Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий высоковольтных кенотронов. Стандарт не распространяется на кенотроны, относящиеся к группе приемно-усилительных ламп, и рентгеновские кенотроны

Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий, относящихся к катушкам индуктивности, применяемых в колебательных контурах аппаратуры связи

Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения понятий в области средств вторичного электропитания радиоэлектронной аппаратуры. Термины, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе

Область применения: Настоящий стандарт распространяется на радиомаяки радиотехнической системы ближней навигации (РСБН) и устанавливает единые требования к методам летных испытаний радиомаяков при вводе в эксплуатацию, периодических проверках в процессе эксплуатации и к аппаратуре летного контроля (АЛК) Стандарт не распространяется на АЛК КПА-ЭС-1

Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые высоковольтные кенотроны (кроме кенотронов, относящихся к группе приемно-усилительных ламп и рентгеновских кенотронов) (далее – кенотроны) и устанавливает состав параметров и типовых характеристик, подлежащих включению в технические условия (ТУ) или стандарты на кенотроны конкретных типов при их разработке или пересмотре. Настоящий стандарт следует применять для выбора параметров при разработке технических заданий на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, программ испытаний опытных образцов. Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научной и хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке, производстве, эксплуатации кенотронов в соответствии с действующим законодательством

Область применения: Настоящий стандарт распространяется на эпитаксиальные структуры, применяемые для изготовления изделий электронной компонентной базы, и устанавливает метод интерференции для измерения толщины эпитаксиальных слоев в структурах кремний на сапфире (КНС)

Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые выпрямительные и импульсные высоковольтные кенотроны (далее – кенотроны) и устанавливает методы измерения температуры внешних элементов баллонов кенотронов. Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научной и хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке, производстве, эксплуатации кенотронов в соответствии с действующим законодательством

Область применения: Настоящий стандарт распространяется на генераторные, модуляторные и регулирующие лампы мощностью, рассеиваемой анодом, свыше 25 Вт (далее – лампы) и устанавливает методы измерения (оценки) температуры внешних элементов оболочки (далее – оболочка) при испытаниях ламп: метод 1 – с помощью термоэлектрического преобразователя (далее – термопреобразователь); метод 2 – с помощью термоиндикатора плавления (далее термоиндикатор)

Область применения: Настоящий стандарт распространяется на импульсные и выпрямительные высоковольтные кенотроны (далее – кенотроны) и устанавливает методы измерения емкости анод–катод, электрические параметры и характеристики, подлежащие включению в технические условия (ТУ) или стандарты видов «Технические условия», «Общие технические условия» при их разработке или пересмотре. Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научной и хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке, производстве, эксплуатации кенотронов в соответствии с действующим законодательством

Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые и диэлектрические пластины, применяемые для изготовления изделий электронной компонентной базы, и устанавливает метод теневой проекции для контроля закругленности края пластин на различных стадиях технологического процесса их изготовления