стандарт не распространяется на выпрямительные блоки Нормативные ссылки: ГОСТ 10961-64СТ СЭВ 2769-80IEC 60147-23;ГОСТ 18986.0-74 |
7 |
ГОСТ 18986.4-73 |
Диоды полупроводниковые. Методы измерения емкости |
01.01.1975 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor diodes. Methods for measuring capacitance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает методы измерения общей емкости диода: метод емкостно-омического делителя; мостовой метод; частотный метод Нормативные ссылки: ГОСТ 10964-64СТ СЭВ 2769-80IEC 60147-2M;ГОСТ 18986.0-74 |
8 |
ГОСТ 18986.5-73 |
Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени выключения |
01.01.1975 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor diodes. Method for measuring transition time Область применения: Настоящий стандарт распространяется на импульсные диоды и умножительные СВЧ диоды и устанавливает метод измерения времени выключения Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.0-74;ГОСТ 19656.0-74 |
9 |
ГОСТ 18986.6-73 |
Диоды полупроводниковые. Метод измерения заряда восстановления |
01.01.1975 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor diodes. Method for measuring recovery charge Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые импульсные и выпрямительные диоды, а также на переключательные диоды диапазона СВЧ, у которых накопленный заряд может быть принят равным заряду восстановления и устанавливает метод измерения заряда восстановления Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3198-81ГОСТ 18986.0-74 |
10 |
ГОСТ 18986.7-73 |
Диоды полупроводниковые. Методы измерения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда |
01.01.1975 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor diodes. Methods for measuring life time Область применения: Настоящий стандарт распространяется на импульсные, смесительные и умножительные диоды СВЧ. Стандарт устанавливает два метода измерения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда: для импульсных и смесительных диодов СВЧ; для импульсных диодов с накоплением заряда и умножительных диодов СВЧ Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.0-74;ГОСТ 18986.6-73;ГОСТ 19656.0-74 |
11 |
ГОСТ 18986.8-73 |
Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления |
01.01.1975 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor diodes. Method for measuring reverse recovery time Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые импульсные и выпрямительные диоды и устанавливает метод измерения времени обратного восстановления Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.0-74 |
12 |
ГОСТ 18986.9-73 |
Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления |
01.01.1975 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor diodes. Method for measuring pulse direct voltage and forword recovery time Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления Нормативные ссылки: ГОСТ 10965-64ГОСТ 18986.0-74;СТ СЭВ 3198-81 |
13 |
ГОСТ 18986.10-74 |
Диоды полупроводниковые. Методы измерения индуктивности |
01.07.1976 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor diodes. Methods for measuring inductance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на все типы полупроводниковых диодов в корпусе, у которых индуктивность более 0,1 нГн. Стандарт устанавливает два метода измерения индуктивности диодов: метод I - для диодов, индуктивность которых 2 нГн и более; метод II - для диодов, индуктивность которых менее 2 нГн Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.0-74;ГОСТ 19656.0-74 |
14 |
ГОСТ 18986.11-84 |
Диоды полупроводниковые. Методы измерения последовательного сопротивления потерь |
01.07.1985 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor diodes. Total series equivalent resistance measurement methods Область применения: Настоящий стандарт распространяется на варикапы и туннельные диоды и устанавливает два метода измерения последовательного сопротивления потерь: для варикапов, предназначенных для работы в диапазоне от 0,25 до 1000 МГц; для туннельных диодов Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.11-74СТ СЭВ 3199-81IEC 60147-2F;ГОСТ 18986.0-74 |
15 |
ГОСТ 18986.12-74 |
Диоды полупроводниковые туннельные. Метод измерения отрицательной проводимости перехода |
01.07.1976 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor tunnel diodes. Method for measuring negative conductance of the intrinsic diode Область применения: Настоящий стандарт распространяется на туннельные полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения отрицательной проводимости Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.0-74;ГОСТ 18986.11-74 |