Основные ссылки
|
Каталог ГОСТ
Актуальность базы: 01.01.2019, объем: 43,426 документа(ов)
Для отображения списка документов выберите категорию из классификатора каталога ГОСТов.
Чтобы отобразить подкатегории классификатора ГОСТ, кликните по иконке со знаком плюс
и дождитесь подгрузки подкатегорий в нижней части экрана.
Если наименование ГОСТа заранее известно, можете воспользоваться формой поиска ниже.
Полный перечень ГОСТ в базе (алфавитный порядок)
| № |
Номер |
Название |
Дата введения |
Статус |
| 1 |
ГОСТ 4.137-85 |
Система показателей качества продукции. Приборы полупроводниковые силовые. Номенклатура показателей |
01.01.1987 |
действующий |
| | Англ. название: Product-quality index system. Power semiconductor devices. Nomenclature of indices Область применения: Стандарт устанавливает номенклатуру показателей качества силовых полупроводниковых приборов, включаемых в стандарты с перспективными требованиями, технические задания на опытно-конструкторские работы (ТЗ на ОКР), технические условия (ТУ), карты технического уровня и качества продукции (КУ), разрабатываемые и пересматриваемые стандарты на продукцию |
| 2 |
ГОСТ 4.139-85 |
Система показателей качества продукции. Преобразователи электроэнергии плупроводниковые. Номенклатура показателей |
01.01.1987 |
действующий |
| | Англ. название: System of product-quality indices. Semiconductor power converters. Nomenclature of indices Область применения: Стандарт устанавливает номенклатуру показателей качества полупроводниковых преобразователей электроэнергии, включаемых в стандарты с перспективными требованиями, ТЗ на ОКР, разрабатываемые и пересматриваемые стандарты на продукцию, технические условия (ТУ), карты технического уровня и качества продукции (КУ).
Стандарт распространяется на следующие группы однородной продукции:
преобразователи электроэнергии полупроводниковые силовые мощностью до 5 кВ.А включительно;
выпрямители полупроводниковые мощностью свыше 5 кВ.А;
преобразователи частоты полупроводниковые мощностью свыше 5 кВ.А ;
нверторы полупроводниковые мощностью свыше 5 кВ.А;
преобразователи переменного напряжения полупроводниковые мощностью свыше 5 кВ.А;
преобразователи постоянного напряжения полупроводниковые мощностью свыше 5 кВ.А; агрегаты бесперебойного питания |
| 3 |
ГОСТ 20859.1-89 |
Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования |
01.01.1990 |
действующий |
| | Англ. название: Power semiconductor devices. General technical requirements Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы общего назначения - диоды, триодные тиристоры, биполярные (в том числе составные) транзисторы, полевые транзисторы и модули всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 10 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок.
Настоящий стандарт не распространяется на приборы и модули, работающие:
1) в средах с токопроводящей пылью;
2) в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы;
3) во взрывоопасной среде;
4) в условиях воздействия различных повреждающих приборы и модули излучений Нормативные ссылки: ГОСТ 20859.1-79ГОСТ 30617-98 в части модулей |
| 4 |
ГОСТ 23900-87 |
Приборы полупроводниковые силовые. Габаритные и присоединительные размеры |
30.06.1988 |
действующий |
| | Англ. название: Power semiconductor devices. Overall and mounting dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы - диоды и тиристоры на токи 10 А и более Нормативные ссылки: ГОСТ 23900-79 |
| 5 |
ГОСТ 24461-80 |
Приборы полупроводниковые силовые. Методы измерений и испытаний |
01.01.1982 |
действующий |
| | Англ. название: Power semiconductor devices. Test and measurement methods Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы, кроме арсенид-галлиевых приборов, диоды, тиристоры на максимально допустимые средние или действующие токи 10А и более и устанавливает методы измерения параметров и проверки (испытаний) предельно допустимых значений параметров, в том числе условия, схемы, режимы, требования к элементам схем и контрольно-измерительному оборудованию, последовательность операций при измерениях и проверках |
| 6 |
ГОСТ 27264-87 |
Транзисторы силовые биполярные. Методы измерений |
01.01.1988 |
действующий |
| | Англ. название: Power bipolar transistors. Measurement methods Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые биполярные транзисторы, в том числе составные, на токи 10 А и более и устанавливает методы измерений электрических, тепловых параметров и проверок предельно допустимых значений параметров |
| 7 |
ГОСТ 30617-98 |
Модули полупроводниковые силовые. Общие технические условия |
30.06.2002 |
действующий |
| | Англ. название: Power semiconductor modules. General specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые модули общего назначения, состоящие из полупроводниковых приборов и (или) структур: диодов, биполярных (в том числе составных) транзисторов, полевых транзисторов и тиристоров всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 5 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок.
Настоящий стандарт не распространяется на модули, работающие:
- в средах с токопроводящей пылью;
- в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы;
- во взрывоопасной среде;
- в условиях воздействия различных излучений, повреждающих модули Нормативные ссылки: ГОСТ 20859.1-89 в части модулей |
Источник информации: https://internet-law.ru/gosts/15091/
Добавить эту страницу в закладки:
|
