юридическая фирма 'Интернет и Право'
Основные ссылки


На правах рекламы:











Яндекс цитирования





Каталог ГОСТ

Актуальность базы: 01.06.2022, объем: 47,316 документа(ов)

Для отображения списка документов выберите категорию из классификатора каталога ГОСТов.
Чтобы отобразить подкатегории классификатора ГОСТ, кликните по иконке со знаком плюс
и дождитесь подгрузки подкатегорий в нижней части экрана.
Если наименование ГОСТа заранее известно, можете воспользоваться формой поиска ниже.
Полный перечень ГОСТ в базе (алфавитный порядок)

Поиск: Где искать:
Отображать: Упорядочить:
везде в текущем разделе
Номер Название Дата введения Статус
1 ГОСТ 4.137-85 Система показателей качества продукции. Приборы полупроводниковые силовые. Номенклатура показателей 01.01.1987 действующий
 
Англ. название: Product-quality index system. Power semiconductor devices. Nomenclature of indices
Область применения: Стандарт устанавливает номенклатуру показателей качества силовых полупроводниковых приборов, включаемых в стандарты с перспективными требованиями, технические задания на опытно-конструкторские работы (ТЗ на ОКР), технические условия (ТУ), карты технического уровня и качества продукции (КУ), разрабатываемые и пересматриваемые стандарты на продукцию
Нормативные ссылки: ГОСТ 20003-74;ГОСТ 20332-84;ГОСТ 20859.1-79;ГОСТ 25529-82;ГОСТ 23900-79;ГОСТ 27002-83;СТ СЭВ 1125-78
2 ГОСТ 4.139-85 Система показателей качества продукции. Преобразователи электроэнергии плупроводниковые. Номенклатура показателей 01.01.1987 действующий
 
Англ. название: System of product-quality indices. Semiconductor power converters. Nomenclature of indices
Область применения: Стандарт устанавливает номенклатуру показателей качества полупроводниковых преобразователей электроэнергии, включаемых в стандарты с перспективными требованиями, ТЗ на ОКР, разрабатываемые и пересматриваемые стандарты на продукцию, технические условия (ТУ), карты технического уровня и качества продукции (КУ). Стандарт распространяется на следующие группы однородной продукции: преобразователи электроэнергии полупроводниковые силовые мощностью до 5 кВ.А включительно; выпрямители полупроводниковые мощностью свыше 5 кВ.А; преобразователи частоты полупроводниковые мощностью свыше 5 кВ.А ; нверторы полупроводниковые мощностью свыше 5 кВ.А; преобразователи переменного напряжения полупроводниковые мощностью свыше 5 кВ.А; преобразователи постоянного напряжения полупроводниковые мощностью свыше 5 кВ.А; агрегаты бесперебойного питания
Нормативные ссылки: ГОСТ 27.002-83;ГОСТ 27.003-83;ГОСТ 14.205-83;ГОСТ 18311-80;ГОСТ 19880-74;ГОСТ 12.2.007.11-75;ГОСТ 12.1.004-84
3 ГОСТ 20859.1-89 Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования 01.01.1990 действующий
 
Англ. название: Power semiconductor devices. General technical requirements
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы общего назначения - диоды, триодные тиристоры, биполярные (в том числе составные) транзисторы, полевые транзисторы и модули всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 10 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок. Настоящий стандарт не распространяется на приборы и модули, работающие: 1) в средах с токопроводящей пылью; 2) в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы; 3) во взрывоопасной среде; 4) в условиях воздействия различных повреждающих приборы и модули излучений
Нормативные ссылки: ГОСТ 20859.1-79ГОСТ 30617-98 в части модулейСТ СЭВ 1135-88IEC 60747-1(1983);IEC 60747-2(1983);IEC 60747-6(1983);IEC 60147-IJ(1981);ГОСТ 2.601-68;ГОСТ 20.57.406-81;ГОСТ 8032-84;ГОСТ 15133-77;ГОСТ 15150-69;ГОСТ 15543-70;ГОСТ 17516-72;ГОСТ 18242-72;ГОСТ 20003-74;ГОСТ 20332-84;ГОСТ 23216-78;ГОСТ 23900-87;ГОСТ 24461-80;ГОСТ 24566-86;ГОСТ 25529-82;ГОСТ 27264-87;ГОСТ 27591-88
4 ГОСТ 23900-87 Приборы полупроводниковые силовые. Габаритные и присоединительные размеры 01.07.1988 действующий
 
Англ. название: Power semiconductor devices. Overall and mounting dimensions
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы - диоды и тиристоры на токи 10 А и более
Нормативные ссылки: ГОСТ 23900-79CT CЭB 1136-86IEC 60191-2(1966);IEC 60191-2A(1969);IEC 60191-2B(1969);IEC 60191-2C(1970);IEC 60191-2D(1971);IEC 60191-2E(1974);IEC 60191-2F(1976);IEC 60191-2G(1978);IEC 60191-2H(1978);IEC 60191-2J(1980);IEC 60191-2K(1981);IEC 60191-2L(1982);IEC 60191-2M(1983)
5 ГОСТ 24461-80 Приборы полупроводниковые силовые. Методы измерений и испытаний 01.01.1982 действующий
 
Англ. название: Power semiconductor devices. Test and measurement methods
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы, кроме арсенид-галлиевых приборов, диоды, тиристоры на максимально допустимые средние или действующие токи 10А и более и устанавливает методы измерения параметров и проверки (испытаний) предельно допустимых значений параметров, в том числе условия, схемы, режимы, требования к элементам схем и контрольно-измерительному оборудованию, последовательность операций при измерениях и проверках
Нормативные ссылки: СТ СЭВ 1656-79IEC 60747-1(1983);IEC 60747-2(1983);IEC 60747-6(1983);ГОСТ 8.207-76;ГОСТ 12.1.030-81;ГОСТ 12.2.007.0-75;ГОСТ 12.3.019-80;ГОСТ 15150-69
6 ГОСТ 27264-87 Транзисторы силовые биполярные. Методы измерений 01.01.1988 действующий
 
Англ. название: Power bipolar transistors. Measurement methods
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые биполярные транзисторы, в том числе составные, на токи 10 А и более и устанавливает методы измерений электрических, тепловых параметров и проверок предельно допустимых значений параметров
Нормативные ссылки: CT CЭB 5538-86IEC 147-2-63;IEC 147-2C-70;IEC 147-2M-80;IEC 747-1-83;ГОСТ 12.3.019-80;ГОСТ 20.57.406-81;ГОСТ 20003-74
7 ГОСТ 30617-98 Модули полупроводниковые силовые. Общие технические условия 01.07.2002 действующий
 
Англ. название: Power semiconductor modules. General specifications
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые модули общего назначения, состоящие из полупроводниковых приборов и (или) структур: диодов, биполярных (в том числе составных) транзисторов, полевых транзисторов и тиристоров всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 5 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок. Настоящий стандарт не распространяется на модули, работающие: - в средах с токопроводящей пылью; - в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы; - во взрывоопасной среде; - в условиях воздействия различных излучений, повреждающих модули
Нормативные ссылки: ГОСТ 20859.1-89 в части модулейГОСТ 12.1.004-91;ГОСТ 12.2.007.0-75;ГОСТ 20.39.312-85;ГОСТ 20.57.406-81;ГОСТ 8032-84;ГОСТ 14192-96;ГОСТ 15133-77;ГОСТ 15150-69;ГОСТ 15543.1-89;ГОСТ 17516.1-90;ГОСТ 18620-86;ГОСТ 19095-73;ГОСТ 20003-74;ГОСТ 20332-84;ГОСТ 23216-78;ГОСТ 24461-80;ГОСТ 24566-86;ГОСТ 25529-82;ГОСТ 27264-87;ГОСТ 27591-88;СТ СЭВ 1657-79

 

Источник информации: https://internet-law.ru/gosts/15091/

 

На эту страницу сайта можно сделать ссылку:

 


 

На правах рекламы:




Произвольная ссылка:







Уважаемый посетитель!

Вы, кажется, используете блокировщик рекламы.

Пожалуйста, отключите его для корректной работы сайта.