1 |
ГОСТ 17465-80 |
Диоды полупроводниковые. Основные параметры |
01.01.1982 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor diodes. Basic parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые полупроводниковые диоды, выпрямительные (кроме диодов Шоттки), импульсные, стабилитроны (стабисторы), варикапы, диоды СВЧ, выпрямительные столбы и импульсные диодные матрицы (сборки) Нормативные ссылки: ГОСТ 16963-71ГОСТ 17465-72 в части пп. 1 - 12, 16 - 22ГОСТ 16962-71 |
2 |
ГОСТ 18986.14-85 |
Диоды полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений |
01.07.1986 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor diodes. Methods for measuring differential and slope resistances Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает следующие методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений: метод замещения; резонансный метод с параллельным контуром; резонансный метод с последовательным контуром; мостовой метод. Стандарт не распространяется на стабилитроны Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.14-75;ГОСТ 19656.8-74CT CЭB 2769-80ГОСТ 20.57.406-81;ГОСТ 18986.0-74;ГОСТ 19656.0-74 |
3 |
ГОСТ 18986.24-83 |
Диоды полупроводниковые. Метод измерения пробивного напряжения |
01.07.1984 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor diodes. Measurement method of breakdown voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения пробивного напряжения Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.0-74 |
4 |
ГОСТ 19656.10-88 |
Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные переключательные и ограничительные. Методы измерения сопротивлений потерь |
01.07.1989 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor microwave switching and limiter diodes. Methods of measuring loss resistances Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые переключательные и ограничительные сверхвысокочастотные диоды и устанавливает следующие методы измерения сопротивлений потерь в диапазоне частот 0,3-10 ГГц: 1) сопротивления потерь при низком уровне СВЧ мощности ограничительных СВЧ диодов; 2) прямого сопротивления потерь переключательных и ограничительных СВЧ диодов и обратного сопротивления потерь переключательных СВЧ диодов: а) метод измерительной линии с подвижным зондом; б) метод измерительной линии с фиксированным зондом; в) резонаторный метод Нормативные ссылки: ГОСТ 19656.10-75;ГОСТ 19656.11-75ГОСТ 18986.4-73;ГОСТ 19656.0-74 |
5 |
ГОСТ 19834.0-75 |
Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров |
01.07.1976 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor emitters. Methods for measurement of parameters. General principles Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели и устанавливает положения, общие для стандартов на методы измерений спектрофотометрических, преобразовательных и электрических параметров полупроводниковых излучателей. Стандарт входит в комплекс государственных стандартов на методы измерения параметров полупроводниковых излучателей Нормативные ссылки: ГОСТ 8.023-86;ГОСТ 12.0.004-79;ГОСТ 12.1.004-85;ГОСТ 12.1.030-81;ГОСТ 12.2.007.0-75;ГОСТ 12.3.019-80;ГОСТ 20.57.406-81;ГОСТ 10863-70;ГОСТ 18986.1-73;ГОСТ 18986.2-73;ГОСТ 18986.3-73 |
6 |
ГОСТ 19834.2-74 |
Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости |
01.01.1976 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor emitters. Methods for measurement of radiant intensity and radiance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения, в том числе бескорпусные и устанавливает методы измерения силы излучения: метод непосредственной оценки;метод замещения;методы измерения энергетической яркости: прямой и косвенный Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82ГОСТ 19834.0-75 |
7 |
ГОСТ 19834.3-76 |
Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения |
01.07.1977 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor emitters. Methods for measuring of relative spectral energy distribution and spectral bandwidth Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения и устанавливает метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82ГОСТ 8.023-86;ГОСТ 19834.0-75;МИ 1685-87 |
8 |
ГОСТ 19834.4-79 |
Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения |
01.07.1981 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor radiating infra-red diodes. Methods of measurement of radiation power Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды некогерентного излучения и устанавливает методы измерения мощности излучения от 1 до 5 Вт в диапазоне длин волн 0,7-2,0 мкм: метод непосредственной оценки и метод замещения Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82ГОСТ 9411-91;ГОСТ 17616-82;ГОСТ 19834.0-75 |
9 |
ГОСТ 19834.5-80 |
Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения |
01.01.1982 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor emitting infra-red diodes. Method for measuring of radiation pulse switching times Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды, в том числе бескорпусные, и устанавливает метод измерения временных параметров импульса излучения: времени нарастания, времени спада, времени задержки при включении, времени задержки при выключении Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82ГОСТ 19834.0-75 |
10 |
ГОСТ 23448-79 |
Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры |
01.01.1981 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor infra-red emitting diodes. Basic dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды и устанавливает габаритные и присоединительные размеры их корпусов Нормативные ссылки: IEC 60191-2 |
11 |
ГОСТ 24352-80 |
Излучатели полупроводниковые. Основные параметры |
01.01.1982 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor photoemitters. Main parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые полупроводниковые оптоэлектронные излучатели: инфракрасные излучающие диоды и светоизлучающие диоды и устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметров Нормативные ссылки: ГОСТ 17465-72 в части пп. 13, 14, 15 |
12 |
ГОСТ 24354-80 |
Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые. Основные размеры |
01.01.1982 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor character displays. Basic dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы и устанавливает типы корпусов, габаритные и присоединительные размеры индикаторов, высоту знаков и элементов отображения шкальных индикаторов, шаги между знаками, элементами отображения шкальных индикаторов и модулей экрана Нормативные ссылки: ГОСТ 25066-81 |
13 |
ГОСТ 27778-88 |
Конденсаторы постоянной емкости керамические. Общие технические условия |
01.07.1989 |
действующий |
| Англ. название: Ceramic fixed capacitors. General specification Область применения: Настоящий стандарт распространяется на керамические конденсаторы постоянной емкости на номинальное напряжение до 1000 В, а также на незащищенные монолитные (многослойные) безвыводные конденсаторы на номинальное напряжение до 200 В, изготовляемые для нужд народного хозяйства и экспорта. Стандарт не распространяется на помехоподавляющие конденсаторы Нормативные ссылки: IEC 60384-1(1982);ГОСТ 8.051-81;ГОСТ 9.076-77;ГОСТ 20.57.406-81;ГОСТ 2519-67;ГОСТ 8273-75;ГОСТ 9661-73;ГОСТ 9665-77;ГОСТ 11076-69;ГОСТ 14192-77;ГОСТ 15150-69;ГОСТ 21315.1-75;ГОСТ 21315.2-75;ГОСТ 21315.4-75;ГОСТ 21315.5-75 |
14 |
ГОСТ 28896-91 |
Конденсаторы постоянной емкости для электронной аппаратуры. Часть 1. Общие технические условия |
01.07.1992 |
действующий |
| Англ. название: Fixed capacitors for use in electronic equipment. Part 1. General specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на конденсаторы постоянной емкости, предназначенные для использования в электронной аппаратуре Нормативные ссылки: IEC 60384-1(1982)ГОСТ 2.721-74;ГОСТ 8.417-2002;ГОСТ 1494-77;ГОСТ 18242-72;ГОСТ 27484-87;ГОСТ 28198-89;ГОСТ 28199-89;ГОСТ 28200-89;ГОСТ 28201-89;ГОСТ 28203-89;ГОСТ 28208-89;ГОСТ 28209-89;ГОСТ 28211-89;ГОСТ 28212-89;ГОСТ 28213-89;ГОСТ 28215-89;ГОСТ 28216-89;ГОСТ 28229-89;ГОСТ 28883-90;ГОСТ 28884-90;ГОСТ Р 50779.71-99 |
15 |
ГОСТ 29283-92 |
Полупроводниковые приборы. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 5. Оптоэлектронные приборы |
01.01.1993 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor devices. Discrete devices and integrated circuits. Part 5. Optoelectronic devices Область применения: Настоящий стандарт устанавливает требования к следующим классам или подклассам приборов: полупроводниковые излучатели, включая: оптоэлектронные полупроводниковые приборы отображения информации (на рассмотрении), светоизлучающие диоды (СИД), инфракрасные излучающие диоды (ИК-диоды), полупроводниковые лазеры (на рассмотрении); полупроводниковые фоточувствительные приборы, включая: фотодиоды, фототранзисторы; фототиристоры (на рассмотрении); фотопары, оптопары. Настоящий стандарт разработан методом прямого применения международного стандарта МЭК 747-5-84 Нормативные ссылки: IEC 60747-5(1984)IEC 60068-1(1988) |